научный журнал по физике Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования ISSN: 0207-3528

Архив научных статейиз журнала «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования»

  • РАССЛОЕНИЕ И УПОРЯДОЧЕНИЕ СПЛАВА FE 50CO 50: ТЕРМОДИНАМИКА, МОРФОЛОГИЯ, ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА

    ПУШКАРЕВ Б.Е., САПЕГИНА И.В., УСТИНОВЩИКОВ Ю.И., ШАБАНОВА И.Н. — 2004 г.

    Проведены рентгеновские и электронно-микроскопические исследования поверхности и объема сплава Fe 50Co 50, когда в нем проявляются тенденции к упорядочению или расслоению. Оценены условия, при выполнении которых в объеме сплавов формируется твердый раствор, а на поверхности образуются микроструктуры расслоения или упорядочения. По изменению формы рентгеноэлектронных спектров валентной полосы сделано заключение, что переход расслоение-упорядочение сопровождается уменьшением d-электронной плотности на атомах железа. Сделан вывод, что тенденции к упорядочению или расслоению проявляют себя в разных областях фазовой диаграммы, т.е. не могут конкурировать между собой или участвовать в синергическом взаимодействии.

  • РАСЧЕТ АТОМНЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ В ПРИБЛИЖЕНИИ ОБОЛОЧЕЧНОЙ МОДЕЛИ

    КОРШУНОВ Ф.П., ЛАЗАРЬ А.П. — 2004 г.

    В приближении оболочечной модели получено простое аналитическое выражение для статического потенциала изолированного атома. Потенциал имеет форму экранированного кулоновского потенциала с функцией экранирования томас-фермиевского типа и учитывает парциальные вклады всех электронных оболочек атома. Подгоночные параметры для каждой оболочки - эффективный заряд ядра и ее заселенность - находятся в результате аппроксимации расчетных значений хартри-фоковских атомных формфакторов. Точность аппроксимации ограничена точностью представления исходных данных.

  • РАСЧЕТ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ АБЕРРАЦИЙ, ВОЗНИКАЮЩИХ ВСЛЕДСТВИЕ ПОГРЕШНОСТЕЙ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОРОИДАЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ОТКЛОНЯЮЩИХ СИСТЕМ И МУЛЬТИПОЛЬНЫХ КОРРЕКТОРОВ

    ВАСИЧЕВ Б.Н., ЗОТОВА М.О., РОЗЕНФЕЛЬД Л.Б. — 2004 г.

    Описана методика расчета влияния дефектов изготовления на электронно-оптические характеристики тороидальных отклоняющих систем, секступольных и октупольных линз. Показано, что при отклонении размеров указанных электронно-оптических элементов от идеальных на 0.1-0.2 мм размер формируемого на мишени пятна может возрастать в несколько раз по сравнению с пятном в идеально изготовленной системе.

  • РАСЧЕТ ПЕРЕСТРАИВАЕМОГО ДВУХКРИСТАЛЬНОГО МОНОХРОМАТОРА С ФИКСИРОВАННЫМ ПОВОРОТОМ И СДВИГОМ ВЫХОДЯЩЕГО ПУЧКА СИ

    ГАВРИЛОВ Н.Г., ЖОГИН И.Л., ТОЛОЧКО Б.П. — 2004 г.

    Предложена схема “неплоского” двухкристального монохроматора с фиксированным поворотом (выходом) пучка, в которой плоскости кристаллов непараллельны, а входящий и выходящий рентгеновские лучи не лежат в одной плоскости; такая схема может быть использована для боковых каналов синхротронного излучения. Представлены общие формулы, описывающие требуемое движение кристаллов, а также результаты расчетов для одного частного несимметричного случая (неодинаковые кристаллы: Diamond-111 и Si-220 как первый и второй кристаллы; угол поворота выходного пучка 16.2°) и для симметричного случая (одинаковые кристаллы и разные значения угла поворота).

