научный журнал по химии Кристаллография ISSN: 0023-4761

ЖУРАВЛЕВ В.Г., МАЛЕЕВ А.В. — 2007 г.

Исследованы количественные характеристики степени дальнего трансляционного порядка в двумерном квазипериодическом разбиении Рози: функция сложности и глубина форсинга. Доказано равенство значений функции сложности c(n) и количества фигур в n-короне, выращенной из затравки, состоящей из трех фигур разного типа. Обнаружено свойство аддитивности функции сложности c(n). Установлена связь скачков максимальной глубины форсинга с большими неполными частными разложения в цепную дробь иррациональных углов поворотов единичной окружности, определяющих рост геодезических цепей.

ПАЛИСТРАНТ А.Ф. — 2007 г.

Дано решение задачи, поставленной еще в начале 70-х гг. прошлого столетия, по нахождению так называемых пространственных групп магнитной симметрии с кристаллографическими углами поворота вектора спина. Выявлены те P-симметрии, с которыми необходимо обобщить трехмерные пространственные федоровские группы G3. Группы G3 обобщены с каждой из них.

АЛЕНКОВ В.В., ЗАБЕЛИН А.Н., ПЕРЕЛОМОВА Н.В., ЧИЖИКОВ С.И. — 2007 г.

Рассмотрена проблема вырождения упругих волн, распространяющихся в окрестности акустических осей в центросимметричных кристаллах во внешнем электрическом поле и в кристаллах произвольной симметрии при действии одноосных механических напряжений. Для случая акустических осей, совпадающих в отсутствие внешнего воздействия с осями симметрии, получены уравнения, описывающие направления внешнего воздействия, при которых разница скоростей исходно вырожденных поперечных волн или углы расщепления и смещения исходных вырождений достигают максимальных значений. На примере акустических осей в кристаллах LiNbO3, La3Ga5SiO14, Bi12SiO20 и SrTiO3 рассчитаны экстремальные направления одноосных механических напряжений и соответствующие им изменения характеристик поперечных волн. Проанализировано поведение акустических осей при действии всестороннего сжатия.

ЖУХЛИСТОВ А.П. — 2007 г.

Цифровые ИП-электронограммы от текстур в сочетании с разностными синтезами фурье-потенциала и моделированием дифракционных картин использованы при изучении дефектов наложения слоев в лизардите 1T политипной группы A. Расчетное моделирование дифракционных профилей вдоль первого (рефлексы 02l, 11l) и второго (20l, 13l) эллипсов электронограмм от текстур проведено для конечных последовательностей из 10 слоев с использованием статистической модели Маркова в квазигомогенном приближении. Особенности распределения интенсивностей на первом эллипсе связаны с проявлением трансляционных (смещения слоев на ±b/3), а на втором эллипсе – ориентационных дефектов (разворот слоев на 180°) укладки слоев. В обоих случаях наблюдаемым распределениям интенсивностей лучше соответствовали профили, вычисленные при содержании около 25% дефектов укладки слоев, факторе ближнего порядка S = 1 и проявлении максимального порядка в чередовании слоев. Показано, что нарушение регулярного чередования слоев в структуре лизардита 1Т, характеризующейся одинаковой ориентировкой смежных слоев, наряду со смещениями слоев на ±b/3 в значительной мере связано с формированием последовательностей с противоположной ориентировкой смежных слоев, что приводит к сочетанию в нанокристаллах лизардита 1T последовательностей слоев, свойственных политипным группам A и D.

КЛИМЕНКОВА А.А., МАКСИМОВ Б.А., МИЛЛЬ Б.В., МОЛЧАНОВ В.Н., ПУЩАРОВСКИЙ Д.Ю. — 2007 г.

Методом рентгеноструктурного анализа определены абсолютные кристаллические структуры двух энантиоморфных форм кристаллов Сa3Ga2Ge4O14 (пр. гр. P321), имеющих положительный (R/Rw = 1.75/2.57%) и отрицательный (R/Rw = 1.86/2.78%) знаки оптической активности. При замене ионов Са2+ на более крупные ионы Sr2+ (Sr3Ga2Ge4O14) наблюдается анизотропное расширение решетки с предпочтительным увеличением параметра a относительно c, изменение заселенности позиций 1a и 3f ионами Ga3+ и Ge4+, симметризация октаэдров и тетраэдров, образующих каркас структуры. Форма додекаэдра меняется таким образом, что его протяженность вдоль полярной электрической оси 2 заметно увеличивается, что является основной причиной возрастания пьезоактивности Sr3Ga2Ge4O14 по сравнению с Ca3Ga2Ge4O14.

АВДЕЕВ М.В., АКСЁНОВ В.Л., КИЗИМА Е.А., КОРОБОВ М.В., РОШТА Л. — 2007 г.

Методом малоуглового рассеяния нейтронов исследованы кластеры фуллерена в системе С60/N-метил-2-пирролидон/вода. Показано, что сечение рассеяния, соответствующее диапазону размеров 10–100 нм, зависит от содержания воды в смеси. Добавление воды в раствор С60/NMP в количестве >40% приводит к резкому увеличению среднего сечения рассеяния. Эффект зависит от времени между приготовлением раствора С60/NMP и разбавлением его водой: чем больше возраст первоначального раствора, тем бoльшие кластеры образуются при добавлении воды. Обсуждаются причины данного эффекта.

