ВЕСТНИК РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК, 2011, том 81, № 5, с. 443-449
ИСТОРИЯ АКАДЕМИЧЕСКИХ УЧРЕЖДЕНИЙ
ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ЛАЗЕРНЫХ И ИНФОРМАЦИОННЫХ
ТЕХНОЛОГИЙ РАН
Лазерная технология в настоящее время стала одной из приоритетных технологий в обработке материалов и обработке информации, в опто-электронике, связи, биологии и медицине [1]. Эта высокая технология, наряду с информационными, определяет общий уровень технологического развития страны. Центром активных исследований в этой области в нашей стране является Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук (ИПЛИТ РАН). Институт создавался по инициативе академика Е.П. Велихова, при поддержке тогдашнего президента Академии наук академика А.П. Александрова и других ведущих учёных страны и был учреждён решением Президиума АН СССР от 21 июня 1979 г. Его первоначальное название — Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам (на правах института) — НИЦТЛ АН СССР.
Основная задача, стоявшая перед институтом, заключалась в проведении работ по созданию лазеров и лазерных технологий для народного хозяйства и определению областей их эффективного применения. Центр по технологическим лазерам создавался как учреждение нового типа, способное оперативно решать весь круг задач — от научной идеи до создания серийного оборудования и промышленных технологий. Его структура обеспечивала проведение фундаментальных исследований, выполнение научных и конструкторских разработок, изготовление макетов, экспериментальных установок, опытных и промышленных образцов. Это было особенно важно для преодоления межведомственной разобщённости при создании новой наукоёмкой продукции и внедрении её в практику. Кроме головных научных подразделений — отделов и лабораторий — институт включал в себя КБ, стендовую испытательную базу, опытное производство. Такая сквозная структура организации исследований и разработок в области высоких технологий позволила институту не просто пережить тяжёлые годы переходного периода в стране, а продолжать развиваться.
Со дня основания институт прошёл несколько периодов развития. Была начальная стадия формирования кадрового ядра и ведущих научных подразделений, создания и строительства собственной научно-исследовательской и производственной базы и комплекса зданий института, организации выпуска технологических лазерных
установок в кооперации с отечественными и зарубежными партнёрами. Сложным и богатым событиями оказался период изменений в жизни всей нашей страны и необходимой реорганизации структуры и принципов работы института. На нынешнем этапе становится явной правильность принятых в 1990-е годы руководством института и Российской академии наук организационных решений и выбора стратегических направлений деятельности.
В конце 1979 г. для только что образованного НИЦТЛ было выделено небольшое помещение в здании горисполкома г. Троицка Московской области, в котором размещались директор института Г.А. Абильсиитов, его заместители В.С. Голубев и С.Ф. Литвиненко и небольшое число сотрудников функциональных подразделений. В это же время стали создаваться первые научно-исследовательские отделы, руководили которыми на общественных началах крупные учёные в области лазерных технологий. Появились отдел лазерной атомно-молекулярной технологии под руководством В.С. Летохова (Институт спектроскопии АН), отдел термической лазерной технологии, возглавляемый А.Г. Григорьянцем (МВТУ им. Н.Э. Баумана), отдел газовых лазеров под руководством Ф.В. Лебедева (Филиал Института атомной энергии им. И.В. Курчатова). С 1980 г. начали развиваться исследования по лазерной атомно-молеку-лярной технологии. Тогда же на базе МВТУ в Москве был организован совместный научно-учебный центр лазерных технологий, в котором разместился отдел термической лазерной технологии НИЦТЛ, а также созданы совместные исследовательские коллективы в рамках базовых лабораторий института на ведущих заводах Москвы — ЗИЛ, "Салют", "Знамя труда". Одновременно в институте создаётся конструкторский отдел под началом Ю.А. Егорова, перешедшего с группой конструкторов из НПО "Красная Звезда" — они начали работу на арендуемых площадях в подмосковной Шатуре.
В том же 1980 г. Президиумом АН принято решение, согласованное с областными и районными властями, о строительстве комплекса основной научно-производственной базы НИЦТЛ в Шатуре. Проектные работы были выполнены в ГИПРОНИИ АН СССР под руководством А.С. Панфиля; строительство осуществлялось финляндской фирмой и было закончено в 1985 г.
Академик Е.П. Велихов и директор ИПЛИТ РАН В.Я. Панченко во время проведения международной конференции 1КЬА-95 в Шатуре
Получился красивый удобный малоэтажный функционально разделённый по блокам комплекс зданий, а не привычная многоэтажная коробка. Не зря коллектив авторов-архитекторов получил за этот проект Государственную премию.