  • РАСЧЕТ ПРОБЕГОВ АТОМНЫХ ЧАСТИЦ В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ ДЛЯ КВАЗИМАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ

    ПУСТОВИТ А.Н. — 2004 г.

    Для квазималоуглового рассеяния и степенного потенциала взаимодействия Линдхарда-Нильсена-Шарфа вычислены дифференциальное сечение рассеяния, упругие ядерные потери и средний проецируемый пробег частицы в твердом теле. Установлено, что предельная энергия, переданная при столкновении ударяемому атому, зависит от степени экранирования потенциала взаимодействия. Проведено сравнение расчетных средних проецируемых пробегов частиц в веществе с имеющимися экспериментальными данными других авторов. Показано, что удовлетворительного согласия между экспериментальными и расчетными данными можно достичь без учета неупругих ядерных потерь.

  • РАСЧЕТ ФОРМЫ ЛИНИИ И СВЕТОСИЛЫ СПЕКТРОМЕТРА РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНОГО ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО ЗЕРКАЛА

    ГУСИХИНА И.А., ЛОБАНОВА Ю.Л., НАГОРНЫЙ В.И., СУББОТИН А.Н. — 2004 г.

    Представлена процедура расчета формы линии и светосилы, разработанная для спектрометра на базе многослойного цилиндрически изогнутого зеркала. Этот подход применим для расчета светосилы и формы линии при точечном изотропном источнике излучения, расположенном в медианном сечении зеркала. Проведено сравнение значений светосилы в различных моделях расчета: с учетом только эффективного отражения на плоском зеркале и с учетом отражения по всему цилиндрическому зеркалу. Представлены расчеты формы линии на регистраторе для нескольких геометрий измерений.

  • РАСЧЕТ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СПЕКТРОВ ИОНОВ, РАССЕЯННЫХ ПЛОСКО-ПАРАЛЛЕЛЬНЫМИ СЛОЯМИ ТВЕРДОГО ТЕЛА. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ УЧЕТ ФЛУКТУАЦИЙ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ

    АФАНАСЬЕВ В.П., ЛУБЕНЧЕНКО А.В., ЛУКАШЕВСКИЙ М.В. — 2004 г.

    Описан метод расчета энергетических спектров заряженных частиц, прошедших сквозь тонкие пленки твердого тела с развитым рельефом. Метод справедлив для любого вида дифференциального сечения неупругого рассеяния. Приведены расчеты спектров ионов водорода, прошедших сквозь углеродную фольгу, и проведено их сравнение с результатами компьютерного моделирования.

  • РЕАКЦИИ ГИБЕЛИ СН 3-РАДИКАЛОВ ПРИ СТОЛКНОВЕНИИ С ПОВЕРХНОСТЬЮ В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 300-1000 К

    ВАРШАВСКАЯ И.Г., ВНУКОВ С.П., ГОРОДЕЦКИЙ А.Е., ЗАЛАВУТДИНОВ Р.Х., ЗАХАРОВ А.П. — 2004 г.

    С помощью струевой методики измерены транспортные параметры и коэффициенты осаждения СН 3-радикалов (метила) на поверхности “мягкой” а-С:Н пленки при 300-1000 К. Выполнен анализ структуры и состава мягких углеродных пленок, конденсируемых из метила (300 К). Обнаружено существование транспортного окна, т.е. температурной области (380-800 К), в которой осаждение метила затруднено. Измерены коэффициенты рекомбинации и трансформации метила в транспортном окне для кварца, кремния, вольфрама и нержавеющей стали. Показано, что наиболее полное превращение метила в метан имело место на поверхности нержавеющей стали при 380-420 К. Эксплуатация откачивающего тракта ИТЭР при этих температурах позволит понизить осаждение углерода и накопление трития на порядок величины по сравнению с режимом, в котором температура стенок тракта близка к комнатной.

