научный журнал по химии Кристаллография ISSN: 0023-4761

САРАФАНОВ Г.Ф. — 2004 г.

Рассматриваются механизмы пространственного упорядочивания дислокаций при пластической деформации кристаллов. Предлагается последовательный вывод системы эволюционных уравнений, учитывающей эффекты упругого и корреляционного взаимодействия винтовых дислокаций. Исследование проводится при учете динамики пространственных флуктуаций плотности дислокаций.

КАРАЧИНОВ В.А. — 2004 г.

Экспериментальными методами изучена дефектная структура нарушенного слоя, образующегося в процессе эрозионной резки объемных кристаллов карбида кремния. Обнаруженные особенности обсуждаются с позиций взаимодействия эрозионного фронта с дефектами роста и электрического частичного объемного пробоя SiC.

ЗАМКОВА Н.Г., ЗИНЕНКО В.И. — 2004 г.

Приводятся результаты вычисления критических температур и термодинамических свойств при фазовом переходе O 7 h → O 5 4h типа смещения в кристаллах семейства эльпасолита Rb 2KBF 6 (B = Sc, In, Lu) и при последовательных фазовых переходах D 4 6h → D 16 2h → I → C 5 2h (I - несоразмерная фаза) в кристаллах семейства селената калия. Вычисления проведены методом эффективного гамильтониана, параметры которого для кристаллов семейства эльпасолита определены из неэмпирического расчета, а для кристаллов семейства селената калия - с использованием небольшого числа подгоночных параметров.

БАХОЛДИН С.И., КУАНДЫКОВ Л.Л. — 2004 г.

Форма кристалла была впервые рассмотрена как реальный фактор контроля термоупругих напряжений в процессе выращивания кристаллов. Путем численного моделирования установлено, что, варьируя профиль кристалла в процессе роста, можно перераспределять термоупругие напряжения. Таким образом возможно получить большие малонапряженные области в кристалле за счет локальных напряженных областей. В качестве примера приведена модель сапфировой ленты (50 х 175 мм), разделенной перетяжками на три пластины (50 х 50 мм). Рассмотрены различные кристаллографические ориентации и системы скольжения.

СОРОКИНА К.Л., ТОЛСТИХИНА А.Л. — 2004 г.

Зондовая силовая микроскопия становится все более популярной методикой изучения поверхности конденсированных сред и стандартным средством контроля растущих кристаллов и пленок, входящим в оснащение технологических установок. Возможности по регистрации различных характеристик объектов непрерывно расширяются благодаря новым вариантам метода. Важная роль среди последних принадлежит “электрической” силовой микроскопии, различные способы реализации которой рассмотрены в настоящей статье как в методическом плане, так и в плане сферы ее применения и конкретных результатов, получаемых с ее помощью.

АНТИПИН М.Ю., АНТОНОВСКИЙ В.Л., КОСНИКОВ А.Ю., ХРУСТАЛЕВ В.Н. — 2004 г.

Методом рентгеноструктурного анализа изучено строение двух алкилгидро- и двух диалкилдипероксидов - 2,5-диметил-2,5-дигидропероксигексана (1), 2,5-диметил-2,5-дигидропероксигекс-3-ина (2), 2,5-диметил-2,5-ди(трет.-бутилперокси)гексана (3) и 1,4-бис(2-(2-трет.-бутилперокси)пропил)бензола (4). Проведено сравнение структур 1-4 со структурами исследованных ранее алкилгидро- и диалкилпероксидов и их S-, Se-, Te-аналогов - бис(алкил)дисульфидов, диселенидов и дителлуридов. Проанализированы факторы, определяющие строение соединений данного типа. Отмечены их структурные особенности.

КИ ШЕН, ТАЙКИ ЛЮ, ФУЧЕН ДИН, ЦЗИНЛИ ЛИ — 2004 г.

Смешаннолигандный комплекс [Cp 2(MeCp)(TГФ)Sm] (I) синтезирован взаимодействием Cp 2SmCl с MeCpNa в ТГФ. Проведен элементный анализ, изучены ИК- и масс-спектры, определена кристаллическая структура I. Кристаллы моноклинные, а = 12.791(3), b = 10.467(2), c = 26.108(5) Å, β = = 98.22(2)°, пр. гр. Cc, R = 0.0381 для 2103 наблюдаемых отражений с I ≥ 3σ(I). В структуре имеется два независимых близких по строению комплекса.

ЕГОРОВ М.С., СЕЛИВАНОВ С.И., СЕЛИВАНОВ С.С., СТАРОВА Г.Л., ШАВВА А.Г. — 2004 г.

Методом рентгеноструктурного анализа определены молекулярные структуры 17аβ-ацетокси-3-метокси-6-окса-D-гомо-8-изоэстра-1,3,5(10)-триена (I) и 17аβ-ацетокси-4-метил-3-метокси-6-окса-D-гомо-8-изоэстра-1,3,5(10)-триена(II). Наличие метильной группы при C(4) у второго соединения приводит к небольшому изменению конформации углеродного скелета этой молекулы и ориентации метоксильной группы относительно связи C(2)-C(3).

