научный журнал по физике Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики" ISSN: 0370-274X

MATVEEV D.V., OBOZNOV V.A., PROKOFIEV A.S., ROSSOLENKO A.N., RUSANOV A. YU., VESHCHUNOV I.S., VINNIKOV L. YA. — 2008 г.

We report on the first experimental visualization of domain structure in films of weakly ferromagnetic Cuo.47Nio.53 alloy with different thickness at liquid helium temperatures. Improved high-resolution Bitter decoration technique was used to map the magnetic contrast on the surface of the films well below the Curie temperature TCurie (~60K). In contrast to magnetic force microscopy, this technique allowed visualization of the domain structure without its disturbance while the larger areas of the sample were probed. Maze-like domain patterns, typical for perpendicular magnetic anisotropy, were observed. The average domain width was found to be about 100 nm.

MORADI A. — 2008 г.

Plasma waves which propagate in a pair of parallel metallic carbon nanotubes are studied within the framework of the classical electrodynamics. Electronic excitations over the each nanotube surface are modeled by an infinitesimally thin layer of free-electron gas which is described by means of the linearized hydrodynamic theory. An explicit form of plasmons dispersion in terms of interaction between the bare plasmon modes of the individual surfaces of the nanotubes is presented in this Letter.

BARANOV S.P., ZOTOV N.P. — 2008 г.

In the framework of the kt-factorization approach, the production and polarization of ϒ mesons at the Fermilab Tevatron is considered, and a comparision of the calculated double differential distributions and spin alignment parameter a with the D0 experimental data is shown. We argue that measuring the double differential cross section and the polarization of upsilonium states can serve as a crucial test discriminating two competing theoretical approaches to the parton dynamics in QCD.

BOBKOV A.M., BOBKOVA I.V. — 2008 г.

We theoretically investigate an opportunity to implement a source of highly spin-polarized ac current on the basis of superconductor/weak ferromagnet/superconductor (SFS) voltage-biased junction in the regime of essential proximity effect and calculate the current flowing through the probe electrode tunnel coupled to the ferromagnetic interlayer region. It is shown that while the polarization of the dc current component is generally small in case of weak exchange field of the ferromagnet, there is an ac component of the current in the system. This ac current is highly spin-polarized and entirely originated from the non-equilibrium proximity effect in the interlayer. The frequency of the current is controlled by the voltage applied to SFS junction. We discuss a possibility to obtain a source of coherent ac currents with a certain phase shift between them by tunnel coupling two probe electrodes at different locations of the interlayer region.

FEIGEL'MAN M.V., SKVORTSOV M.A., TIKHONOV K.S. — 2008 г.

We propose a way of making graphene superconductive by putting on it small superconductive islands which cover a tiny fraction of graphene area. We show that the critical temperature, Tc, can reach several Kelvins at the experimentally accessible range of parameters. At low temperatures, T≪Tc and zero magnetic field, the density of states is characterized by a small gap Eg ≤ Tc resulting from the collective proximity effect. Transverse magnetic field Hg (T) Eg is expected to destroy the spectral gap driving graphene layer to a kind of a superconductive glass state. Melting of the glass state into a metal occurs at a higher field Hg2(T).

LYUBINSKIY I.S. — 2008 г.

Spin relaxation in the impurity band of a 2D semiconductor with spin-split spectrum and hyperfine interaction in the external magnetic field is considered. Two contributions to the spin relaxation are shown to be relevant: the one given by optimal impurity configurations with the hop-waiting time inversely proportional to the external magnetic field and another one related to electron motion over large distances. The average spin relaxation rate is calculated.

ALBERGHI G.L., KAMENSHCHIK A. YU., TRONCONI A., VENTURI G., VАCCА G.P. — 2008 г.

2008

ДРЕМОВ В.В., РЕХВИАШВИЛИ С.Ш., РОЗЕНБЕРГ В.А. — 2008 г.

