научная статья по теме ХАЧИК СААКОВИЧ БАГДАСАРОВ (К 75-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ) Химия

Текст научной статьи на тему «ХАЧИК СААКОВИЧ БАГДАСАРОВ (К 75-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ)»

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, 2004, том 49, № 4, с. 779-780

== ЮБИЛЕИ

ХАЧИК СААКОВИЧ БАГДАСАРОВ (К 75-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ)

21 мая 2004 г. академику Академии инженерных наук, члену-корреспонденту Российской академии наук, заслуженному деятелю науки и техники, дважды Лауреату Государственных премий Советского Союза и России, доктору физико-математических наук, профессору Хачику Саакови-чу Багдасарову исполнилось 75 лет.

Будучи учеником и последователем академика Алексея Васильевича Шубникова, Хачик Саако-вич Багдасаров следует традициям русской научной школы кристаллографов - тесному взаимодействию фундаментальных и прикладных исследований.

Научная деятельность Х.С. Багдасарова началась в аспирантуре Института кристаллографии, в которую он был зачислен 50 лет тому назад (в декабре 1953 года). Его аспирантская работа позволила установить природу воздействия ультразвука на кристаллизацию, разработать оригинальный метод выявления дислокаций в моно-

кристаллах и обнаружить эффект упрочнения монокристаллов цинка при выращивании их в ультразвуковом поле.

Научная работа Х.С. Багдасарова связана в основном с высокотемпературной кристаллизацией и созданием оригинальных методов выращивания технически ценных монокристаллов. При решении проблем высокотемпературной кристаллизации он в отличие от других исследователей основное внимание уделил высокотемпературным химическим процессам при плавлении и кристаллизации вещества. Такой подход позволил Хачику Сааковичу создать новый метод выращивания монокристаллов - метод Багдасарова, получивший широкое распространение во многих странах. Для реализации этого метода помимо новой технологии Х.С. Багдасаровым вместе с группой конструкторов разработана серия кристаллизационных установок, производство которых было внедрено в промышленность не только Российской Федерации, но и стран СНГ.

Х.С. Багдасаров внес крупный вклад в теорию синтеза высокосовершенных оптических монокристаллов. Совместно с академиком A.M. Прохоровым развиты идеи, которые позволили в кратчайшие сроки на кристаллах рубина получить стимулированное излучение в оптическом диапазоне. Решение этой проблемы имело принципиальный характер, поскольку над этой проблемой одновременно работали ученые нашей страны и США. Созданные оптические генераторы на рубине позволили решить важные задачи, среди которых: создание дальномеров для специальной техники, лазерная локация Луны, выполненная под руководством академика Н.Г. Басова. Значение локации Луны не только в том, что впервые удалось определить расстояние до естественного спутника Земли с дециметровой точностью, а в том, что была продемонстрирована исключительная перспективность оптической локации и связи. Под научным руководством Хачика Сааковича были решены и другие задачи лазерной техники: создание уникальных лазерных элементов на основе иттрий-алюминиевого граната и алюмината иттрия, активированных ионами неодима, иттрий-эрбий-алюминиевого граната и др. Именно благодаря этим разработкам в стране возникло промышленное производство лазерных кристаллов. Ряд стран (Япония, Франция, Швейцария, Корейская республика,

780

ХАЧИК СААКОВИЧ БАГДАСАРОВ (К 75-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ)

Болгария) приобрели лицензии и аппаратуру, созданную по методу Багдасарова.

Особый вклад Х.С. Багдасаров внес в решение проблемы синтеза высокосовершенных монокристаллов, за что получил Государственную премию в 1972 г. Были созданы кристаллы, обладающие рекордной добротностью в СВЧ-диапа-зоне. На основе исследования радиационной стойкости лейкосапфира была разработана оригинальная методика радиационного упрочнения монокристаллов.

Х.С. Багдасарова отличает яркий организаторский талант, умение найти и реализовать оригинальные технические решения. Он предложил использовать монокристаллы лейкосапфира для создания силовых систем, испытывающих экстремальные условия эксплуатации, в частности, перспективное значение имеет его предложение по созданию оптически прозрачного двигателя внутреннего сгорания. Он создал такой двигатель и доказал, что эта идея вполне реальна, особенно при разработке экологически чистых двигателей.

Х.С. Багдасаров принимал активное участие в организации крупных центров по выращиванию монокристаллов и выпуску кристаллизационных установок. Среди них следует выделить НПО "Лазерная техника" (Ереван), отделение технологических лазеров в МПО "Завод им. Владимира Ильича" (Москва), заводе "Люминофор" (Ставрополь), ВНИИмонокристаллов (Харьков), ВНИИЭТО (Москва), завод электротермического оборудования (Таганрог), на завод электронного машиностроения (Луганск, Украина). Созданная им в Институте кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова в 1964 г. лаборатория высокотемпературной кристаллизации превратилась в крупный отдел, решающий фундаментальные и прикладные задачи. Его организаторские способ-

ности особенно проявились в трудное для науки последнее десятилетие, когда он смог сохранить активно действующий коллектив.

За разработку мощных твердотельных технологических лазеров и их внедрение в промышленный процесс в 2000 г. Х.С. Багдасаров удостаивается Государственной премии России. В настоящее время он активно работает над созданием особо крупных тугоплавких монокристаллов. Анализ проведенных исследований и технических разработок представлен в недавно изданной им монографии: "Высокотемпературная кристаллизация из расплава".

Х.С. Багдасаров является членом редколлегии журнала "Кристаллография" и Председателем ГЭК № 2 Московского института стали и сплавов. Свыше 20 лет являлся экспертом ВАК по физике. Получено свыше 200 авторских свидетельств. В настоящее время в рамках Президентского гранта он возглавляет школу по росту кристаллов. Х.С. Багдасаров неоднократно награждался орденами и медалями страны.

В свое семидесятипятилетие Хачик Саакович по-прежнему активно работает над реализацией новых идей, получением новых монокристаллов и их практического использования. Подтверждением актуальности работ Х.С. Багдасарова является присужденная ему в 2003 г. Федоровская премия, а также постоянные предложения о совместной работе, поступающие от ряда исследовательских центров Франции, США, Китая, Израиля, Греции и др.

Сердечно поздравляя юбиляра, редколлегия журнала "Кристаллография", российские кристаллографы, его многочисленные ученики и коллеги желают ему крепкого здоровья, счастья и успехов в свершении творческих планов.

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ том 49 < 4 2004

Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.

Показать целиком

Пoхожие научные работыпо теме «Химия»