ЭКОНОМИКА И МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ, 2013, том 49, № 4, с. 33-46
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОБЛЕМЫ
СТРУКТУРНЫЕ ФАКТОРЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ
© 2013 г. В.Е. Дементьев
(Москва)
На примере развития микроэлектроники в США показана роль уже существующих отраслей в развитии новых технологий. При значительном отставании от мировых технологических лидеров экономика способна попасть в "структурную ловушку". О такой ловушке допустимо говорить, когда уже существующие отрасли не могут успешно конкурировать с иностранными фирмами, а новые технологии не получают развития без поддержки спросом со стороны этих отраслей. Чтобы вырваться из структурной ловушки, активная государственная экономическая политика должна основываться на комбинированной стратегии развития, максимизирующей синергический эффект от модернизации отстающих отраслей и становления новых производств.
Ключевые слова: технологическое развитие, инновации, микроэлектроника, длинные волны, технологии широкого применения. Классификация JEL: B52, 010, 030, O32, O38.
1. ВВЕДЕНИЕ
Начавшийся в 2008 г. мировой экономический кризис привел к снижению инвестиционной активности во многих сферах. Тем не менее, даже в условиях кризиса наблюдается рост инвестиций в очередную технологическую революцию. Ее связывают с нано-, био- и информационно-коммуникативными технологиями. Однако на роль новой технологии широкого применения (ТШП) претендуют в настоящее время прежде всего нанотехнологии. Их рассматривают в качестве фактора, обеспечивающего подъем очередной длинной волны экономического развития. Мировые инвестиции в нанотехнологии с 14,2 млрд долл. в 2007 г. выросли до 17,8 млрд долл. в 2010 г. (Jaideep, 2011).
Разворачивается соперничество между странами за лидирующие позиции в развитии этих технологий. Активное участие в нанотехнологической гонке принимают национальные государства, но инициатива здесь постепенно переходит от государства к частному бизнесу. Это проявляется в соотношении государственных и частных инвестиций в нанотехнологии. Если мировые государственные инвестиции в нанотехнологии в 2010 г. сократились до 8,2 млрд долл., то корпоративные инвестиции возросли на 7% и достигли 9 млрд долл., из которых 78% приходятся на США (3,4 млрд), Японию (2,8 млрд) и Германию (839 млн). Высокую активность здесь проявляют такие корпорации, как IBM, Intel, Toyota, BASF (Jaideep, 2011).
По объему государственных инвестиций в нанотехнологии позиции России в соперничестве за технологическое лидерство выглядят довольно обнадеживающими. США с 2,3 млрд долл. занимают первое место по государственным инвестициям в нанотехнологии в 2010 г. Россия с 1,05 млрд долл. (рост на 38,6% по сравнению с 2009 г.) вышла на второе место (Jaideep, 2011). Однако достаточно ли этого для успешного участия в таком соперничестве?
Ключевая характеристика технологии широкого применения - ее способность обеспечить длительное повышение производительности многих секторов экономики. Чтобы это качество ТШП было реализовано, требуются соответствующие институциональные предпосылки (Lipsey et al., 2005; Brusoni, Sgalari, 2006; Castellacci, 2010). Сам потенциальный эффект технологической революции создает побудительные мотивы к осуществлению необходимых институциональных преобразований (Перес, 2011). Речь, в частности, идет об изменениях, охватывающих антимонопольное законодательство (Carlaw et al., 2007).
Однако помешать удовлетворению нанотехнологических амбиций страны способна не только инерция ее институционального развития. Во многом предопределяя соотношение между инновационной и имитационной активностью, между усилиями, направленными на решение задач лидирующего и догоняющего развития, технологическая структура экономики фактически является фактором не только технологического, но и институционального развития страны.
Для успеха в нанотехнологическом соперничестве важен не только объем выделяемых на это средств, но и их эффективное использование. Специфические условия конкретной страны влияют на рациональную структуру расходуемых на научные цели средств, включая соотношение между финансированием фундаментальных и прикладных исследований. При дефиците собственных разработок с хорошей коммерческой перспективой это соотношение может быть ориентировано на обслуживание копирования и совершенствование технологий, уже используемых другими (Cohen, Levinthal, 1990). Таким образом удается достигнуть и поддерживать некоторое время высокий темп роста экономики. Однако потенциал уже используемых технологий постепенно исчерпывается.