При работе атомно-силового микроскопа в атмосферных условиях между зондом и образцом всегда имеется адсорбированная пленка влаги. Получено новое выражение для капиллярной силы, возникающей между зондом атомно-силового микроскопа и тонкой жидкой пленкой, с учетом размерной зависимости поверхностного натяжения жидкости, отвечающей точному решению уравнения Гиббса-Толмена-Кенига-Баффа. Проведенные расчеты удовлетворительно согласуются с экспериментальными результатами.

АДИЩЕВ С.В., ДУДА Т.А., МИЛЁХИН А.Г., СВЕШНИКОВА Л.Л., СУРОВЦЕВ Н.В., ЦАН Д.Р.Т. — 2008 г.

Исследовано комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками CdS, сформированными с помощью технологии Ленгмюра-Блоджетт. В спектрах комбинационного рассеяния как свободностоящих квантовых точек CdS, так и распределенных в органической матрице, обнаружены особенности, обусловленные продольными оптическими фононами квантовых точек. Экспериментально обнаружено гигантское комбинационное рассеяние света наноструктурами с квантовыми точками CdS, покрытыми пленкой кластеров серебра. При нанесении кластеров серебра на поверхность наноструктур наблюдается резкое усиление интенсивности комбинационного рассеяния оптическими фононами в квантовых точках (в сорок раз). Показано, что зависимость гигантского комбинационного рассеяния света от энергии возбуждения имеет резонансный характер с максимумом при значении энергии, соответствующем максимальному значению коэффициента поглощения кластеров Ag.

МАЛАШКЕВИЧ Г.Е., ПЕРШУКЕВИЧ П.П., ПРУСОВА И.В., СЕМКОВА Г.И., СЕМЧЕНКО А.В. — 2008 г.

Путем прямого перехода "золь-гель-стекло" синтезированы прозрачные кварцевые стекла, легированные на стадии золя термостойкими люминесцирующими наночастицами с ионами Сr3+ в "сильном" октаэдрическом кристаллическом поле. Проведено их электронно-микроскопическое и спектрально-люминесцентное исследование. Установлено, что введенные в такие стекла наночастицы подвержены изотропному сжатию матрицей, а также незначительному, благодаря отсутствию стадии расплава, растворению, при котором формируются оптические центры Сrn+, где n = 3-6.

ЗАЙЦЕВ Р.О. — 2008 г.

Изучаются свойства электронной системы с предельно сильным электрон-электронным взаимодействием. Получено кинетическое уравнение в представлении Келдыша-Миллса. В интеграле столкновений обнаружено новое слагаемое, обусловленное релаксацией концевых множителей, которое обращается в нуль в низкотемпературном пределе по закону Т2/|t|, где |t| - величина порядка интеграла перескока к ближайшим соседям, Т - температура. Вычислена скорость звука и произведена оценка температурной зависимости кинетических коэффициентов.

ГЛУШКОВ В.В., ДЕМИШЕВ С.В., СЕМЕНO А.В., СЛУЧАНКО H.Е. — 2008 г.

ЗАЙЦЕВ С.В., ИВАНОВ С.В., СЕДОВА И.В., СОРОКИН С.В. — 2008 г.

Детально изучена магнитооптика в полумагнитных гетероструктурах с квантовыми ямами (КЯ) (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe. Для КЯ, содержащих Мn, наблюдается обычный эффект гигантского спинового расщепления: полная круговая поляризация в магнитных полях В > 0.5 Тл, огромный рост интенсивности, связанный с подавлением Оже-рекомбинации на ионах Мп, и сильный красный сдвиг σ+-поляризованной компоненты. Напротив, структуры с немагнитными КЯ и удаленными полумагнитными слоями ZnMnTe демонстрируют противоположное поведение. Необычное поведение связывается с сильной чувствительностью энергии связи экситона к изменению потенциала валентной зоны в структурах с малым разрывом зон, что подтверждается расчетами и позволяет оценить величину химического разрыва зон -80±20 мэВ в системе ZnTe/CdTe, близкую к данным по фотоэмиссии (Phys. Rev. Lett. 58, 1127 (1987)).

