научный журнал по физике Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования ISSN: 0207-3528

БЛИНОВ В.В., ЗАГРЕБЕЛЬНЫЙ А.А., ЗВОРЫКИН Л.Л., ИВАНОВ А.И., НИКИФОРОВ А.И., ПЧЕЛЯКОВ О.П., СОКОЛОВ Л.В., ТЕСЛЕНКО В.В., ЧУРИЛО И.В. — 2004 г.

Рассмотрены предпосылки, примеры реализации и перспективы синтеза многослойных полупроводниковых композиций из молекулярных пучков в условиях орбитального полета космических аппаратов. Показаны преимущества проведения технологического процесса в глубоком вакууме, образующемся в результате проявления эффекта молекулярного экрана, для получения новых тонкопленочных материалов с уникальными свойствами. Описан наземный имитатор космического модуля и действующий макет молекулярного экрана. Обсуждаются особенности эскизного проекта универсальной автоматизированной установки МЛЭ.

БЛЕЦКАН Д.И., КАБАЦИЙ В.Н., САКАЛ Т.А. — 2004 г.

Приведены условия синтеза вещества и выращивания слоистых монокристаллов Si 2Te 3 методами статической сублимации. Стабильная низкотемпературная a-фаза Si 2Te 3 кристаллизуется в тригональной решетке (пр.гр. P3ˉ lc) с параметрами a = 7.425 и с = 13.467 Å. Построены проекции структуры на плоскости (0001), ( 101ˉ0 ) и ( 112ˉ0 ) и дана их интерпретация.

ГРИНЕВ Б.В., ДОЛЖЕНКОВА Е.Ф., ДУБОВИК М.Ф., КОРШИКОВА Т.И., ТОЛМАЧЕВ А.В., ЯВЕЦКИЙ Р.П. — 2004 г.

Методом Чохральского выращены монокристаллы Li 6 _ xNa IGd(BO 3) 3. Анализируются особенности получения модифицированных монокристаллов. Изучены основные оптические свойства кристаллов Li 6 _ xNa xGd(BO 3) 3 и исследовано влияние технологических условий на структурное совершенство выращенных кристаллов.

АРТЕМОВ В.В., ИВАНОВ Ю.М., КАНЕВСКИЙ В.М., ПАШАЕВ Э.М., ПОЛЯКОВ А.Н., СЕНИН Р.А., ЧУДАКОВ В.С. — 2004 г.

Монокристаллы CdTe и Cd 0.96Zn 0.04Te диаметром 60-100 мм были выращены методом Обреимова-Шубникова с использованием техники самозатравления. Микроструктура кристаллов была исследована методами оптической микроскопии, электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа. Обнаружено сильное влияние режимов посткристаллизационного охлаждения на микроструктуру кристаллов.

ЕЛИЗАРОВА Л.В., ФИЛИППОВ Г.М. — 2004 г.

Решается задача вычисления поляризационных полей, возникающих при движении заряженных частиц вблизи поверхности тела сферической формы.

АРТЕМЬЕВ Н.А., ЕРКО А., ШЕФЕРЗ Ф. — 2004 г.

Предложена математическая модель, дающая пользователю размывание фокусного пятна за счет хроматической аберрации и вследствие неровностей падающего волнового фронта, описываемых лучами. На базе модели разработана дополнительная процедура для программы рэйтрейсинга общего назначения RAY, которая используется на источнике СИ BESSY в Берлине. Распределение интенсивности в фокусе тестовой зонной пластинки, рассчитанное программой RAY, сравнивается с результатами расчета другой программы KRGF, которая оперирует волновыми фронтами и фазами и рассчитывает дифракцию света на основе принципа Гюйгенса-Френеля.

БЕЛАШЕВ Б.З., ЛЕБЕДЕВА Г.А., ОЗЕРОВА Г.П., ЯКОВЛЕВ А.Н. — 2004 г.

Метод максимума энтропии (ММЭ) применен для установления характера ближнего порядка (БП) в силикатных стеклах. ММЭ дает дополнительную информацию по отношению к традиционным методам анализа аморфных материалов. Результаты ММЭ-анализа БП кварцевого, диопсидового, порфиритового, пироксенитового стекол совпали с данными анализа метода функций радиального распределения. Для альбитового и плагиоклазового стекол БП соответствует смеси кристаллических модификаций α-тридимита, α-кристобалита, а возможно и α-кварца. В гетерогенном титановом стекле характер БП отличен от обычных кристаллических модификаций кремнезема и близок изоструктурам NaClO 3 и TiO 2 ∙ ZrO 2.

