научный журнал по химии Неорганические материалы ISSN: 0002-337X

АКЧУРИН Р.Х., АНДРЕЕВ А.Ю., БУЛАЕВ П.В., ЗАЛЕВСКИЙ И.Д., МАРМАЛШК А.А., НИКИТИН Д.Б., ПАДАЛИЦА А.А. — 2004 г.

Рассмотрены особенности распределения цинка в квантоворазмерных лазерных гетероструктурах на основе Al xGa 1 _ xAs/GaAs (x = 0.2-0.4) в ходе их формирования методом МОС-гидридной эпитаксии с учетом диффузионного размытия задаваемых примесных профилей. На основе анализа экспериментальных данных по распределению носителей заряда в исследуемых гетероструктурах уточнены коэффициенты диффузии цинка для температуры эпитаксиального осаждения 770°С. Усредненное значение D Zn составило ~6.0 х 10 -14 см 2/с. Проведена расчетная оценка положения p-n-перехода в гетероструктурах Al xGa 1 - xAs/GaAs в зависимости от задаваемого в процессе эпитаксии концентрационного профиля цинка и скорости эпитаксиального осаждения. Даны рекомендации по выбору предпочтительных вариантов легирования.

САДЫХОВ И.Ш., САМЕДОВ О.А., САРДАРЛЫ Р.М. — 2004 г.

Изучены диэлектрические, поляризационные и пироэлектрические свойства кристаллов TlInS 2, легированных Ge (0.1 мол. %). Показано, что эти материалы могут быть отнесены к классу сегнетоэлектриков-релаксоров. Из соотношения Фогеля-Фулчера определены энергия активации (0.045 эВ), предэкспоненциальный фактор (f 0 = 2 х 10 х 13 Гц) и температура статического замораживания (T F = 142 K). Установлена температурная область существования устойчивого релаксорного (нанодоменного) состояния и температура перехода в сегнетоэлектрическое (макродоменное) состояние, сопровождаемого аномалией на температурной зависимости пиротока.

БОНДАРЕНКА В., ВОЛКОВ В.Л., ГРЕБИНСКИЙ С., МИЦКЯВИЧЮС С., ПОДВАЛЬНАЯ Н.В., ТВАРДАУСКАС Г. — 2004 г.

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучено валентное состояние атомов ванадия поликристаллического соединения K 4, 3V 6O 162. Из результатов разложения V 2р 3/2-пика на гауссовы компоненты определены соотношения ионов V, V 4+, V 3+ в поливанадате до и после его травления ионами аргона. Установлено, что поверхность спеченного в вакууме образца обогащена ионами калия и кислорода. Из измерений комплексного импеданса определена диэлектрическая проницаемость, подвижность и концентрация носителей заряда K 4,3VgO 16.2 при 288 К.

ЗЕМСКОВ В.С., ПАВЛОВА Л.М., ПОТЕМКИН А.Я. — 2004 г.

БОЧАРОВА Т.В. — 2004 г.

Изучены концентрационные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости свинецсодержащих фторалюминатных стекол, активированных европием. Исходя из анализа зависимостей lnр(1/T) в области 383-653 K оценена энергия активации проводимости, значения которой уменьшаются с ростом содержания PbF 2. Предполагается, что при концентрации PbF 2 более 15 мол. % происходит структурная перестройка, приводящая к формированию новой структурной сетки. Показано, что полоса наведенного поглощения с максимумом в области 780 нм, за которую ответственны радиационные дефекты, содержащие Pb 2+, а также ионы кислорода и фтора, может рассматриваться в качестве индикатора сеткообразующей роли свинца. Доказано, что при введении в состав стекла Eu 2O 3 указанная полоса подавляется, что свидетельствует об электронной природе центров окраски, ответственных за нее.

БОДНАРЬ И.В. — 2004 г.

Методом Бриджмена (горизонтальный вариант) выращены крупноблочные кристаллы тройных соединений AgInSe 2, AgGaSe 2 и твердых растворов AgGa хIn 1 _ xSe 2. С помощью микрозондового рентгеноспектрального анализа определен состав указанных кристаллов, рентгеновским методом -длины связей и параметры элементарной ячейки а и с. Показано, что зависимости а и с от x линейные. Методом ДТА определены температуры фазовых превращений в выращенных кристаллах, построена диаграмма состояния системы AgInSe 2 - AgGaSe 2 и проведен ее термодинамический анализ. На кристаллах соединений AgInSe 2, AgGaSe 2 и твердых растворов AgGa xIn x - xSe 2 измерены плотность и микротвердость. Установлено, что плотность с составом изменяется линейно, микротвердость - с максимумом.

БАШКИРОВ Л.А., КЛЫНДЮК А.И., КУРГАН С.В., ПЕТРОВ Г.С. — 2004 г.