  • РЕЖЕКЦИЯ И УЧЕТ НАЛОЖЕНИЙ В СПЕКТРАХ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ ПУЧКА ИОНОВ ЦИКЛОТРОНА

    БЕЛОУСОВ М.П., ВЕДЬМАНОВ Г.Д., НЕШОВ Ф.Г., РЯБУХИН О.В. — 2004 г.

    Предлагается методика аппаратурного и расчетного контроля и режекции двойных наложений в спектрах резерфордовского обратного рассеяния, позволяющая устанавливать оптимальные условия их измерения. Приведены результаты расчетов содержания поверхностной и объемной примесей в модельных образцах.

  • РЕЖИМЫ РЕАКЦИЙ, ИНИЦИИРОВАННЫХ ОБЛУЧЕНИЕМ

    ИЗРАИЛЕВА Л.К., РУМАНОВ Э.Н. — 2004 г.

    Рассмотрена экзотермическая реакция в твердом веществе, инициированная облучением. Описаны режимы теплового самоускорения. Найдено смещение свободной поверхности образца в зависимости от времени.

  • РЕНТГЕНОДИФРАКЦИОННАЯ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ GE(GA), ПОЛУЧЕННЫХ ПРИ ФИЗИЧЕСКОМ МОДЕЛИРОВАНИИ МИКРОГРАВИТАЦИОННОЙ ОБСТАНОВКИ

    ЗАХАРОВ Б.Г., ПРОХОРОВ И.А., РАТНИКОВ В.В., СТРЕЛОВ В.И., ШУЛЬПИНА И.Л., ЩЕГЛОВ М.П. — 2004 г.

    Комплексом методов рентгеновской дифрактометрии и топографии, а также избирательного травления и распределения сопротивления растекания исследована реальная структура и неоднородность монокристаллов Ge(Ga), полученных в наземных условиях, моделирующих микрогравитационную обстановку на борту космических аппаратов. В процессе выращивания кристаллов осуществлено радикальное уменьшение интенсивности естественной конвекции, и на расплав оказывались возмущающие воздействия, характерные для орбитального полета космических аппаратов. В определенных наземных условиях возможно выращивание кристаллов, по степени однородности и совершенству структуры приближающихся к выращиваемым на орбитальных станциях. Механические воздействия на расплав оказывают влияние на формирование макро- и микронеоднородности кристаллов путем генерации дислокационных скоплений и локального образования полос роста.

  • РОСТ И АНИЗОТРОПИЯ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЛОИСТЫХ ПЕРОВСКИТОВ LNBACO 2O 5 + Y (LN = HO, EU, GD, DY, TB)

    АЛЛЕНСПАХ Р., БАРАН М., БАРИЛО С.Н., БЫЧКОВ Г.Л., ГАТАЛЬСКАЯ В.И., КУРОЧКИН Л.А., ЛОБАНОВА К.Е., ПОДЛЕСНЯК А., СМИРНОВА Т.В., УСТИНОВИЧ С.Н., ФУРРЕР А., ХАЛЯВИН Д.Д., ШЕПТЯКОВ Д.В., ШИМЧАК Г., ШИМЧАК Р., ШИРЯЕВ С.В. — 2004 г.

    Впервые из раствора в расплаве выращены монокристаллы слоистых перовскитов LnBaCo 2O 5 + y (Ln = Ho, Eu, Gd, Dy, Tb) в условиях спонтанной кристаллизации. Исследованы поля первичной кристаллизации этих соединений для квазибинарного разреза LnBaCo 2O 5+y-Ba 2Co 3O y. В выращенных монокристаллах измерены магнитная восприимчивость и петли намагниченности, которые проявили аномальную анизотропию магнитных свойств.

  • РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZNSE:CR ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ И РЕАЛИЗАЦИЯ НА ИХ ОСНОВЕ ЛАЗЕРА НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 2.45 МКМ

    КОЗЛОВСКИЙ В.И., КОРОСТЕЛИН Ю.В., ЛАНДМАН А.И., ПОДМАРЬКОВ Ю.П., ФРОЛОВ М.П. — 2004 г.