ПЛАКИДА Н.М., ШАХМАТОВ В.С. — 2004 г.

Показано, что мягкая мода суперионного фазового перехода в кристаллах типа CsHSO 4 связана с ориентационным упорядочением тетраэдров SO 4 и пространственным упорядочением ионов водорода. При фазовом переходе дополнительно происходят деформации тетраэдров SO 4 и небольшие повороты тетраэдров как целого. Указан конкретный ориентационный базис суперионного фазового перехода. Предложены эксперименты по проверке теоретических предсказаний.

ГАБ А.И., МАЛЫШЕВ В.В. — 2004 г.

Методом электроосаждения изучены начальные стадии зарождения кристаллов Mo 2C и W 2C в вольфраматно-молибдатных-карбонатных расплавах определенного состава на подложках Ag, Au, Cu, Pt, Ni в зависимости от условий электрокристаллизации: температуры, продолжительности осаждения, начального импульса тока и плотности тока.

ВРАТИСЛАВ С., ДЛОУГА М., КИЧАНОВ С.Е., КОЗЛЕНКО Д.П., МАРТИНЕЗ-САРРИОН М.Л., МЕСТРЕС Л., НАТКАНЕЦ И., САВЕНКО Б.Н., СМИРНОВ Л.С., ХЕРРАИЗ М., ШУВАЛОВ Л.А. — 2004 г.

Исследование структурных и динамических свойств х-T-фазовой диаграммы системы смешанных кристаллов Rb 1 _ x(NH 4) xI представляет интерес, потому что такие твердые растворы почти свободны от внутренних напряжений в результате почти равных ионных радиусов ионов аммония и рубидия. х-T-фазовая диаграмма Rb 1 _ x(NH 4) xI изучается с использованием образцов с концентрацией аммония x от 0.01 до 0.73 в широком интервале температуры от 15 до 300 К с помощью нейтронной порошковой дифракции и неупругого некогерентного рассеяния нейтронов. Результаты исследования с помощью порошковой дифракции показывают, что при низкой температуре фазовый переход из α - в β-фазу растянут и наблюдается при концентрациях аммония x = 0.50 и 0.66. С помощью неупругого некогерентного рассеяния нейтронов область состояния ориентационного стекла определена при концентрации x = 0.29 и 0.40 и при Т = 20 К.

ЗУБ Е.М., КИРПИЧНИКОВА Л.Ф., ШЕЛЕГ А.У., ЯЧКОВСКИЙ А.Я. — 2004 г.

Методом изотермического испарения из насыщенных водных растворов, содержащих хлорид диметиламина [(CH 3) 2NH 2]Cl и хлорид кадмия CdCl 2 ∙ 2.5H 2O, выращены кристаллы [(CH 3) 2NH 2] 5Cd 3Cl 11. Проведены рентгенографические исследования полученных кристаллов и установлено, что они принадлежат к ромбической сингонии с параметрами элементарной ячейки при комнатной температуре a = 18.115 ± 0.004, b = 11.432 ± 0.002, c = l5.821 ± 0.003 Å. Проведены измерения параметров элементарной ячейки a, b и c кристалла [(CH 3) 2NH 2]5Cd 3Cl 11 в зависимости от температуры в интервале 100-320 К. Из полученных данных определены коэффициенты теплового расширения вдоль основных кристаллографических осей. На кривых температурных зависимостей параметров элементарной ячейки и коэффициентов теплового расширения в области температур Т 1 = 120, Т 2 = 150 и Т 3 = 180 К, соответствующих фазовым переходам в кристалле [(CH 3) 2NH 2] 5Cd 3Cl 11, наблюдаются аномалии. Обнаружена значительная анизотропия теплового расширения в исследованном кристалле.

БУЧИНСКАЯ И.И., ФЕДОРОВ П.П. — 2004 г.

Из расплава по методу Бриджмена-Стокбаргера впервые выращены монокристаллы твердого раствора Cd 0.75Sr 0.25F 2 с флюоритовой структурой, отвечающие конгруэнтно-плавящемуся составу точки минимума на фазовой диаграмме. Максимальный диаметр 50 мм, высота 30 мм. Микротвердость по Виккерсу полученных кристаллов 191 ± 43 кг/мм 2. Граница пропускания в ИК-области ~10 мкм.

БЕЛОКОНЕВА Е.Л., ДИМИТРОВА О.В., ИВАНОВА А.Г., КУРАЖКОВСКАЯ В.С., СТЕФАНОВИЧ С.Ю. — 2004 г.

В гидротермальных условиях получены кристаллы новых редкоземельных боратов Ln[В 6O 9(OН) 3] (Sm - Lu), пр. гр. R3c. Кристаллические структуры определены без предварительного знания химической формулы на монокристаллах с Ln = Ho, Gd. Полярный анионный каркас из ВO 3-треугольников и ВO 4-тетраэдров имеет широкие сквозные каналы одного направления вдоль тройной оси структуры, подобные каналам в трех направлениях по осям a, b, с в проводнике по литию кубическом бораците Li 4[B 7O 12]Cl. Редкоземельные элементы расположены по закону кубической псевдо-F-решетки, в то время как в тех же позициях в Li-борацитах находятся анионы Cl. Квадратичная оптическая нелинейность кристаллов сравнима с нелинейностью кварца, их электропроводность при 300°С превышает 10 -6 См/см.

