научный журнал по химии Неорганические материалы ISSN: 0002-337X

ЗАРГАН Р., НЕФЁДОВ В.И., НЕФЁДОВА И.С., ЯРЖЕМСКИЙ В.Г. — 2004 г.

Предложен рентгеноэлектронный метод определения толщин сверхтонких пленок с учетом упругого рассеяния фотоэлектронов в твердом теле и недипольных переходов при фотоионизации. Исследованы два способа изменения пути фотоэлектрона в пленке: путем вращения анализатора и путем вращения образца. Оба способа имеют существенные преимущества перед приближением прямых траекторий фотоэлектронов, при котором не учитывается упругое рассеяние. Экспериментальные данные моделировались методом Монте-Карло. Описанные способы примерно одинаково (с точностью до 6%) воспроизводят использованные при моделировании значения толщин поверхностных пленок.

МОРДАС Д.О., СОБОЛЕВ В. ВАЛ., СОБОЛЕВ В.В. — 2004 г.

Впервые определены спектры комплекса оптических характеристик кристалла PdO в области 2-5.5 эВ для E ⊥ c и E || с. Расчеты выполнены на основе экспериментальных спектров диэлектрической проницаемости. Рассмотрены их основные особенности. Предложена схема природы их максимумов в соответствии с теоретическими расчетами зон и поляризованными спектрами диэлектрической проницаемости.

ЕКИМОВ Е.А., КУЗИН Н.Н., МЕЛЬНИК Н.Н., ПРЕШ А., САДЫКОВ Р.А., СЛЕСАРЕВ В.Н., ТАТЬЯНИН Е.В. — 2004 г.

В системе графит-В 4С при температурах 2600-2800 К и давлении 8-9 ГПа синтезирован поликрис-таллический алмаз с размером кристаллитов менее 20 мкм. Сверхтвердый материал содержал кроме алмаза менее 5 мас. % В 4С. При изучении особенностей комбинационного рассеяния света синтезированного алмаза зафиксирован сдвиг основной полосы спектра (1332 см -1) на 40 см -1 в сторону низких частот, что характерно для алмазных пленок, сильно легированных бором. На основе экспериментальных результатов предложен механизм превращения графита в поликристаллический алмаз при температурах между температурами эвтектик В 4С-алмаз, В 4С-графит.

ЗЛАТКОВСКИЙ О.А., УШЕРОВ-МАРШАК А.В., ЦИАК М. — 2004 г.

На основе калориметрических данных с учетом селективности влияния химических и минеральных добавок на процессы твердения цементов предложен способ феноменологической количественной оценки их воздействия на ранних стадиях гидратации. Введены понятия эффективности и совместимости добавок с цементами. Показана целесообразность их использования. Правомерность предложенного подхода доказана результатами термокинетического анализа влияния добавок различной природы и механизмов воздействия добавок на цементы различного состава.

АЛЕКСАНДРОВ В.Д., ФРОЛОВА С.А. — 2004 г.

Методом циклического термического анализа изучено влияние перегрева ΔТ + расплавов соединений In 2Bi и InBi на их переохлаждения ΔТˉ при кристаллизации. Установлено, что для In 2Bi ΔТˉ ≃2.0 К при любом перегреве относительно температуры плавления T L, а для InBi в тех же условиях обнаружена скачкообразная зависимость ΔТˉ от ΔТ +. Для InBi при ΔТ + до 5 К ΔТˉ — 1.0-1.6 К, а при ΔТ + от 5 до 300 К ΔТˉ было постоянным ≃16 К независимо от скорости охлаждения расплава от 0.002 до 8.0 К/с. Установлена связь между переохлаждениями In 2Bi и InBi со структурами жидкой и твердой фаз.

ГРОМОВ О.Г., ИВАНЕНКО В.И., КАЛИННИКОВ В.Т., КУЗЬМИН А.П., КУНШИНА Г.Б., ЛОКШИМ Э.П. — 2004 г.

Исследован процесс синтеза пероксидных растворов метатанталата и метаниобата лития. Показано, что использование пероксидных растворов обеспечивает получение стехиометрических LiТаО 3, LiNbО 3, NaNbО 3 и твердых растворов Li xNa 1-xNbО 3.

БРОННИКОВ А.Н., ДОРОФЕЕВА В.В., КЛИМОВ В.В., СЕЛИКОВА Н.И. — 2004 г.