    Методом свободного роста на монокристаллической затравке выращены монокристаллы ZnSe:Cr с использованием физического транспорта в гелии. Легирование проводилось из паровой фазы непосредственно во время роста. Достигнутая концентрация Cr 2+ [5 x 10 18 см -3] обеспечивает коэффициент поглощения 4.5 см -1 в максимуме полосы накачки (1.78 мкм). Исследованы лазерные параметры монокристаллов ZnSe:Cr с использованием излучательных переходов на ионах Cr 2+. При накачке излучением импульсного Co:MgF 2-лазера с длиной волны 1.67 мкм получена генерация на длине волны 2.45 мкм с дифференциальным КПД 59% по поглощенной энергии, что соответствует квантовой эффективности 87%.

  • РОСТ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК PB 1 _ XMN XTE(GA) НА МОНОКРИСТАЛЛАХ PBTE 1 - XSE X

    НУРИЕВ И.Р., САДЫГОВ Р.М., ФАРЗАЛИЕВ С.С. — 2004 г.

    В настоящей работе представлены результаты исследования особенностей роста эпитаксиальных пленок Pb 1 _ xMn xTe (x = 0.06), выращенных на монокристаллических пластинах PbTe 1 _ xSe x (x = 0.08) методом конденсации молекулярных пучков. Установлено, что пленки с более совершенной кристаллической структурой (W 1/2 = 70-80"), толщиной 1-1.5 мкм, получаются при скоростях конденсации 7-8 А/с и температурах подложки 350-400°С. Разработан режим получения высокоомных фоточувствительных пленок Pb 1 - xMn xTe(Ga) p- и n-типов проводимости с концентрацией носителей заряда n, p (77 K) ≈ 5 • 10 15-1 • 10 16 см -3.

  • СГЛАЖИВАНИЕ КРИВОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕЯНИЯ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ СХОДИМОСТИ МЕТОДА СБЛИЖЕНИЯ РАСЧЕТНЫХ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ КРИВЫХ

    АСТАФЬЕВ С.Б., ЩЕДРИН Б.М., ЯНУСОВА Л.Г. — 2004 г.

    В работе предложен метод, улучшающий процесс сближения кривых с резкими перепадами высот, что имеет место для рефлектометрических данных. На модельных расчетах показана возможность выбора диапазона сглаживания, оптимального для каждой конкретной кривой, позволяющего доводить до конца процесс сближения кривых, получая разумные значения параметров математической модели пленки.

  • СИСТЕМА СТАБИЛИЗАЦИИ ПОЛОЖЕНИЯ ПУЧКА СИ

    АРТЕМЬЕВ А.Н., ВАЛЕНТИНОВ А.Г., ЗАБЕЛИН А.В., КРЫЛОВ Ю.В., МАЕВСКИЙ А.Г., ПОТЛОВСКИЙ К.Г., РЕЗВОВ В.А., ЮДИН Л.И., ЮПИНОВ Ю.Л. — 2004 г.

    Описана система наблюдения и стабилизации положения рентгеновского пучка синхротронного излучения на экспериментальной станции пользователя СИ. Система состоит из люминофора, регистрирующего неиспользуемую часть пучка СИ, и телекамеры. Телевизионный сигнал оцифровывается и обрабатывается ЭВМ. Разработанные ранее программы обеспечивают обработку изображения пучка, определяя его центр тяжести. Цифровая обратная связь с системой управления накопителем обеспечивает коррекцию положения пучка СИ на данной станции. Получена статистическая неопределенность положения пучка СИ на люминофоре около 10 мкм при времени измерения около 10 с. Разрабатывается система одновременного поддержания положения пучка в нескольких каналах СИ.

  • СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ И ТЕНДЕНЦИИ ЕЕ РАЗВИТИЯ

    ЗЛОБИН В.А. — 2004 г.

