РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА, 2004, том 49, № 4, с. 508-509
== ХРОНИКА =
К 75-ЛЕТИЮ ВИТАЛИЯ ИВАНОВИЧА СТАФЕЕВА
1 января 2004 года исполнилось 75 лет со дня рождения Виталия Ивановича Стафеева, профессора, доктора физико-математических наук, заслуженного деятеля науки и техники России, действительного члена Академии технологических наук РФ и Международного оптического общества (SPIE).
В.И. Стафеев - выдающийся ученый в области физики полупроводниковых приборов, сенсоров, микро- и фотоэлектроники, автор более 600 научных работ, в том числе 12 монографий и 90 изобретений, лауреат двух Государственных премий СССР и Государственной премии Российской Федерации.
С 1952 года после окончания физико-математического факультета университета в г. Алма-Ата В.И. Стафеев работал в Физико-техническом институте АН СССР, был профессором Ленинградского политехнического института. В 1964 г. назначен первым директором вновь созданного в
г. Зеленограде НИИ физических проблем Минэ-лектронпрома. Одновременно был заведующим кафедрой МФТИ. В 1969 г. перешел работать в НИИ прикладной физики Миноборонпрома (ныне Государственный научный центр РФ - Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "Орион") где и работает в настоящее время главным конструктором направления.
В.И. Стафеевым на основе проведенных фундаментальных исследований предложены принципы действия новых полупроводниковых приборов и функциональных логических интегральных схем, устройств приема, обработки и воспроизведения изображений. В их числе высокоэффективные сенсоры, обладающие высокой чувствительностью к магнитному полю, давлению, механическим воздействиям, электромагнитному излучению от ультрафиолетового до субмиллиметрового, ядерному излучению. В.И. Стафеев внес заметный вклад в начальный этап становления отечественной силовой полупроводниковой техники.
В работах В.И. Стафеева значительное место занимают исследования процессов в диэлектрических средах, жидких кристаллах, молекулярных пленках, моделирования нейронов и обработки информации в нейронных сетях. На этой основе В.И. Стафеевым разработаны принципы функциональной микроэлектроники с использованием инжекционно-плазменной объемной связи в полупроводниковых структурах, разработана новая схемо- и системотехника.
Проведенные под руководством В.И. Стафеева комплексные исследования оптических явлений при разогреве электронного газа в полупроводниках привели к созданию на этой основе высокоэффективных лазеров дальнего инфракрасного диапазона с управляемой длиной волны излучения, фотоприемников для этой области спектра и СВЧ-модуляторов света.
Под руководством В.И. Стафеева проведена разработка и организовано промышленное производство нового перспективного полупроводника CdHgTe и высокоэффективных фотоприемников на его основе для инфракрасного диапазона спектра, в том числе матричных для перспективных систем тепловидения.
Государственными Премиями отмечены следующие работы В.И. Стафеева.
Разработка технологии и организация производства нового для микрофотоэлектроники слож-
К 75-ЛЕТИЮ ВИТАЛИЯ ИВАНОВИЧА СТАФЕЕВА
509
нейшего полупроводникового материала CdHgTe и на его основе фотоприемников, в том числе матричных, на область спектра 3...5 и 8...12 мкм для современных систем тепловидения (2000 г.).
Разработка научных основ, технологии и организация серийного производства магниточувстви-тельных сенсоров (1982 г.).
Обнаружение и исследование нового класса материалов - бесщелевых полупроводников (1976 г.).
За работы для первой атомной подводной лодки (1958-1959 гг.), положившие начало силовой полупроводниковой техники в СССР, В.И. Стафе-ев награжден медалью "За Трудовую доблесть". За выдающиеся достижения в области прикладной физической оптики В.И. Стафеев награжден медалью A.A. Лебедева.
Профессор Стафеев В.И. - глава научной школы, снискавшей большой международный авторитет. Среди его учеников 20 докторов и более 60 кандидатов наук, в том числе несколько лауреа-
тов Госпремий СССР и РФ. Его ученики успешно работают во многих городах России и стран СНГ.
В.И. Стафеев ведет активную научно-организационную деятельность. Им организован выпуск научно-технического сборника "Микроэлектроника", он входил в состав редакционных коллегий журналов "Радиотехника и электроника", "Физика и техника полупроводников", Экспертного совета ВАК, Экспертного совета Комитета по Ленинским и Государственным премиям СССР. Он был одним из участников организации выпуска журнала "Микроэлектроника", главным редактором 22-й серии ВОТ "Микроэлектроника", организатором многих научных конференций, симпозиумов, семинаров.
Многочисленные коллеги, ученики, редколлегия журнала "Радиотехника и электроника" поздравляют Виталия Ивановича с юбилеем и желают ему здоровья и дальнейших творческих успехов.
РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА том 49 < 4 2004
Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.