БЕСКРОВНЫЙ А.И., ЖАРИНОВА М.В., КОРЫТЦЕВА А.К., КУРАЖКОВСКАЯ В.С., ЛИПАТОВА Е.В., ОРЛОВА А.И., ТРУБАЧ И.Г. — 2004 г.

Получен и исследован методами РФА, электронного микрозондового анализа, ИК-спектроскопии и порошковой нейтронографии новый фосфат железа ниобия Fe 0.5Nb 1.5(PO 4) 3. По данным порошковой рентгенографии установлено, что синтезированный фосфат кристаллизуется в пр.гр. R3 c и относится к структурному типу натрий цирконий фосфата NaZr 2(PО 4) 3. Структура уточнена методом Ритвельда на основе эксперимента, проведенного методом нейтронной дифракции порошкового образца. Полученный фосфат является представителем класса сложных ортофосфатов ниобия и обладает структурой каркасного типа с нулевым зарядом каркаса.

КАНИЩЕВ В.Н. — 2004 г.

Вариационный метод применен к исследованию роста кристалла из расплава в условиях, когда граница жидкой и твердой фаз может иметь ячеистую структуру. Учтена поверхностная энергия межфазной границы.

БУРХАНОВ А.И., ВОРОТИЛОВ К.А., ЛАЛЕТИН Р.А., СИГОВ А.С., ШИЛЬНИКОВ А.В. — 2004 г.

На основе исследований низко- и инфранизкочастотных диэлектрических свойств тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца, проведенных в широких интервалах температур и амплитуд измерительного поля, сделан вывод о существенном вкладе доменных границ в диэлектрический отклик данных объектов. Приводится уточненная классификация точечных дефектов, взаимодействующих с доменными границами.

БАБКИН Д.Н., МЕНЬШИКОВ В.И., ПАРХОМЕНКО И.Ю., ТАУСОН В.Л. — 2004 г.

При повышенных температурах и давлениях в гидротермальных условиях в сульфидах железа и свинца образуются устойчивые формы Cd и Hg. Механизмы их образования различны. Наиболее общим является поглощение элемента в виде структурной формы вследствие изоморфного обмена. Данные по Cd в пирротине показывают, что дефекты структуры сильно влияют на вхождение примеси. В их отсутствие элемент накапливается на поверхности, в присутствии - поглощается объемом кристалла в форме структурной примеси. Наряду с этим при повышенных параметрах образуются собственные фазовые формы элементов (поверхностные неавтономные фазы). Они появляются не только при концентрациях вблизи насыщения кристалла примесным элементом (Cd в Fe 1.0S), но и в условиях недосыщения, за счет взаимодействия элемента с окисленной поверхностью минерала (поглощение Cd галенитом с образованием сульфатной или сульфат-хлоридной поверхностной фазы). Важным механизмом поглощения микроэлементов сульфидами в гидротермальных условиях роста кристаллов является внешняя и внутренняя адсорбция на дефектах. Она проявляется в повышенном содержании сорбционной формы Hg в галените при высокой активности S за счет взаимодействия Hg с вакансиями Pb, а также появлении в аналогичных условиях дислокационной формы Cd, вызывающей увеличение коэффициента его распределения в системе кристалл/раствор.

АФОНИКОВА Н.С., ДУБОВИЦКИЙ А.В., СЕДЫХ В.Д., СМИРНОВА И.С., ШЕХТМАН В.Ш., ШМЫТЬКО И.М. — 2004 г.

Рассмотрены особенности структурных превращений в манганате лантана и ниобата лития на основе принципа сохранения макросимметрии, обсуждаемого в работах Л.А. Шувалова. Предложены возможные механизмы фазовых превращений, исходя из последовательности, базирующейся на возвращении к виртуальной конфигурации кубического перовскита с удвоенным периодом. Для манганата описывается принципиальная схема взаимной перестройки двух орторомбических модификаций. Для ниобата лития аналогичная схема используется для трактовки механического двойникования в режиме взаимной перестройки трансформационных доменов.

ВЕРГАСОВ В.Л., НИКОЛАЕВА С.В. — 2004 г.

На примере ‹111›-Si при E = 100 кэВ на толщинах 200 < z < 250 Å выявлена область глобального минимума фактора расходимости, значение которого позволяет проводить структурный анализ для динамически рассеивающего образца в рамках кинематической теории дифракции. Установлено, что возникновение такой области обусловлено небольшим числом сильнозаселенных блоховских состояний. Введены понятия прямой и обратной квазикинематической теории дифракции. Показана возможность целенаправленного введения исследуемого кристалла в область квазикинематической дифракции путем варьирования ускоряющего пучок напряжения; указаны критерии такого введения.