АКИШИН А.И., НОВИКОВ Л.С., ЧЕРНИК В.Н. — 2004 г.

Проведен анализ условий распылительного эксперимента с использованием плазменного ускорителя. Показана возможность применения пучков кислородной плазмы низкой энергии для имитационных исследований перспективных материалов первой стенки термоядерного реактора и наружных поверхностей низкоорбитальных космических аппаратов.

МАНУХИН В.В. — 2004 г.

Проведено теоретическое исследование явления распыления однородных твердых тел под воздействием ионной бомбардировки с использованием принципов инвариантного погружения. Получены интегральные уравнения, описывающие непосредственно поток распыленных атомов с учетом граничных условий. Приведено приближенное решение интегрального уравнения для функции, описывающей энергетический спектр атомов, вылетающих с поверхности материала, в случае самораспыления.

БЕШЕНКОВ В.Г., ЗНАМЕНСКИЙ А.Г., МАРЧЕНКО В.А. — 2004 г.

Исследован ряд тонкопленочных систем YSZ/Si(100), полученных магнетронным ВЧ распылением фианитовой мишени при различных потенциалах подложки относительно плазмы. Остальные параметры осаждения были одинаковы и соответствовали режиму эпитаксиального роста пленок YSZ на кремнии. В структурах, полученных при отрицательных смещениях, наблюдалось локальное разрушение слоя SiO 2 на границе раздела с кремнием и образование обогащенных Si включений в пленках YSZ, что вызвано электрическими пробоями пленки во время роста. В пленках YSZ, выращенных при положительных смещениях, наблюдался однородный толстый слой SiO 2 на границе раздела с кремнием, что обусловлено анодным окислением Si в плазме.

ГОНЧАРОВ В.А., ЗЕМСКОВ В.С., РАУХМАН М.Р., ШАЛИМОВ В.П. — 2004 г.

Рассмотрены гидродинамические эффекты концентрационной и температурной неоднородности в расплавах при выращивании кристаллов методами направленной кристаллизации, установленные на основе анализа результатов экспериментов на борту космических аппаратов и численного моделирования процессов тепломассопереноса. Показано, что эти эффекты связаны с действием на расплав малых сил гравитационной и инерциальной природы. Обсуждаются перспективы использования полученных сведений для совершенствования существующих методов выращивания монокристаллов в земных условиях.

ВОЛОГИН В.И., ЖЕЛУДЕВА С.И., ЛИДЕР В.В., ТЕРЕЩЕНКО Е.Ю., ШИЛИН Ю.Н., ШИШКОВ В.А. — 2004 г.

Представлен проект экспериментальной синхротронной станции “Ленгмюр”, предназначенной для проведения исследований ленгмюровских органических монослоев на поверхности жидкости с применением рентгеновских прецизионных поверхностно-чувствительных методов. Станция проектируется для линии К1.2 Курчатовского центра синхротронного излучения. Конструкция станции предполагает наличие четырех функциональных узлов: блоков монохроматизации и управления пучком, блока образца и блока детектирования. Для управления пучком используется специально разработанный метод отклонения пучка двумя рентгенооптическими элементами.

КОШЕЛЕВА Е.В., НОВИКОВ С.А., ПЛАТОНОВА Л.А., ПУНИН В.Т., СЕЛЬЧЕНКОВА Н.И., УЧАЕВ А.Я., ЮКИНА Н.А. — 2004 г.

Работа посвящена определению пространственно-временного поведения диссипативных структур -каскада центров разрушения, образующихся в процессе динамического разрушения. Показано, что металлы при динамическом разрушении (в уникальных диапазонах долговечности t ~ 10 -6-10 -10 с, в диапазоне начальных температур Т 0 ~ 4К-Т пл, при темпе ввода энергии dT/dt ~ 10 6-10 12 K/c) проявляют универсальные свойства, обусловленные самоорганизацией диссипативных структур.

НОРМУРАДОВ М.Т., ТАШАТОВ А.К., ТАШМУХАМЕДОВА Д.А., УМИРЗАКОВ Б.Е. — 2004 г.

Изучена динамика изменения электронных свойств и кристаллической структуры пленок CaF 2/Si (111) при ионной имплантации и последующем отжиге. Установлены оптимальные режимы ионной имплантации и отжига, позволяющие получить трехкомпонентные нанопленки и нанокристаллы.

