МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, 2013, том 42, № 4, с. 243-245
ПЕРСОНАЛИИ
К 75-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ И 50-ЛЕТИЮ НАУЧНОЙ, НАУЧНО-ОРГАНИЗАЦИОННОЙ И ПЕДАГОГИЧЕСКОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ
АКАДЕМИКА РОССИЙСКОЙ АН ОРЛИКОВСКОГО АЛЕКСАНДРА АЛЕКСАНДРОВИЧА
БО1: 10.7868/80544126913040091
Орликовский Александр Александрович родился 12 июня 1938 г., выпускник Московского инженерно-физического института, доктор технических наук (1982 г.), профессор (1984 г.). С 1961 по 1963 годы работал в Союзном научно-исследовательском институте приборостроения. В 1963—1966 гг. обучался в аспирантуре Московского института электронного машиностроения. Работал над диссертацией в НИИ "Пульсар". После защиты кандидатской диссертации работал старшим преподавателем, доцентом Московского института электронной техники. С 1981 г. работал старшим научным сотрудником сектора микроэлектроники Физического инсти-
тута им. П.Н. Лебедева АН СССР, с 1985 г. — заведующим лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов Института общей физики АН, а с 1988 г. — Физико-технологического института, с 2001 г. — заместителем директора по научной работе, а с 2005 года — директором Физико-технологического института Российской АН. В 2000 году был избран членом-корреспондентом Российской АН, а в 2006 году — академиком Российской АН.
Академик А.А. Орликовский является одним из ведущих ученых нашей страны в области физики и технологии элементной базы микро- и наноэлек-троники. В 60-е и 70-е годы внес значительный
вклад в разработку физических и схемотехнических принципов создания полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области. Результаты работ внедрены в промышленных разработках сверхскоростных БИС оперативной памяти (НИИМЭ и завод "Микрон"), получивших применение в отечественной электронной аппаратуре специального назначения.
С 1981 года главным направлением его исследований являются физические основы процессов субмикронной технологии кремниевых СБИС, создание новых технологий и технологического оборудования для передовых производств СБИС.
Орликовский А.А. один из основоположников развития научных исследований в этой области. Под его непосредственным руководством исследовано фазообразование силицидов титана и кобальта на кремнии, впервые изучено влияние кислорода на кинетику образования пленок силицидов, создана оригинальная технология самосовмещенного процесса силидизации контактов транзисторов в СБИС.
В области молекулярно-пучковой эпитаксии выполнен цикл исследований эпитаксии арсени-да галлия на кремнии (с замыслом создания оптических связей на кремниевых кристаллах). Создана технология тонких (100 нм) буферных слоев арсенида галлия на кремнии с низкой плотностью дислокаций.
В области плазмохимических процессов впервые изучена кинетика травления электронного резиста в низкотемпературной плазме, изучен эффект деактивации акцепторов и образования электрически активных дефектов в кремнии в результате плазмохимического травления. Создана технология глубокого анизотропного травления с ингибитором (бромом) глубоких "тренчей" с вертикальными стенками в кремнии, впервые дано теоретическое описание апертурного эффекта. Новые оригинальные результаты получены в области мониторинга плазмохимических процессов. С использованием эмиссионной спектроскопии, спектральной эллипсометрии, зондов Ленгмюра и др. созданы методы мониторинга плазменных технологических процессов и высокочувствительные детекторы моментов окончания процессов; разработан томограф низкотемпературной плазмы для контроля 2D-распределений концентраций радикалов и ионов в плазме.
Созданы новые конструкции широкоапер-турных источников плотной плазмы и затем полностью автоматизированные плазмохими-ческие установки травления, осаждения и плаз-мо-иммерсионной ионной имплантации на их
основе. Образцы этих установок изготовлены для ряда отечественных институтов.
В области технологии нанотранзисторов с длиной канала порядка 10 нм разработаны процессы сверхмелкого легирования (<10 нм), нанесения сверхтонких подзатворных диэлектриков с высоким □, металлических затворов, контактных и барьерных слоев для создания ультрабольших интегральных схем новых поколений. А.А. Орликовский большое внимание уделяет моделированию перспективных приборов микро- и наноэлектроники. Под его руководством разработаны квантовая модель и устойчивая программа расчета ВАХ полевых нанотранзисторов в ультратонком (2—5 нм) слое кремния на изоляторе, выполнен расчет спектральной плотности шума полевого нанотранзистора, работающего в квантовом режиме, при произвольной температуре, построена модель и рассчитаны вольтамперные характеристики полевого транзистора с графеновым (в том числе, двухслойным графеновым) каналом, предложены оригинальные конструкции туннельного транзистора с графеновым каналом и туннельного транзистора с барьерами Шоттки для СБИС с ультранизкой потребляемой мощностью.
А.А. Орликовский ведет активную научную и научно-организационную работу по развитию работ в институте в области физики и технологии твердотельных квантовых компьютеров. Им совместно с сотрудниками предложены перспективные конструкции твердотельных квантовых регистров.
Александр Александрович автор более 350 научных работ, монографий и учебных пособий, патентов на изобретения. Среди его учеников доктора и кандидаты наук, в том числе, руководители микроэлектронных производств.
Орликовский А.А. имеет 50-летний стаж преподавательской деятельности. В настоящее время является заведующим базовых кафедр физических и технологических проблем микроэлектроники МФТИ на базе Физико-технологического института Российской АН и кафедры нанотехно-логий в электронике Ярославского Государственного Университета им. П.Г. Демидова на базе Ярославского Филиала Физико-технологического института. При ЯрГУ и Яф ФТИАН под научным руководством А.А. Орликовского создан Научно-образовательный центр нанотехнологий и инноваций и прекрасно оснащенный Центр коллективного пользования "Диагностика микро- и наноструктур". По существу, А. А. Орликовским совместно с академиком К.А. Валиевым создана
научная школа по направлению "Физика и технология элементной базы кремниевой микро- и на-ноэлектроники и твердотельных квантовых компьютеров". Талантливый организатор науки, он как человек, ученый и гражданин обладает даром увлекать людей во имя высоких целей, создавать благоприятную творческую обстановку. Он — бессменный председатель оргкомитета международной конференции "Микро- и наноэлектроника" (ICMNE), проходящей один раз в два года при широком участии отечественных и зарубежных ученых, член Азиатско-тихоокеанской академии
наук о материалах, главный редактор журнала "Микроэлектроника", председатель Научного совета "Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем" и член бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской АН, председатель специализированного совета по защитам диссертаций. А.А. Орликовский — лауреат премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С.А. Лебедева РАН. Награжден медалью 850-летия г. Москвы и орденом Дружбы.
Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.