Заимствуются не только готовые технологии. Как показывает опыт, идеи в сфере коммерциализации научных открытий порой рождаются не в тех странах, где свершилось само открытие. Хотя первое практическое применение транзистору было найдено в Японии, ведущие позиции в ходе микроэлектронной революции заняли США. Как следствие, они - основной получатель технологической ренты во время пятой длинной (кондратьевской) волны экономического развития. Добиться этого США сумели благодаря таким фундаментальным исследованиям, которые стали основой перехода от фрагментарного использования микроэлектроники к кластеризации инноваций и производств, использующих эту ТШП. Доля страны в мировых фундаментальных исследованиях новой технологии широкого применения - структурный параметр, от значения которого зависит способность страны удержаться на гребне поднимающейся длинной волны. Для не очень крупной в экономическом отношении страны перспектива лидерства в некоторой технологической нише вполне реальна, - там она может сосредоточить ресурсы, сопоставимые или даже превышающие расходы в этом направлении крупных стран.
Усилия, направленные на коммерциализацию научных разработок, оказываются безуспешными, если инноватору не удается найти своего потребителя. Признано, что слабый спрос на отечественное оборудование - одна из основных причин низкой инновационной активности в сфере его производства. В результате соответствующие исследования не чувствуют своей востребованности со стороны практики.
К факторам структурного характера можно отнести влияние уже существующих отраслей на формирование принципиально новых производств, освоение экономикой новой технологии широкого применения. Опыт распространения микроэлектронной технологии в экономике США позволяет раскрыть роль такого рода структурных обстоятельств при осуществлении технологической революции. Этот опыт показывает, что уровень развития в стране предшествующих ТШП имеет большое значение для коммерциализации научных разработок в сфере новой ТШП. Таким образом, подтверждается вывод о влиянии дистанции до лидеров на выбор между инновационной и имитационной активностью (Acemoglu, Aghion, Zilibotti, 2006).
Из результатов анализа микроэлектронной революции в США особого внимания заслуживает вывод, согласно которому даже в лидирующей экономике развитие новейших производств имеет немонотонный характер. Как следствие, широко используемое описание этого развития с помощью логистических кривых приводит к существенно упрощенному представлению о сложном процессе подъема очередной длинной волны.
Дальнейшее изложение состоит из краткого обзора литературы, описания и анализа взаимосвязей между группами старых и новых отраслей в ходе пятой длинной волны в американской экономике, интерпретации результатов этого анализа применительно к решению задач догоняющего и лидирующего развития в условиях очередной технологической революции.
2. ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ ОБСТОЯТЕЛЬСТВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ
Переход от старых к новым технологиям описывают модели диффузии инноваций. Получаемое соотношение процессов инновации и имитации можно рассматривать в качестве характеристики структуры инвестиций. Как показано в (Хенкин, Полтерович, 1988), если скорость имитации зависит от доли уже осуществивших ее фирм, волнообразность экономического развития возникает даже при равномерном потоке инноваций.
Структурные сдвиги в экономике в условиях созидательного разрушения и связанные с ним изменения в распределении ресурсов раскрываются в шумпетеровских моделях эндогенного роста. Эти исследования были начаты П. Ромером (Romer, 1987, 1989, 1990) и продолжены Б. Джо-вановичем, Р. Робом, П. Сегерстромом, Т. Анантом, Э. Динопулосом, П. Агионом, П. Ховиттом, Г. Гроссманом, Э. Хелпманом, Ч. Джонесом (Jovanovic, Rob, 1990; Segerstrom, Anant, Dinopo-ulos, 1990; Segerstrom, 1998; Aghion, Howitt, 1992, 1998, 2006, 2009; Grossman, Helpman, 1991a, 1991b; Jones, 1995, 1999). В моделях эндогенного роста технический прогресс рассматривается не как экзогенный фактор, но как результат использования части ресурсов для накопления знаний. В ходе совершенствования этих моделей в описание сектора производства знаний вносились корректировки, отражающие снижение отдачи при наращивании ресурсов этого сектора.
Шумпетеровские модели с технологиями широкого применения демонстрируют неоднозначное влияние новой ТШП на темпы роста (Helpman, Trajtenberg, 1998). Эти темпы возрастают в перспективе, но за счет снижения выпуска продукции в более близкий период (Aghion, Howitt, 1998, ch. 8). В моделях такого рода внимание обычно фокусируется на распределении трудовых ресурсов между производственным сектором и сектором производства знаний (Арефьев, Арефьева, 2010). В большинстве моделей новые технологии широкого применения обеспечивают вертикальную (повышение качества) или горизонтальную (расширение ассортимента) дифференциацию продукции и в итоге приводят к полному вытеснению прежних ТШП. На практике такое вытеснение имеет частичный характер, а экономическое развитие во многом происходит на основе комбинирования технологий (Mowery, Rosenberg, 1998). Более реалистичный подход, учитывающий комбинирование технологий, представлен в (Eriksson, Lindh, 2000; Atkeson, Kehoe, 2007; Арефьев, Арефьева, 2010).
А. Аткесон и П. Кихо (Atkeson, Kehoe, 2007) обосновывают выявленные в (David, 1990; Jovanovic, Rousseau, 2005) свойства технологических революций: парадокс производительности (длительное отставание в темпах роста произв
Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.