В 1981 г. первыми штатными заведующими научно-исследовательскими отделами стали В.Н. Баграташвили, С.В. Майоров, П.Г. Леонов. В следующем году был создан отдел автоматизации и вычислительной техники под руководством В.Г. Гонтаря, в 1984 г. — отдел лазерной оптики под руководством В.П. Якунина, через год — теоретический отдел, который возглавил В.Я. Панченко, перешедший в НИЦТЛ из МГУ им. М.В. Ломоносова по приглашению вице-президента АН академика Е.П. Велихова. Таким образом, ядро коллектива научных работников и конструкторов-разработчиков составили находившиеся на пике своей творческой активности учёные и специалисты, прошедшие хорошую школу в первоклассных учебных, научных и технических центрах страны.
21 февраля 1986 г. — особая дата в истории НИЦТЛ. Это день официального открытия его экспериментальной, стендовой и опытно-промышленной базы в Шатуре. Представители различных ведомств и многочисленные гости увидели и высоко оценили результаты работы института.
К началу 1990-х годов институт уже прочно занял место одного из ведущих лазерных центров, где были созданы промышленные образцы технологических СО2-лазеров второго поколения с высокой мощностью излучения, разработаны несколько типов автоматизированных лазерных технологических комплексов, разработаны и внедрены десятки технологических процессов лазерной обработки материалов, выполнены фун-
даментальные исследования в области лазерной микротехнологии и биомедицины.
Наступившее затем время экономических реформ в стране болезненно отразилось на работе всех научных организаций. Нужно было по-новому строить работу института, менять приоритеты в тематике, учиться жить в рыночных условиях при недостатке бюджетного финансирования и при этом продолжать фундаментальные научные исследования. В 1992 г. Г.А. Абильсиитов оставил пост директора института в связи с переходом на должность министра науки Казахстана. Директором НИЦТЛ научный коллектив института избрал, а Президиум РАН утвердил профессора В.Я. Панченко (с 2008 г. — действительный член РАН). Именно он провёл необходимые реорганизации и сформировал нынешнее лицо института.
В 1998 г. НИЦТЛ был переименован в Институт проблем лазерных и информационных технологий, который сейчас входит в состав Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН. Институт расположен в Шатуре и имеет филиал в Троицке, его штат — около 240 сотрудников, среди них свыше 60 кандидатов и докторов наук. Особое внимание в тематике института уделяется новым разработкам лазеров для медицины, оптической элементной базы для суперкомпьютеров нового поколения, лазерных нанотех-нологий. ИПЛИТ РАН — один из ведущих отечественных институтов по разработке мощных технологических СО2-лазеров, а также технологий и оборудования на их основе.
Остановимся более подробно на главных направлениях деятельности института в историческом аспекте. Ведущим направлением в первое десятилетие его существования было создание технологических лазеров, лазерно-компьютер-ных систем и технологий обработки материалов. Без надёжных и стабильных источников мощного когерентного излучения никакие лазерные технологии и тем более их внедрение невозможны. Поэтому в качестве основной ставилась задача разработки и производства технологических С02-лазе-ров мощностью 0.5—15 кВт с высоким оптическим качеством излучения. Она была успешно решена.
Конечно, всё делалось не на пустом месте. В 1970-х годах уровень развития отечественной лазерной техники и научные достижения многих организаций в области взаимодействия лазерного излучения с веществом создали необходимые предпосылки для их практического использования в промышленности. В частности, успешная разработка и создание прототипов технологических СО2-лазеров высокой мощности в Филиале ИАЭ им. И.В. Курчатова (Троицк) и в НПО "Красная Звезда" (Протвино) явились основой ряда промышленных лазеров, созданных впоследствии в нашем институте. Так сложилось, что
в это время люди из разных организаций и ведомств плодотворно сотрудничали, работали сообща. Напомним, что часть высококвалифицированных (и в основном молодых, что немаловажно) сотрудников этих и ряда других организаций перешла на работу в новый институт и добилась больших результатов в создании мощных промышленных лазеров. Как бы сейчас сказали, это были "креативные" личности. Назовём некоторых из них: Ф.В. Лебедев, Ю.А. Егоров, А.И. Бондарен-ко, В.В. Сумерин, В.Г. Низьев, А.М. Забелин, П.Г.Леонов, О.А. Куприн, В.В. Дембовецкий, Ю.Н. Завалов. В этих воспоминаниях мы не указываем учёных званий имярек: некоторые их уже имели, но в основном люди росли, получали учёные степени, становились лауреатами научных премий, уже работая в институте и за работы, сделанные в его стенах.
Отметим один интересный момент. Лазер — это только источник хорошего излучения, только часть некой системы, которую мы назвали автоматизированным лазерным технологическим комплексом (АЛТК). Во главе разработки таких комплексов стояли технологи (отдел термической лазерной технологии). Логика здесь очень простая: именно пользователи техники — разработчики лазерных технологий обработки материалов — могут квалифицированно сформулировать требования к такому сложному оборудов
Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.