КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, 2004, том 49, № 5, с. 968-969
ЮБИЛЕИ
ЕВГЕНИЙ ИНВИЕВИЧ ГИВАРГИЗОВ (к 70-летию со дня рождения)
1 августа 2004 г. доктору физико-математических наук, профессору Евгению Инвиевичу Ги-варгизову, одному из крупнейших специалистов в области роста полупроводниковых пленок и нитевидных кристаллов, исполнилось 70 лет.
Е.И. Гиваргизов родился 1 августа 1934 г. в селе Урмия Краснодарского края. Окончив с золотой медалью среднюю школу в г. Армавире, он поступил на Физический факультет МГУ, который окончил с отличием в 1958 г. С этого года по настоящее время вся жизнь Евгения Инвиевича связана с Институтом кристаллографии РАН.
Сначала он поступает в аспирантуру к доктору геолого-минералогических наук, профессору Н.Н. Шефталю и занимается изучением механизма роста полупроводниковых эпитаксиальных пленок из газовой фазы с участием химических реакций. Тогда это было новаторское направление, которое привело вскоре к мощному развитию микроэлектроники. Первая публикация на
эту тему принадлежала Н.Н. Шефталю (1957). А Е.И. Гиваргизов в 1965 г. защитил первую в нашей стране кандидатскую диссертацию на эту тему.
Сразу же после защиты Е.И. Гиваргизов берется за новую проблему - рост нитевидных кристаллов полупроводников. Эти исследования отличались как широтой охвата различных полупроводниковых материалов, так и глубиной в исследовании механизма роста, морфологии и реальной структуры нитевидных кристаллов. В докторской диссертации, защищенной в 1975 г. на эту тему, содержался, кроме того, очень важный технологический аспект. А именно, был разработан метод управляемого выращивания ориентированных регулярных систем нитевидных кристаллов полупроводников. Это была основа для использования в дальнейшем нитевидных кристаллов для различных практических применений.
В 1978 г. Е.И. Гиваргизов становится руководителем сектора кристаллизации из газовой фазы, а в 1982 сектор преобразуется в лабораторию, которую также возглавил Е.И. Гиваргизов.
Е.И. Гиваргизов, как всякий настоящий ученый - человек увлекающийся. Имея развитую технологию выращивания нитевидных кристаллов, а также методику изготовления из них ост-рий нанометрических размеров, не мог пройти мимо таких разделов физики, как автоэмиссия, автоэмиссионная и автоионная микроскопия. В Институте кристаллографии силами сотрудников лаборатории и СКБ была создана единственная в стране аппаратура для исследования полупроводников методами автоэлектронной и автоионной микроскопии и опубликованы первые результаты на эту тему.
А в 90-х гг. главное внимание было уделено исследованиям автоэмиссии с одно- и многоострий-ных кремниевых систем с целью проверить возможность использования таких систем в качестве источников света и автоэмиссионных дисплеев. Особое внимание в этой работе было уделено улучшению свойств (механических, термических, автоэмиссионных) кремниевых автокатодов при нанесении на острия алмазных покрытий (работа выполнялась совместно с лабораторией электронографии и лабораторией электронной микроскопии). Совместно с сотрудниками НИИЯФ МГУ (докторами физ.-мат. наук Е.С. Машковой и
ЕВГЕНИЙ ИНВИЕВИЧ ГИВАРГИЗОВ
969
В.А. Молчановым) был выполнен цикл работ по заострению алмазных покрытий на кремниевых остриях. Действительно, эти исследования показали существенное улучшение автоэмиссионных свойств кремниевых катодов при наличии алмазных покрытий, что позволило создать прототип автономного автоэмиссионного источника света.
Параллельно с исследованиями роста нитевидных кристаллов и их автоэмиссионных свойств в лаборатории успешно развивалось и другое направление - рост монокристаллических полупроводниковых пленок на неориентирующих подложках методом искусственной эпитаксии. Идея выращивания монокристаллических пленок на подложках с искусственным рельефом была предложена и подтверждена экспериментально H.H. Шефталем в 1972 г. Последующие исследования, выполненные в лаборатории под руководством Е.И. Гиваргизова, позволили впервые получить монокристаллические пленки кремния большой площади на неориентирующих подложках, что имеет большое значение для применения в микроэлектронике.
По инициативе Е.И. Гиваргизова совместно с сотрудниками лаборатории структуры белка впервые были получены монокристаллические пленки некоторых белков (каталазы, канавали-на, лизоцима) методом искусственной эпитаксии (1990). Это были в полном смысле революционные работы, которые в настоящее время получили развитие как часть космической программы, в которой принимает участие Институт кристаллографии.
В настоящее время в лаборатории под руководством Е.И. Гиваргизова развиваются работы по чрезвычайно актуальной теме как в смысле научного знания, так и в смысле приложений для микроэлектроники. Эти работы направлены на создание регулярных, ориентированных систем
кремниевых нанопроволок, которые бы обладали эффективной фото- и электролюминесценцией при комнатной температуре. Практическая важность таких систем для микроэлектроники -оптическая передача сигнала между электронными компонентами в интегральных схемах, что существенно увеличит быстродействие таких схем. Фактически это будет переход от классической микроэлектроники к оптоэлектронике. Во всем мире работы в этом направлении в настоящее время широко развиваются, однако подход к решению этой задачи в лаборатории вполне оригинален.
Е.И. Гиваргизов - автор более 250 научных статей и обзоров, а также четырех монографий по росту нитевидных кристаллов и искусственной эпитаксии (две из них написаны на английском языке по заказу иностранных издательств).
Е.И. Гиваргизов - член редколлегий международных журналов: Progress in Crystal and Characterization и Materials Innovations.
Е.И. Гиваргизов продолжил работу над выпуском сборников "Рост кристаллов" (Т. 11-Т. 22), первые 10 томов которого изданы под руководством Н.Н. Шефталя.
Евгений Инвиевич - это труженик, не боящийся сложностей, способный много и систематически работать и, что особенно важно, достигать в своей деятельности высоких результатов. Кроме того, он скромный, добрый и отзывчивый человек, готовый всегда помочь и сделать при этом не только все возможное, но и невозможное.
Редколлегия и редакция журнала "Кристаллография", коллеги и друзья поздравляют Евгения Инвиевича Гиваргизова с юбилеем, желают ему доброго здоровья и творческой активности на многие годы.
КРИСТАЛЛОГРАФИЯ том 49 < 5 2004
Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.