ФИАН - СОЗДАТЕЛЬ ПЕРВОГО РОССИЙСКОГО ТРАНЗИСТОРА
НЕИЗВЕСТНАЯ СТРАНИЦА ИСТОРИИ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Цель настоящей публикации — рассказать о разработках Академии наук по полупроводниковым приборам, которые многие годы скрывались под грифом секретности. Секретность создавала большие трудности: ограничивалось общение учёных, прекращались связи с зарубежными коллегами, а главной бедой была невозможность публикации научных результатов. В 1955 г. на заседании учёного совета Физического института им. П.Н. Лебедева АН СССР (ФИАН) Б.М. Вул1 говорил по поводу исследований в области полупроводников:
"Я хотел затронуть один вопрос. Относительно публикования работ и относительно секретности. Начиная с войны и после войны, мы работали главным образом под грифом секретности и получили очень большой для себя урок.
В связи с полупроводниками американцы прямо писали... что вред [от публикаций. — В.Б.] для американцев будет больше, чем польза для русских, которую они сумеют извлечь из этого вреда. И они напечатали ряд работ, скрывая частично технологию. Мы ничего не печатаем. И получается так, что мы создаём работы, пока мы эти работы делаем, ставим гриф, в Америке появляются работы... а мы получаем хорошие результаты, и они потом стареют. Мы их скрываем и не печатаем.
Сейчас в радиотехнической промышленности и в других отраслях промышленности интерес к полупроводникам большой в части применения их в различных схемах. И то, что мы не публикуем своих работ, это задерживает их продвижение.
1 Вул Бенцион Моисеевич (1903—1985) — физик-экспериментатор, академик АН СССР, с 1932 по 1985 г. работал в Физическом институте им. П.Н. Лебедева АН СССР (с 1933 г. — заведующим лабораторией).
И во многих случаях секретность не оправдывается. Нет оснований прятать вещи, поскольку они более или менее общеизвестны.
Надо поставить вопрос, чтобы со многих работ, которые мы делаем, снять гриф секретности" [1].
Эти работы в ФИАНе удалось рассекретить только в 2008 г., но то, что они были неизвестны, сыграло свою роль. Работники предприятий электронной промышленности до сих пор твёрдо уверены, что приоритет создания первого отечественного транзистора принадлежит НИИ-160 (НИИ "Исток"). Дело в том, что первая публикация, описывающая транзистор, появилась за рубежом в 1948 г. Это была статья Бардина и Брат-тейна "Транзистор — полупроводниковый триод" ("The transistor, a semi-conductor triode". Physical Review. 1948. July. № 74). Сведения о транзисторе заинтересовали руководителя ряда научно-исследовательских работ НИИ-160 (ныне НИИ "Исток" во Фрязине) Александра Викторовича Кра-силова2, и он предложил своей студентке С.Г. Ма-доян тему диплома "Исследование материалов для кристаллического триода". К весне 1949 г. С.Г. Мадоян получила транзисторный эффект. По свидетельству Ю.Р. Носова3, "транзистор весной 1949 года сделан не был, был лишь продемонстрирован транзисторный эффект на микроманипуляторе, да и германиевые кристаллы использовались не свои, а выковыренные из детекторов фирмы Philips" [2]. К этому можно присоединить
2Красилов Александр Викторович (1910—2003) — один из основоположников отечественной электронной промышленности, начальник лаборатории НИИ-160 (НИИ "Исток"), лауреат Сталинской и Ленинской премий.
3 Носов Юрий Романович (р. 1931 г.) — физик, доктор техни-
ческих наук, начальник отдела ОАО НИИ "Сапфир".
слова А.А. Щуки4 о том, что у С.Г. Мадоян "лабораторный образец работал не больше часа, а затем требовал новой настройки" [3]. Тем не менее А.В. Красилов и С.Г. Мадоян стали известны как создатели первого транзистора в Советском Союзе [4, 5].
Рассекреченные ФИАНом документы дают совсем другие, но убедительные сведения, которые стали особенно важными сейчас, когда отмечается 60-летие отечественного транзистора и в СМИ появились статьи, принижающие роль Академии наук в его создании. Приведём фрагменты из статьи Ю.Р. Носова.
«Наша полупроводниковая наука свой транзисторный проект не сформулировала, более того — после публикаций компании "Bell Labs" транзистор для Академии наук не стал приоритетом № 1, а лишь "одним из". На VII Всесоюзном совещании по полупроводникам (1950 год), первом послевоенном, почти 40% докладов было посвящено фотоэлектричеству, значительное число — новым полупроводникам и ни одного — германию и кремнию». «Если бы транзисторы и появились в 1949 году, их некому было бы "предъявить": отраслевой полупроводниковой науки не было, "академиков" транзисторные дела тогда не волновали» [2]. Эти заявления полностью опровергаются публикуемыми ниже фрагментами из отчётов ФИАНа.