ГУЩИН M.Е., КОРОБКОВ С.В., КОСТРОВ А.В., СТРИКОВСКИЙ А.В. — 2008 г.

Экспериментально исследована параметрическая генерация низкочастотных свистовых волн пучком накачки, состоящим из высокочастотных свистовых волн с близкими частотами. Изучены электромагнитные поля, возбуждаемые биениями двух высокочастотных волн, попутных или встречных, а также амплитудно-модулированной накачкой. Показано, что нелинейные токи на частоте биений (модуляции) возникают из-за поперечной пондеромоторной силы, которая обусловлена конечной шириной высокочастотного пучка. При этом нелинейные дрейфовые токи охватывают пучок накачки по азимуту и могут излучать низкочастотные свистовые волны в окружающую плазму.

АЛЕШКИН В.Я., АНТОНОВ А.А., ГАПОНОВ С.В., ДУБИНОВ А.А., КРАСИЛЬНИК З.Ф., КУДРЯВЦЕВ К.Е., СПИВАКОВ А.Г., ЯБЛОНСКИЙ А.Н. — 2008 г.

На основе генерации разностной частоты в кристалле GaP создан перестраиваемый источник излучения терагерцового диапазона (1-4 ТГц) с шириной линии 12 ГГц. В качестве накачки было использовано излучение импульсного лазера Nd:YAG, генерирующего излучение с длиной волны 1064 нм, и перестраиваемого параметрического генератора света. Излучение генерировалось импульсами с длительностью 10 нс с частотой повторения 10 Гц. Мощность излучения в импульсе была около 15 мВт.

2008

POШ Ж.Л., БЕЛОВ А.С., КОМРАКОВ Г.П., МАРКОВ Г.А., МИШИН Е.В., ПАРРО М., РАПОПОРТ В.О., ФРОЛОВ В.Л. — 2008 г.

Приводятся результаты измерений характеристик плазменных возмущений на высотах 660 и 840 км, выполненных с помощью бортовой аппаратуры французского искусственного спутника Земли DEMETER и американских спутников серии DMSP при их пролете через магнитную силовую трубку, опирающуюся на область интенсивного воздействия мощным KB радиоизлучением нагревного стенда Сура на F2-слой ионосферы. Экспериментально обнаружено создание искусственных дактов с повышенной плотностью плазмы во внешней ионосфере, измерены характеристики дактов и определены условия их формирования.

МУРЗИН С.С. — 2008 г.

Произведено сравнение с предсказанием теорий [1, 2] имеющихся в литературе экспериментальных данных для диагонального удельного сопротивления (рхх) гетероструктур GaAs/AlGaAs в магнитном поле при факторе заполнения v = 1/2. Обнаружено, что экспериментальные результаты не согласуются с этим предсказанием. Найдено, что рхх(1/2) ? п-2d-1.64.

ГОАРАН М., ДАНИЛОВА Н.П., КАЗЕЙ З.А., КАМЕНЕВА М.Ю., КОЗЕЕВА Л.П., СНЕГИРЕВ В.В. — 2008 г.

Обнаружено резонансное поглощение микроволнового излучения на длинах волн 871, 406, 305 и 118мкм тетрагональных слоистых перовскитов НоВа2Сu3Оx, (х ≈ 6.0, 6.3) в импульсных магнитных полях до 40 Тл, обусловленное электронными переходами между низко лежащими уровнями иона Но3+ в кристаллическом поле. Для кристалла с x ≈ 6.0 в магнитном поле вдоль тетрагональной оси положения и интенсивности основных резонансных линий поглощения адекватно описываются в рамках тетрагонального кристаллического поля с известными параметрами взаимодействия. Для объяснения более слабых линий поглощения необходимо учитывать влияние неоднородных орторомбических и моноклинных компонент кристаллического поля, обусловленных беспорядком в кислородной подсистеме. Это влияние сильнее проявляется на спектрах поглощения кристалла с х = 6.3, для которого кислородный беспорядок более выражен