Керамическим методом получены NdCoO 3, GdCoO 3 и твердые растворы Nd 1 _ xGd xCoO 3 (x = 0.1—0.9). Определены параметры их кристаллической решетки. В интервале температур 300-1110 K на воздухе изучены их электропроводность и термическое расширение. Установлено, что все исследованные твердые растворы имеют структуру орторомбически искаженного перовскита. Для всех твердых растворов обнаружены аномалии электропроводности и термического расширения, соответствующие фазовому переходу полупроводник-металл.

БАШКИРОВ Л.А., КЛЫШДШК А.И., МАХНАЧ Л.В., ПЕТРОВ Г.С., ЧИЖОВА Е.А. — 2004 г.

Установлено образование твердых растворов YBaCuFe 1 _ xNi xO 5 при x ≤ 0.3. Определены параметры кристаллической структуры фаз YBaCuFe 1 _ xNi xO5, исследованы их термическая стабильность, термическое расширение, электропроводность, коэффициент термо-э.д.с., магнитная восприимчивость и диэлектрические свойства. Показано, что замещение железа никелем приводит к значительному увеличению электропроводности и уменьшению коэффициентов термо-э.д.с. и линейного термического расширения, а также температур фазового перехода антиферромагнетикпарамагнетик и аномалий диэлектрических свойств фаз YBaCuFe 1 _ xNi xO5.

САМОЙЛОВ В.М. — 2004 г.

Исследовано влияние состава двухкомпонентного наполнителя на физико-механические свойства тонкозернистых искусственных графитов. Использованы наполнители, различающиеся по структуре: высокотекстурированный игольчатый кокс и искусственный графит со структурой, близкой к изотропной. Каждый наполнитель получали в виде двух фракций с крупностью -120 и -10 мкм. Смешанные в различных пропорциях наполнители использованы для получения опытных образцов искусственных графитов, на которых определяли плотность, коэффициент термического расширения, прочность и модуль упругости. Показано, что коэффициент термического расширения, прочность при сжатии и модуль упругости образцов искусственных графитов определяются микротекстурированностью, размерами и анизометрией частиц наполнителя. При смешивании компонентов, резко отличающихся по размерам и анизометрии частиц, плотность и коэффициент термического расширения полученных графитов изменяются в зависимости от соотношения размеров частиц использованных компонентов. Найденные закономерности показывают возможность получения графитов с повышенными физико-механическими характеристиками при минимальном коэффициенте термического расширения.

ШЕВЧУК Ю.А. — 2004 г.

На основании изотропной дебаевской модели и представления об уравнении состояния твердого тела показано, что параметры и коэффициенты диффузии аномальных и неаномальных металлов коррелируют с температурным ходом модуля сдвига.

КОЛЬЦОВА Т.Н. — 2004 г.

В системе Y 2O 3-BaO-WO 3-CuO определена область существования перовскитоподобного кубического твердого раствора с параметром решетки 8.28-8.40 Å и построена схема фазовых соотношений в сечении BaWO 4-BaCuO 2-Y 2Cu 2O 5 - эквимолярная смесь Y 2WO 6 + Y 2W 3O 12.

ИВАНОВ-ШИЦ А.К., ЛАВРИКОВ А.С., НИКИТИН С.В., СЕВАСТЬЯНОВ В.В. — 2004 г.

Манганит лантана стронция La 0.74Sr 0.26MnO 3 синтезирован методом совместного осаждения из водных нитратных растворов. Полученный материал имеет электронную проводимость 197 См/см при 1170 К, что значительно превышает проводимость идентичного по составу и близкого по пористости материала, полученного традиционным керамическим способом. Синтезированный по разработанной методике La 0.74Sr 0.26MnO 3 позволяет при плотности около 66% (соответствует плотности реального катода) получить высокую электропроводность 125 См/см при 1170 К. Установлено, что La 0.74Sr 0.26MnO 3 имеет ромбоэдрическую решетку (пр. гр. R 3 - с) с параметрами элементарной ячейки a = 0.55000, с = 1.33491 нм.

ВАНЕЦЕВ А.С., ЕРЕМИНА Е.А., ТРЕТЬЯКОВ Ю.Д., ЧЕКАНОВА А.Е. — 2004 г.

Приведены результаты синтеза манганита состава Nd 0.7Ba 0.3MnO 3 c использованием микроволновой обработки раствора нитратов неодима, бария и марганца. Установлено, что микроволновая обработка позволяет уменьшить температуру и продолжительность синтеза Nd 0.7Ba 0.3MnO 3 по сравнению с традиционным керамическим методом. При этом физико-химические свойства образов были не хуже, чем у образцов, полученных по традиционной керамической технологии.

ОСТРОУШКО А.А. — 2004 г.

Изучены твердофазные взаимодействия с образованием SrCu 1/3Nb 2/3O 3 перовскитного типа между купратами и ниобатами стронция, имеющими различное соотношение стронция и d-металла. Оценена скорость образования указанного продукта в зависимости от состава исходных реагентов. При участии в реакции SrCuO 2 скорость синтеза продукта выше, чем при участии Sr 2CuO 3. При наличии в реакционной зоне избыточного оксида стронция формируются побочные продукты. Показано, что большой избыток стронция приводит к снижению скорости твердофазных реакций.

