научная статья по теме ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ МОКЕРОВ К 70-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ Электроника. Радиотехника

Текст научной статьи на тему «ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ МОКЕРОВ К 70-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ»

РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА, 2010, том 55, № 8, с. 1020-1024

ХРОНИКА

ВЛАДИМИР ГРИГОРЬЕВИЧ МОКЕРОВ К 70-летию со дня рождения

2 мая 2010 года исполнилось 70 лет со дня рождения Владимира Григорьевича Мокерова — выдающегося ученого и организатора науки, профессора, доктора физико-математических наук, члена-корреспондента Российской академии наук. В.Г. Мокеров являлся одним из крупнейших специалистов по физике твердого тела и технологии полупроводниковой электроники, основателем отечественного направления нано-гетероструктурной сверхвысокочастотной электроники.

Владимир Григорьевич родился в 1940 г. в селе Даровское Кировской области в семье учителей, после войны семья переехала в Ленинград. Окончив школу, В.Г. Мокеров поступил на физический факультет Ленинградского государственного университета им. А.А. Жданова. Научную деятельность он начинал в группе профессора Е.Ф. Гросса, выдающегося ученого в области физики твердого тела. Ранние работы Мокерова посвящены оптике и спектроскопии полупроводников. В 1963 г. он окончил ЛГУ и был распределен инженером в созданный в Зеленограде НИИ Микроприборов. В 1965 г. в журнале "Физика твердого тела" опубликована

его первая научная работа "Узколинейчатая люминесценция гексагональных кристаллов ZnS". Творческий путь он продолжил в Зеленоградском НИИ Молекулярной электроники (НИИМЭ). В.Г. Мокеров подключается к решению ряда проблем, связанных с глобальной задачей создания отечественной полупроводниковой электроники и электронной промышленности. В НИИМЭ под его руководством были выполнены фундаментальные работы по оптическим и электрическим свойствам полупроводниковых пленок окислов ванадия. Так, был обнаружен фазовый переход в пленках двуокиси ванадия, причем относительно низкая температура перехода (66°С) открывала возможности для создания устройств оптической памяти, датчиков температуры для пожарной сигнализации. Успешно были апробированы принципы записи, считывания и перезаписи информации в голографических запоминающих устройствах большой емкости на пленках двуокиси ванадия. В 1970 г. В.Г. Мокеров защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по теме "Электрические и оптические свойства двуокиси

ванадия при фазовом переходе полупроводник-полуметалл". Его докторская работа "Исследования окислов ванадия", защищенная в 1982 г., подвела итог многолетним и плодотворным исследованиям в этой области.

В 1977 г. Мокеров возглавил отдел, созданный для разработок эпитаксиальной технологии тонких пленок. В 1980—1990 гг в отделе, которым руководил В.Г Мокеров, были разработаны технологии молеку-лярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5 — объемно и дельта-легированных пленок GaAs, гетеро-структур AlGaAs/GaAs, получены опытные образцы арсенид-галлиевых сверхбыстродействующих цифровых схем логики и памяти, первые в СССР Это были, например, 16 Кб оперативное запоминающее устройство на AlGaAs/GaAs гетероструктурных транзисторах со временем выборки в единицы наносекунд. Также были созданы цифровые и цифроаналоговые схемы умножителей, коррелятор с разрядностью 16 и 32 бита, параллельные умножители.

С 1980 г. особое внимание уделялось созданию методов контроля производства больших интегральных схем (БИС). Данная задача поручена отделу В.Г. Мокерова в НИИМЭ. Группой Моке-рова были успешно применены для задач контроля методы Оже-спектроскопии, спектроскопии фотолюминесценции, фотоотражения и электроотражения. Владимир Григорьевич назначается заместителем главного конструктора крупных отраслевых программ "Контроль" и "Спектрометр" по разработке и внедрению физико-аналитического оборудования и главным технологом МЭП СССР по операционному контролю технологии БИС. В рамках этих программ под его руководством был выполнен комплекс НИОКР в результате которых новейшие аналитические средства и методы контроля техноло -гии БИС были внедрены в промышленное производство на заводе "Микрон", НПО "Интеграл", НИИ Микроприборов и других.

В 1985—1990 гг. В.Г. Мокеров в сотрудничестве с ведущими научными группами из ФИАН им. П.Н. Лебедева и МГУ им. М.В. Ломоносова проводит первые отечественные исследования в области фундаментальной физики низкоразмерных систем. Внимание к данной тематике обусловлено бурным развитием этой новой области физики твердого тела за рубежом и в СССР. На первых изготовленных в отделе Мокерова высококачественных гетероструктурах AlGaAs/GaAs с высокой подвижностью двумерного электронного газа исследуется квантовый эффект Холла при низких и сверхнизких температурах. По параметрам образцы, изготовленные по технологии моле-кулярно-лучевой эпитаксии, не уступали миро-

вым показателям. К этому периоду относятся также работы по магнетоплазменным колебаниям в двумерном электронном газе, дрейфовому резонансу. Был обнаружен и исследован новый тип элементарных возбуждений — краевые магнитные плазмоны. В то же время как знающий технолог Мокеров принимал участие в разработке поздних моделей отечественной установки моле-кулярно-лучевой эпитаксии "ЦНА".