    Рассмотрены состояние и перспективы развития электронной литографии, ее место в технологии микро- и наноэлектроники. Проанализированы потенциальные возможности и ограничения различных оптических схем и стратегий экспонирования в электронной литографии. Проведено сравнение достижений электронной литографии с успехами в области оптической и рентгеновской литографии.

  • СОСТОЯНИЕ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА В ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СИСТЕМЕ SI/YSZ/SI(100) ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ОЖЕ-ПРОФИЛИРОВАНИЯ И ДЕТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ КРАЯ КРАТЕРА ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ

    БЕШЕНКОВ В.Г., ВЯТКИН А.Ф., ЗНАМЕНСКИЙ А.Г., МАРЧЕНКО В.А., МОСКОВКИН С.В. — 2004 г.

    Получены оже-профили распределения элементов в тонкопленочной системе Si/YSZ/Si(100), обладающей высоким структурным совершенством. Показано, что обе границы раздела изменяют свой состав в процессе наращивания толщины пленок, т.е. уже после начала их эпитаксиального роста. Особенно заметно выражено окисление Si подложки в процессе роста пленки YSZ (оксида циркония, стабилизированного в кубической модификации оксидом иттрия) при повышенных температурах. Образующийся слой SiO 2 дает возможность визуализации и проведения детального оже-анализа нарушений структуры пленки YSZ в местах электрических пробоев, возникающих при ее напылении, с использованием края кратера ионного травления.

  • СОСТОЯНИЕ ЖЕЛЕЗА В РЯДУ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ ТЕЛЛУРИДОВ FE XTI 1-XТE 1.45

    ЗАБОЛОТНАЯ А.В., ЗВИНЧУК Р.А., ПАНКРАТОВА О.Ю., ПАНЧУК В.В., СЕМЕНОВ В.Г., СУВОРОВ А.В., ХИСТЯЕВ К.А. — 2004 г.

    Методами рентгенофазового анализа и мессбауэровской спектроскопии исследован ряд нестехиометрических теллуридов Fe xTi 1 _ xTe 1.45, синтезированных при 850°С с шагом ∆х = 0.1. Установлено, что твердые растворы образуются в интервалах 0 ≤ х ≤ 0.4 (гексагональная фаза IV) и 0.8 ≤ х ≤ 1.0 (фаза I). При х = 0.5 образуется ортогексагональная сверхструктура - фаза III с параметрами 3 √3 а, 3a, 3c. В интервале 0.5 < х < 0.6 существует гексагональная сверхструктура с параметрами √3 а, 6с -фаза II. Согласно данным мессбауэровской спектроскопии, в ряду Fe xTi 1 _ xTe 1.45 атомы железа присутствуют в виде Fe 0 и Fe +2, которое находится и в симметричном окружении ( Fe +2 sym ) и в асимметричном окружении ( Fe +2 -sym ). Соотношение различных форм железа варьируется в зависимости от состава. Хорошо согласуются данные рентгенофазового анализа и мессбауэровской спектроскопии. Полученные результаты позволяют сделать некоторые выводы относительно механизма компенсации нестехиометрии как в исследуемом ряду соединений Fe xTi 1 _ xTe 1.45, так и в бинарной системе титан-теллур. В настоящей работе предложен и обсуждается смешанный механизм компенсации нестехиометрии.

  • СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ АМОРФНЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДНЫХ ВОЛЬФРАМОВЫХ БРОНЗ

    ПОДЛИНОВ В.П., ХОКОНОВА Ж.Х., ХУБОЛОВ Б.М. — 2004 г.

    Измерены спектральные зависимости оптической плотности аморфных тонких пленок калий-вольфрамовой бронзы K 03WO 3 и двухслойных пленок бронз Cs 0.3WO 3-K 0.3WO 3. Сформулированы основные проблемы интерпретации оптических спектров оксидных вольфрамовых бронз.