Ю.Р. Носов продолжает: «К 50-летию транзистора я опубликовал в "Независимой газете" большую статью, пафосно отметив роль А.В. Кра-силова. В СМИ это прозвучало впервые, и ему понравилось — а кому бы нет? (Настолько, что в 2003 году своё приветствие "Пульсару" он подписал "создатель первого отечественного транзистора", опустив "лауреат Ленинской и Сталинской премий". Преходящее — ничто в сравнении с вечным.) Тогда же накоротке я поинтересовался мнением Александра Викторовича о статье. "История правдивая и написана прекрасно" [ответил Красилов], но с улыбкой добавил: "А вообще-то всё было не так". Вернуться к разговору как-то не удавалось, хотя мы и заседали в одном диссертационном совете, а вскоре Александр Викторович ушёл из жизни. Версия "как было на самом деле" складывалась уже без него» [2].
Как было "на самом деле" Ю.Р. Носов знать не мог, а А.В. Красилов знал, что "всё было не так", и это подтверждает его подпись на документе, приведённом ниже. Но изложим всё по порядку.
По предложению министра промышленности средств связи Г.В. Алексеенко научно-исследовательская работа по теме "Исследование электрофизических свойств Ge и создание действующих макетов германиевых триодов" была начата в ФИАНе в 1949 г., вскоре после опубликования первых сообщений о создании транзисторов за
4 Щука Александр Александрович — доктор технических наук, профессор Московского института радиотехники, электроники и автоматики.
рубежом (июль 1948 г.). Исследования проводились небольшой группой сотрудников электрофизической лаборатории ФИАНа под руководством А.В. Ржанова5. Общее руководство осуществлял член-корреспондент АН СССР Б.М. Вул. Из отчёта А.В. Ржанова следует, что уже в 1949 г. исследования велись очень интенсивно: разрабатывались технологические методы, создавалось оборудование, был получен триодный эффект, изучались характеристики триода [6].
В 1949 и 1950 гг. в ФИАНе были изготовлены первые партии германиевых высоковольтных диодов, переданные в различные организации (СКБ-245 ММП, некоторые лаборатории ФИАНа, НИФИ-2 и др.). В 1950 г. исследовался триодный эффект в микроманипуляторе и проводились испытания нескольких конструкций германиевых триодов, которые по различным причинам оказались неудачными. Наконец в начале 1951 г. была предложена новая конструкция германиевых триодов и технология их изготовления. Изготовленные образцы по характеристикам были близки к описанным в иностранной литературе.
Научно-исследовательская работа по теме "Исследование электрофизических свойств германия и создание действующих макетов германиевых триодов", выполненная ФИАНом в 1949— 1951 гг., завершилась сдачей её специальной комиссии Министерства промышленности средств связи СССР (МПСС СССР), назначенной приказом министра Г.В. Алексеенко. Перед комиссией с отчётным докладом "Германиевые диоды высокого обратного напряжения и германиевые триоды" выступил А.В. Ржанов. Приведём фрагменты заключения по этому докладу авторитетного члена комиссии С.Г. Калашникова6:
"Глава 3 посвящена исследованию триодного эффекта. В этой части работы экспериментально осуществлены германиевые триоды, что представляет собой тонкую техническую задачу, и исследованы важные вопросы, связанные с триод-ным действием: определены входные и выходные сопротивления и сопротивления обратной связи, влияние расстояния между контактами, влияние электрической формовки, триодное действие на электронном и дырочном германии и др.
В отчёте описан также разработанный метод изготовления германиевых триодов, отличающийся большой простотой, и методика измерения основных характеристик триодов.
5 Ржанов Анатолий Васильевич (1920—1990) — физик, академик РАН, с 1944 по 1962 г. работал в ФИАНе, с 1962 г. - директор Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН.
6 Калашников Сергей Григорьевич (1906-1984) — физик, с 1929 по 1961 г. работал в Московском государственном университете (с 1946 — профессор, зав. кафедрой), с 1956 г. — зав. отделом Института радиотехники и электроники АН СССР, с 1962 г. — профессор Московского физико-технического института.
Основное значение раздела работы по триод-ному эффекту заключается, во-первых, в том, что осуществлены германиевые триоды и дан доступный метод их изготовления. Этим открывается возможность дальнейшего изготовления лабораторных образцов триодов и начала работ по исследованию их эксплуатационных свойств и областей применения.
.Переходя к оценке работы в целом, необходимо прежде всего отметить, что она представляет первую законченную работу по германиевым триодам в Советском Союзе. Работа содержит важные результаты, касающиеся германиевых триодов. Эти результаты позволят более широко развернуть дальнейшие исследовательские работы по германиевым триодам, и многие из них будут использованы в будущих опытно-конструкторских работах" [7].
Комиссия МПСС провела всесторонние испытания представленной опытной партии образцов, которые прошли успешно. В заключении акта приёмки акцентирован приоритет ФИАНа в создании первого в СССР транзистора. Приведу текст этого заключения.
Заключение акта приёмки от 18.12.1951 г.
"Комиссия отмечает, что ФИАНом выполнена ценная работа, в ходе которой впервые в СССР экспериментально осуществлён триодный эффект, изучен ряд вопросов, связанных с триод-ным действием, а также изготовлены первые действующие макеты полупроводниковых триодов.
Проведённая работа позволяет сделать заключение о степени пригодности германия, поставляемого Гиред
Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.