КУРАК В.В., МАРОНЧУК А.И., МАРОНЧУК И.Е., НАЙДЕНКОВА М.В. — 2004 г.

Рассмотрены процессы тепло- и массопереноса и кристаллизации эпитаксиальных слоев наноразмерной толщины при импульсном охлаждении тыльной стороны подложки, находящейся в контакте с насыщенным раствором-расплавом, в зависимости от толщины теплопоглотителя, разности температур теплопоглотителя и раствора-расплава и определены технологические условия выращивания слоев с заданными параметрами. Фотолюминесценция и высокоразрешающая дифракция рентгеновских лучей показали наличие квантоворазмерных слоев GaAs толщиной от 1 до 12 нм в выращенных гетероструктурах. Выращивание квантовых точек осуществлялось в системе InAs-GaAs. Спектры фотолюминесценции образцов, полученных на подложках с ориентацией (100), свидетельствуют о наличии квантовых точек одного размера, а на разориентированных на 4° в направлении [110] - двух размеров.

АНТОШИНА И.А., КРАПОШИН В.С., МАЛЫНКИН В.Г., МАРЯХИН М.А., ХМЕЛЕВСКАЯ В.С. — 2004 г.

Методом рентгеновской дифрактометрии исследовалась радиационная кристаллизация аморфных материалов на основе Fe-Cr-B и Co-Fe-Si-B, полученных закалкой из жидкого состояния. Установлено, что кристаллизация под воздействием ионного облучения наблюдается при меньших температурах по сравнению с кристаллизацией термической. Показано, что кристаллизация сопровождается образованием фаз, не характерных для данных систем, а также значительным повышением микротвердости. Полученные результаты интерпретируются с позиции формирования под облучением икосаэдрических кластеров.

КАРПЕНКО С.В., САВИНЦЕВ А.П., ТЕМРОКОВ А.И. — 2004 г.

В рамках квазихимического приближения проведено изучение некоторых размерных эффектов в малых частицах щелочных металлов. Обнаружен эффект увеличения концентрации вакансий в малых частицах по сравнению с массивным состоянием. В высокодисперсных системах экспериментально обнаружены размерные эффекты, не получившие до настоящего времени строгого объяснения. Так, в работах [1, 2] показано, что температура плавления и давление полиморфного превращения в малых частицах отличаются от значений в массивных образцах. Эти особенности связаны с увеличением роли поверхностной энергии при уменьшении размера частиц [3, 4]. Ниже приводятся экспериментальные данные, показывающие, что в малых частицах равновесная концентрация вакансий в среднем выше, чем в массивных образцах.

АГАФОНОВ Ю.А., ЗИНЕНКО В.И., МОКРУШИН А.Д., ПУСТОВИТ А.Н. — 2004 г.

Методом вторично-ионной масс-спектрометрии измерены глубинные распределения водорода в образцах кварцевого стекла, имплантированного различными дозами ионов H 2 + с энергией 40 кэВ. Распределения характеризуются наличием интенсивного приповерхностного пика и практически постоянной концентрацией на больших глубинах вплоть до пробега имплантированных ионов. Такой характер распределения можно объяснить влиянием радиационно-индуцированной диффузии атомов водорода к поверхности, через которую проводится имплантация.

ДЖУРАХАЛОВ А.А., УМАРОВ Ф.Ф. — 2004 г.

В работе исследовано распыление поверхности GaAs(001) при бомбардировке ионами Se, Be с E 0 = = 1 кэВ и поверхностей GaP(001), Cu 3Au(001) при бомбардировке ионами Ne с Е 0 = 5 кэВ под скользящими углами. Приведены полные и парциальные коэффициенты распыления в зависимости от угла скольжения в интервале 0°-30°. Показаны оптимальные условия для послойного распыления и дополнительные механизмы преимущественного распыления в условиях скользящей ионной бомбардировки.

ЗМИЕВСКАЯ Г.И., ИНЬКОВ Л.В., ЛЕВЧЕНКО В.Д., ЛЕВЧЕНКО Т.В. — 2004 г.

Трехмерный объектно-ориентированный кинетический плазменно-пылевой код SUR-Dust применен в исследованиях коллективных и диссипативных процессов в пылевой плазме. В вычислительном эксперименте анализируются неравновесные функции распределения ионов и электронов по скоростям, самосогласованные электрические поля, создаваемые пылью и частицами плазмы, ослабление потоков плазмы пылевым слоем и эффективные сечения рассеяния плазмы вблизи поверхности электрода.