научная статья по теме Светодиоды на основе твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия Биология

Текст научной статьи на тему «Светодиоды на основе твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия»

UDC 911.373.3

S.V. Pankov

Tambov state university of a name of G.R. Derzhavin Tambov, Russia psv69tmb@mail. ru

CRITERIA FOR THE SCALE AND STRUCTURE IN THE STUDY OF RURAL

SETTLEMENTS

Each qualitative determination of rural settlements is clearly expressed in the space of the scale of existence. This scale is differentiated, has no rigid boundaries and depends on the spatial characteristics of settlements within and surrounding areas. A distinctive feature of with respect to residential structures from the of landscape is that its internal form is not a natural spatial relationship of elements, and the ratio of organized man-made factor.

Keywords: scale of research, configuration, layout organization, quantity of the population of settlements.

УДК 621.315.592

Ш.М. Рамазанов, аспирант, младший научный сотрудник Дагестанский государственный университет г. Махачкала, Россия ramazanv@mail. ru

СВЕТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА КАРБИДА КРЕМНИЯ С НИТРИДОМ АЛЮМИНИЯ

Методом высокочастотного магнетронного распыления составной мишени SiC с Al в газовой смеси газов Ar и N2 (1:3)получен светодиод на основе твердого раствора (SiC)j.x(AlN)x. Исследования показали,что на p-n переходе происходит излучение в УФ области с X =335 нм.

Ключевые слова: твердый раствор, карбид кремния, светодиод.

Твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия (SiC)1-x(AlN)x представляют значительный интерес, как широкозонные полупроводниковые материалы, которые позволяют существенно расширить диапазон использования SiC. Карбид кремния (SiC) и нитрид алюминия (AlN) образуют непрерывный ряд твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x с меняющейся шириной запрещенной зоны Е^т 3 до 6.2эВ [1]. Близость параметров решеток (отличие на 1%) и коэффициентов температурного расширения позволяют получать гетероструктуры (SiC)1-x(AlN)x/SiC с резкими переходами и малой плотностью дефектов в переходной области. И при значениях х >0,6 структура твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x меняется на пря-мозонную [2].

Пленку твердого раствора получали методом высокочастотного магнетронного распыления составной мишени SiC с Al в газовой смеси Ar и N2 (1:3) (c чистотой газов 5.0) на модернизированной установке УВН. Рабочее давление в

камере составляла 2 Па, а мощность высокочастотного разряда составляла 1,4 кВт. Предварительно вакуумную камеру откачивали безмасленой системой тур-бомолекулярного и форвакуумного насосов. Начальный вакуум был на уровне 6^10"5 Па. Технологические параметры были подобраны для получения /-типа пленки [3]. Типом проводимости управляли соотношением смеси газов напускаемых в камеру, где перекомпенсация атомов азота дает возможность создания пленки /-(ЗЮ^^^Ш^.Выращенная пленка (SiC)1-x(AlN)x имела толщину 1,24 мкм. После технологического процесса толщину контролировали при помощи интерферометра. В качестве подложки использовался 6H-SiC n-типа проводимости предварительно протравленная и очищенная. Температуру подложки составляла 1400 K. На пленку твердого раствора путем вакуумного напыления создавался металлический контакт из Al и с обратной стороны подложки Ge.

Таким образом, была получена структура p-(SiC)0,27(AlN)0 73/n-6#-SiC, с толщиной в области пространственного заряда ~ 0,07 мкм и с напряжение емкостной отсечки ~ 0,24В. Удельное сопротивление р пленки составила 2,6^Ю13Ом^см.

При подаче напряжения на светодиод p-(SiC)0,27(AlN)0 73/n-6#-SiC граница разделаp-n перехода излучала в УФ области спектра с длиной волны 335нм на пиковом участке, свечение регистрировалось на спектральной установке СДЛ-2. Данная технология дает возможность создания светодиодов в УФ области спектра, в широком диапазоне составов.

Список использованных источников и литературы

1. П.М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002).

2. А.П. Дмитриев, Н.В. Евлахов, А.С. Фурман. ФТП, 30(1), 106 (1996).

3. М.К. Курбанов, Б.А. Билалов, Ш.А. Г.К. Сафаралиев, Ш.М. Рамазанов. Неорганическиематериалы, 43, (12), 1, (2007).

UDC 621.315.592

Sh.M Ramazanov

Dagestan State University Makhachkala, Russia ramazanv@mail. ru

LEDS BASED ON SOLID SOLUTIONS OF SILICON CARBIDE WITH ALUMINIUM NITRIDE

By RF magnetron sputtering a composite target SiC with Al in the gas mixture gases of Ar and N2 (1:3) was obtained at the LED-based solid solutions (SiC) 1-x (AlN) x. Studies have shown that the p-n junction emits in the UV region with X = 335 nm.

Keywords: solid solution, silicon carbide, LED.

Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.

Показать целиком