В 1988 г. В.Г. Мокеров и коллектив его сотрудников перешли в ИРЭ АН СССР, где он создал Центр микро- и наноэлектроники. Вскоре он был назначен заместителем директора ИРЭ по научной работе. Центр решал задачи по разработкам гетероструктур и технологий создания транзисторов для аналоговых схем СВЧ. В это время можно отметить ряд работ, посвященных эпитаксии ге-тероструктур для полевых и гетеробиполярных транзисторов, рш-диодов, резонансно-туннельных структур и структур на дельта-легированных кремнием слоях GaAs. Исследуются возможность роста слоев GaAs на кремниевых подложках и на вицинальных поверхностях GaAs, свойства слоев при низкотемпературной эпитаксии. Выполнены оригинальные работы по электрофизике структур с дельта-легированием оловом. Разрабатываются и проверяются модели, описывающие кинетику роста эпитаксиальных слоев. Не оставлены без внимания проблемы анализа и характеризации гетероструктур и сверхрешеток методами рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения, масс-спектроскопии вторичных ионов. Ведутся интенсивные работы в области спектроскопии фотолюминесценции для изучения энергетического спектра квантовых ям, дельта-легированных слоев, дефектов в гетерострукту-рах. К 1994 г. созданы и исследованы первые транзисторные структуры с напряженной квантовой ямой InGaAs/GaAs, а к 1998 г. — метаморф-ные гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InAlAs на подложках GaAs. Гетероструктуры такого типа являются основными материалами современных приборов СВЧ электроники в частотном диапазоне более 10 ГГц и 40 ГГц, соответственно. В 1990-е годы в Центре созданы первые коротко-канальные НЕМТ-транзисторы с длиной затвора менее 0.25 мкм, полученные методом электронно-лучевой литографии.

Начиная с 1995 г. в России и в мире интенсивно развиваются работы по получению и изучению свойств нульмерных объектов — квантовых точек InAs в (Al)GaAs. В.Г. Мокеров заинтересовался этим направлением и предложил детально исследовать электрофизику в слоях 1пЛз при различных толщинах осаждения, на пороге образования

квантовых точек. Так, был выполнен ряд фундаментальных работ по изучению свойств слоев и сверхрешеток 1пА при образовании квантовых точек, а в 1999 г. получен и исследован транзистор с массивом квантовых точек в канале с рекордно высокой крутизной и током стока. В этом новом типе структуры был открыт нетрадиционный принцип функционирования, связанный с ударной ионизацией локализованных электронов.

В 1990 г. В.Г. Мокеров избран членом-корреспондентом Академии наук СССР по отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации, ныне — Отделение нанотехнологий и информационных технологий, секция вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем и элементной базы.

Основной целью Владимира Григорьевича в 2000-е гг. стало преодоление серьезного отставания от мирового уровня отечественной СВЧ электроники, необходимой для развития систем телекоммуникации, связи и радиолокации. К 2000-м гг. на предприятиях промышленности доминировала MESFET-технология полевых транзисторов СВЧ, в то время как за рубежом эта технология давно сменилась Р-НЕМТ гетероструктурной технологией (транзисторы с псевдоморфно-напря-женной квантовой ямой и высокой подвижностью электронов), а также многообещающей технологией нитрид-галлиевых гетероструктур. Осознавая необходимость освоения этих высоких технологий, Мокеров выступил инициатором и разработчиком межведомственной программы по созданию технологии СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем на низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах на частотах до 100 ГГц для перспективных систем радиолокации, навигации и телекоммуникации военного, гражданского и космического применений в России. В программу вошли многие отечественные предприятия и ведущие научно-исследовательские институты.

Для решения поставленной задачи требовалось расширение площадей, обновление парка оборудования, активизация непосредственных связей с предприятиями промышленности и отраслевыми ведомствами для ведения научно-исследовательских и прикладных работ. Владимир Григорьевич при поддержке РАСУ и РАН доказал необходимость создания нового института в Академии наук, и в апреле 2002 г. был огранизован новый Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ) РАН. Институт был призван интегрировать усилия уникального коллектива специалистов — физиков, технологов, проектировщиков, чтобы на стыке

науки, технологии и внедрения передовых научных разработок в производство было ликвидировано отставание России в этой сфере высоких технологий. Эта важная для нашей страны задача была успешно решена под руководством В.Г. Мокерова — за 5—6 лет ряд критических технологий, необходимых для создания современной электронной компонентной базы СВЧ, был самостоятельно освоен институтом.

Под руководством В.Г. Мокерова в ИСВЧПЭ РАН проведен на современном уровне ряд фундаментальных и прикладных исследований в области транзисторных наногетероструктур, разработки транзисторов и первых отечественных монолитных интегральных схе

Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.

Показать целиком

Пoхожие научные работыпо теме «Электроника. Радиотехника»