БУЯНОВ Р.А., ГОЙДИН В.В., МОЛЧАНОВ В.В. — 2004 г.

БЕЛОУС А.Г., ВЬЮНОВ О.И., ДУРИЛИН Д.А., ОВЧАР О.В., СТУПИН Ю.Д. — 2004 г.

Изучены диэлектрические свойства керамических материалов системы MgO-TiO 2-SiO 2. Обнаружено, что рост диэлектрических потерь в исследованных материалах связан с присутствием MgTi 2O5. Показано, что за счет изменения соотношения фаз в исследованной системе могут быть получены термостабильные материалы с низкими диэлектрическими потерями и диэлектрической проницаемостью от 10 до 20.

ГАРШЕВ А.В., ЗАЙЦЕВ Д.Д., КАЗИН П.Е., ТРЕТЬЯКОВ Ю.Д., ЯНЗЕН М. — 2004 г.

Быстрой закалкой расплава приготовлены стекла номинальных составов SrFe 12O 19 + 8SrB 2O 4 (I) и SrFe 12O 19 + 12Sr 2B 2O 5 (II). В результате термической обработки стекол в интервале температур 600-950°С получены образцы стеклокерамики, содержащие мелкодисперсные магнитные частицы SrFe 12O 19. Образцы исследованы методами рентгенофазового анализа, дифференциально-термического анализа, электронной микроскопии и магнетометрии. Определены фазовые превращения, происходящие при кристаллизации стекла. Установлено, что в зависимости от химического состава стекла и условий термообработки формируются субмикронные частицы гексаферрита стронция с различным отношением толщины к диаметру. Для составов I и II получены максимальные значения коэрцитивной силы 504 и 456 кА/м соответственно.

ЗАЙЦЕВ Д.Д., КАЗИН П.Е., МАКСИМОВ Ю.В., СУЗДАЛЕВ И.П., ТРЕТЬЯКОВ Ю.Д., ЯНЗЕН М. — 2004 г.

Из стекла номинального состава {SrFe 12O 19 + 12SrB 15Bi 0.5O 4}, полученного быстрой закалкой оксидного расплава, в результате термической обработки при 600-850°C сформированы образцы стеклокерамики, содержащие высокодисперсные частицы SrFe 12O 19. Указанные образцы исследованы методами мессбауэровской спектроскопии, рентгенофазового анализа, дифференциального термического анализа, электронной микроскопии и магнетометрии. Установлено, что в стекле все железо находится в степени окисления 3+. Определена последовательность фазовых превращений, происходящих при кристаллизации стекла. Найдено, что коэрцитивная сила образцов возрастает от 188 до 504 кА/м с увеличением температуры отжига. Термической обработкой при 850°С получены композиты, содержащие субмикронные частицы SrFe 12O w с соотношением толщины к диаметру 0.33.

БЕЛЕВИЧ Н.Н. — 2004 г.

С помощью рентгенофазового и химического анализов исследовано формирование пленок при напылении CuInSe 2. Показано, что соединение в процессе нагрева диссоциирует на селениды меди и индия, часть которых до начала процесса напыления испаряется. В момент начала процесса в источнике находятся в основном три фазы - Cu 2Se, CuInSe 2 и In 2Se 3 в различном соотношении, зависящем от температуры источника. При напылении, в зависимости от температуры источника, испаряются в основном две фазы - либо CuInSe 2 и In 2Se 3, либо Cu 2Se и CuInSe 2. В процессе испарения часть селена как легколетучего компонента теряется и образуются пленки, состоящие из указанных фаз, но с недостатком селена - Cu 2Se x (x ≤ 1), CuInSe 2 и InSe. При определенной температуре источника (в данном случае 1040°С) наступает равенство в скоростях испарения посторонних фаз и в пленках присутствует только фаза CuInSe 2. В результате непрерывного напыления при нагреве источника на подложку переносятся все разложившиеся компоненты и состав пленки практически соответствует составу исходной шихты. Исследованы химический состав, структура и спектры поглощения полученных пленок в области края фундаментального поглощения при 290 К. Энергетические параметры зонной структуры соединения CuInSe 2 определены по спектрам поглощения при 290 К. Предложена методика определения энергетических параметров и анализа зонной структуры соединения.

АЛИЕВ О.М., ГАСЫМОВ В.А., ГАСЫМОВА Г.Н. — 2004 г.

Впервые синтезирован редкоземельный аналог минерала бертьерита состава FeNdSbS 4. Установлено, что соединение FeNdSbS 4 изоструктурно FeSb 2S 4 и кристаллизуется в ромбической сингонии с параметрами элементарной ячейки a = 11.395, b = 14.136, с = 3.747 À (Z = 4, пр. гр. Pbam).