С использованием механохимического активирования (помол в вибромельнице) исходных компонентов и синтезированных порошков исследовано влияние ионов фтора на электрофизические свойства пьезокерамики на основе цирконата-титаната свинца. Введение в состав шихты иона фтора (1-5 мол. %) приводит к получению пьезокерамики более жесткой, чем исходная. Добавка в состав шихты иона фтора (0.1-0.3 мол. %) совместно с ионом железа (0.3-3 мол. %) позволило получить жесткую пьезокерамику, способную работать в сильных электрических полях (3 кВ/см). Изучение кристаллической структуры показало, что такая керамика имеет структуру перовскита (АВ0 3) с тетрагональным искажением элементарной ячейки. Полученная пьезокерамика обладает мелкокристаллическим строением с размером зерна 1-2 мкм. Анализ распределения основных компонентов, проведенный по полированному и травленному шлифу пьезокерамики, показал, что основные компоненты распределены со значительным разбросом.

ГАЛЯС А.И., ДЕМИДЕНКО О.Ф., МАКОВЕЦКИЙ Г.И. — 2004 г.

Методом твердофазного синтеза, а также при давлении 7 ГПа и температуре 1600 К получены твердые растворы Mn 1 _ xM xSe (М - Ti, V, Fe, Co). Все однофазные образцы обладают кубической структурой типа NaCl. Параметр элементарной ячейки а уменьшается с увеличением содержания замещающего катиона. Магнитная восприимчивость измерена пондеромоторным методом в интервале 77-900 К. При температурах ниже 130-150 К в твердых растворах наблюдается антиферромагнитное упорядочение.

ПАДАЛКО А.Г., ПАШКОВА О.Н., СТЕБЛЕВСКИЙ А.В. — 2004 г.

Направленной кристаллизацией расплава получены тонкие слои легированного теллуром антимонида индия на сапфире. Определен эффективный коэффициент распределения теллура, изучены электрические свойства тонких слоев - подвижность электронов, концентрация и удельное сопротивление в диапазоне температур 77-300 K. Рассмотрены возможные механизмы рассеяния, определяющие электрические параметры сформированных слоев.

КУЗЬМИЧЕВА Г.М., КУТОВОЙ С.А., РЫБАКОВ В.Б. — 2004 г.

С помощью рентгенографического анализа изучен монокристалл скандий-галлиевого оксида, выращенный методом Чохральского из шихты состава Ga 1.5S 0.5O 3 структура которого представляет собой сверхструктуру к ß-Ga 2O 3. Установлено, что параметры сверхструктуры меняются как по длине кристалла, так и по поперечному сечению, что связано с изменением соотношения Ga:Sc. Предложена модель строения кристалла состава Ga 15Sc 0.5О 3

КАЛИННИКОВ В.Т., МАРЕНКИН С.Ф., МИХАЙЛОВ С.Г., НОВОТОРЦЕВ В.М., ПАЛКИНА К.К. — 2004 г.

Получены крупные структурно-совершенные монокристаллы CdGeAs 2. Уточнены параметры элементарной ячейки а = b = 5.9410(8), с = 11.2104(17) Å, координаты атомов, тепловые поправки, величины длин связей и валентных углов CdGeAs 2.

БУЯКОВА С.П., ЖУКОВ В.А., КУЛЬКОВ С.Н., НИКИТИН Д.С., ПЕРКОВ В.В. — 2004 г.

Изучено поведение нанокристаллического порошка ZrO 2(Y) при прессовании, влияние давления прессования, температуры и продолжительности спекания на структуру получаемой пористой керамики. Показано, что при прессовании происходит разрушение частиц порошка и их агломератов уже при небольшом давлении (=50 МПа). Обнаружена смена механизмов их уплотнения - от квазижидкого перемещения частиц порошка в начале механического воздействия до разрушения крупных структурных элементов. Установлено, что уже на начальной стадии спекания формируется прочный каркас, обусловливающий необходимую пористость.

БОРОВИНСКАЯ И.П., ВЕРШИННИКОВ В.И., ИГНАТЬЕВА Т.И., САЧКОВА Н.В. — 2004 г.

Разработана технология получения в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза с восстановительной стадией порошков карбида вольфрама из оксида вольфрама (VI). Изучено влияние состава шихты, соотношения реагирующих компонентов на фазовый состав, морфологию и размер частиц порошка WC. Разработана методика выделения карбида вольфрама из синтезируемого полупродукта с применением метода химического диспергирования. Изучено влияние на морфологию и размер частиц порошка состава диспергирующих систем. Установлено, что использование органических растворителей в процессе химического диспергирования препятствует образованию “жестких” агломератов, улучшает процесс растворения примесей, дефектных слоев кристаллитов и позволяет получать порошки карбида вольфрама с преимущественным размером частиц не более 0.05-0.2 мкм.

КУНИЦКИЙ Л.И., НОВИКОВ В.П., ПАНЬКОВ В.В. — 2004 г.

Продемонстрирована возможность синтеза порошков никеля, железа, кобальта путем их восстановления из солей раствором натрия в жидком аммиаке. Низкая температура процесса, а также способность жидкого аммиака стабилизировать оборванные химические связи существенно понижают скорость кристаллизации частиц, препятствуя их агрегации. Изучены магнитные свойства наноразмерных порошков металлов группы железа.

