МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, 2010, том 39, № 2, с. 83-84
ВВЕДЕНИЕ К ЦИКЛУ СТАТЕЙ ПО МЕТОДАМ И СРЕДСТВАМ ОЦЕНКИ И ПРОГНОЗИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
В настоящее время как в России, так и за рубежом качественное совершенствование технических характеристик электронной аппаратуры специального назначения в значительной степени связано с широким применением современных высокоинтегрированных изделий микро- и наноэлектроники. Использование изделий микроэлектроники повышенной степени интеграции позволяет реализовать высокопроизводительные алгоритмы обработки и передачи информации в специализированной электронной аппаратуре.
Среди многочисленных факторов, влияющих на функционирование электронной аппаратуры специального назначения при ее эксплуатации, особое значение имеет воздействие полей ионизирующих излучений естественного и искусственного происхождений. Широкое применение полупроводниковых изделий микроэлектроники в качестве элементной базы систем управления военной техники и космических аппаратов сделало актуальной задачу оценки и прогнозирования уровней отказов элементов и узлов аппаратуры специального назначения к радиационным воздействиям.
Особенно это относится к аппаратуре систем управления космических аппаратов. За последнее десятилетие электронные системы космических аппаратов претерпели качественные изменения, обусловленные переходом на элементно-технологический базис микроэлектроники, что позволило многократно увеличить их функциональные, технико-экономические и эксплуатационные характеристики. В настоящее время стоит задача увеличения сроков активного существования аппаратов с нынешних 3—5 лет до 10-12 лет при размещении радиоэлектронной аппаратуры не в гермоконтейнере, а на открытой платформе КА. Эта тенденция приводит к тому, что проблема радиационной стойкости интегральных схем выходит на первый план, так как во многих случаях именно радиационные отказы и сбои будут определять период активного существования космических аппаратов. При этом по мере увеличения степени интеграции на первый план выходят локальные радиационные эффекты, из-за которых происходят сбои и отказы ИС вследствие воздействия отдельных высокоэнергетичных ядерных частиц.
В предлагаемой Вашему вниманию серии статей рассматриваются вопросы моделирования и прогнозирования радиационных эффектов в изделиях микроэлектроники с точки зрения анализа их влияния на параметры изделий при воздействии радиационных факторов. Представленные работы отражают современные тенденции развития исследований в области радиационных повреждений изделий микроэлектроники, основанные на широком использовании расчетно-экспериментальных методов, с целью обеспечения решения практических задач по обеспечению радиационной стойкости изделий специального назначения. Отдельное внимание уделено вопросам радиационной стойкости изделий
СВЧ электроники, без которых невозможно создание современных систем связи космического назначения.
Появление данной серии статей стало возможным благодаря энергии и настойчивости бессменного члена редколлегии журнала "Микроэлектроника" профессора Агаханяна Татевоса Мамиконовича. Созданное им еще в середине 70-х годов на кафедре "Электроника" МИФИ направление "Радиационная электроника" успешно развивается его работами, трудами его учеников и последователей не только в МИФИ, но и в других организациях.
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА том 39 № 2
2010
Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.