ГРИШНОВА Н.Д., ДОРОФЕЕВ В.В., КОТКОВ А.П., МОИСЕЕВ А.Н. — 2004 г.

Методом химического осаждения из паров алкильных металлорагических кадмия и теллура и металлической ртути (MOCVD-метод) выращены эпитаксиальные слои Cd xHg 1 _ xTe p-типа проводимости на подложках из полуизолирующего GaAs кристаллографической ориентации (111)В. Слои Cd xHg 1 _ xTe выращены осаждением чередующихся тонких слоев CdTe и HgTe при температуре подложки 350°C с последующей гомогенизацией структуры во время послеростового отжига. Получены слои с x = 0.2-0.4 с концентрацией и подвижностью носителей заряда при 77 K (1-5) x 10 16 см -3 и 200-400 см 2/(В с) соответственно, полушириной кривой качания рентгеновской дифракции 2-4 угл. мин.

МАТВИЕНКО А.А., ПОНОМАРЕВА В.Г., ШУТОВА Е.С. — 2004 г.

Исследована проводимость гидросульфата-фосфата цезия. Получены дополнительные данные по термическому поведению исходной соли. На ее основе получены новые высокопроводящие при 60-200°С протонные композиционные электролиты (1 - x)Cs 3(HSO 4) 2(H 2PO 4) + xSiO 2 и исследованы их транспортные свойства в широком интервале составов (х = 0.3-0.95). Показано, что их проводимость превышает соответствующие значения для композита на основе гидросульфата цезия CsHSO 4 + SiО 2. Электропроводность композитов зависит от состава: достигает максимальных значений при х = 0.7 (22 об. %) и снижается при дальнейшем увеличении доли гетерогенной добавки вследствие перколяции. Методами комплексной импедансметрии, дифференциальной сканирующей калориметрии и рентгенофазового анализа показано, что гетерогенная добавка приводит к стабилизации разупорядоченного высокопроводящего состояния соли на поверхности высокодисперсного диоксида кремния.

ЗАХАРОВА Б.С., МУРАШОВА Е.В., ТАРНОПОЛЬСКИЙ В.А., ЧУДИНОВА Н.Н., ЯРОСЛАВЦЕВ А.Б. — 2004 г.

Показано, что соединения Cs 2MnH 3(P 2O 7) 2 и Rb 2MnHP 2O 7(H 2PO 4) 2 обладают заметной протонной проводимостью: при 298 и 400 К ее величина составляет 5 х 10 и 2 х 10 -5 для первого, 1 х 10 -7 и 4 х 10 -7 См/см для второго соединения соответственно. На основании сопоставления электропроводности и структурных данных обсуждается механизм протонной проводимости исследованных веществ.

АЛЕШИН В.А., БРЕМКИН В.В., ПАНИЧ А.Е., СМОТРАКОВ В.Г., ШИЛКИНА Л.А. — 2004 г.

Рассмотрено влияние технологических факторов на структурное совершенство, форму и размер частиц порошков анизотропных сегнетоэлектрических материалов, предназначенных для использования в качестве активного компонента пьезоэлектрических композитов керамика-полимер с типом связности 0-3.

АБДУКАДЫРОВА И.Х. — 2004 г.

Методами ИК-, КРС-спектроскопии и РФА изучено влияние больших потоков быстрых нейтронов на спектральные и структурные параметры ряда нормальных колебаний кристаллической решетки α-кварца. Определена закономерность их изменения с ростом дозы облучения. Установлено предельное значение дозы облучения (~7 x 10 19 см -2), при которой низкотемпературная фаза переходит в состояние, подобное высокотемпературной фазе. Обсуждены динамика и механизм радиационно-стимулированного фазового перехода, тенденция изменения валентных углов и длины кремнекислородных связей.

АВДЕЕВ В.В., КОРОБКОВ В.И., ЛЁШИН В.С., МАКСИМОВА Н.В., МАНДРУГИН А.А., СОРОКИНА Н.Б., ШОРНИКОВА О.Н. — 2004 г.

Методом радиоактивных индикаторов в совокупности с методом авторадиографии впервые исследовано электрохимическое интеркалирование графита в растворах системы H 2SO 4-[1 - l4C]CH 3COOH. Показано, что в растворах с содержанием серной кислоты 80 и 60 мас. % образуется тройное соединение внедрения в графит I ступени, а с 40 и 20 мас. % H 2SO 4 - только бисульфат графита II ступени. Гидролиз тройного соединения внедрения в графит приводит к частичному удалению уксусной кислоты из графитовой матрицы. При температурной обработке гидролизованных образцов происходит полное деинтеркалирование внедренных кислот. Присутствие уксусной и серной кислот в синтезированных соединениях подтверждено сопряженными методами термогравиметрии, масс-спектрометрии и фурье-ИК-спектроскопии.