БЕЛЫХ Н.В., ЛАПТЕВА Т.В., ТАРАСЕНКО О.С., ТАРАСЕНКО С.В. — 2007 г.

На примере ограниченной одномерной акустически сплошной магнитной сверхрешетки типа “легкоосный антиферромагнетик–идеальный металл” с механически свободной поверхностью изучены особенности локализации и распространения сдвиговой объемной волны, индуцированные магнитоупругим взаимодействием, в случае, когда длина упругой волны соизмерима с периодом сверхрешетки.

АРНАУТОВА Е.А., АФОНИКОВА Н.С., ШМЫТЬКО И.М. — 2004 г.

Проведены детальные структурные исследования кристаллов твердых растворов (Rb x(NH 4) (1 _ X)) 2SO 4. Показано, что в этих кристаллах образуются несоизмеримые композитные фазы. Основным отличием открытых композитных структур от традиционно известных является то, что host- и guest-структуры в этих кристаллах в общем случае несоизмеримы вдоль всех трех кристаллографических осей.

СЕРГИЕНКО В.С. — 2004 г.

В обзоре рассмотрены особенности строения мономерных, димерных и полимерных оксопероксокомплексов ванадия(V). Сопоставлено структурное проявление транс-влияния кратносвязанных оксо- и пероксо-лигандов в псевдооктаэдрических оксомонопероксокомплексах V(V). Определена зависимость геометрических параметров V(O 2) n, n = 1, 2 (длины связей V-O, O-O и величины углов OVO) от типа координационного семивершинника металла (псевдооктаэдр, n = 1 или псевдотригональная бипирамида, n = 2). Рассмотрены закономерные искажения координационных полиэдров атома ванадия (псевдооктаэдр, псевдотригональная бипирамида, псевдотетрагональная пирамида, псевдотетраэдр).

КАПУСТИНА О.А. — 2004 г.

Систематизированы и обобщены основные результаты исследований по тем направлениям современной акустики ЖК, которые “выкристаллизовались” из “пионерских” работ профессора А.П. Капустина и являются их продолжением. Обсуждаются следующие аспекты проблемы: акустооптические явления в ЖК, акустически индуцированные домены в ЖК, акустоэлектрические взаимодействия в ЖК, эффекты акустической памяти в ЖК и акустические приборы на ЖК.

АЛЕЙНИКОВА К.Б., АНТИПИН М.Ю., АФАНАСЬЕВ М.М., ЗАНИН И.Е. — 2004 г.

Уточненные данные о кристаллической структуре Zn 3P 2 (I) свидетельствуют о тетраэдрической координации атомов металла, что характерно для ковалентных структур с sр 3-гибридными орбиталями. Полученные по данным прецизионнного рентгендифракционного эксперимента карты распределения деформационной электронной плотности в кристалле I подтверждают преимущественно ковалентный характер связи в этом соединении. На них отчетливо видны ковалентные мостики связи, максимумы которых смещены в сторону электроотрицательного фосфора: чем больше длина связи, тем больше смещение. Наличие делокализованных электронов свидетельствует о частичной металлизации связи.

2004

ИВАННИКОВА Н.В., ШЛЕГЕЛЬ В.Н., ШУБИН Ю.В. — 2004 г.

Рассматривается морфологическое строение граней кристаллов BGO, выращенных методом Чохральского в условиях низких градиентов температуры (0.1-1 град/см), взаимосвязь морфологических особенностей граней на фронте кристаллизации и образование дефектов в объеме кристалла. Показано, что грани {112} сохраняют устойчивость при отклонении растущей поверхности от кристаллографической плоскости (112) вплоть до 1°. При большем отклонении область устойчивого гранного роста в зависимости от условий переходит к области макроступеней, либо к области нормального роста.

2004

2004

2004

ЖЕЛТОВ М.А., КАЗАКОВ А.А., КОРОЛЕВ А.А., ЛЕОНОВ А.А., ШИБКОВ А.А. — 2004 г.

Представлены результаты экспериментального исследования дендритного роста льда в переохлажденной воде. Обнаружено, что с ростом исходного переохлаждения воды данные измерения скорости вершины дендрита v t, средней дистанции между вершиной и первой боковой ветвью zˉ sb и фрактальной размерности d f контура дендрита расходятся с аналитическими и численными расчетами параметров дендритного роста. Показано, что расхождение между экспериментом и теорией обусловлено переходом от диффузионного роста к росту, который контролируется механизмом поверхностной кинетики. Обсуждена природа анизотропной поверхностной кинетики роста льда в переохлажденной воде.

БРЮКВИН Д.В., ЗЕМСКОВ В.С., РАУХМАН М.Р., ШАЛИМОВ В.П. — 2004 г.

Выполнен сравнительный анализ микроструктур направленно закристаллизованных эвтектических сплавов (НКЭ) квазибинарной системы InSb-NiSb, полученных при различных условиях конвективного перемешивания в расплаве методами Чохральского и направленной кристаллизации в ампуле в земных условиях и в условиях невесомости. Выявлено, что рост фаз при направленной кристаллизации эвтектики InSb-NiSb определяется не исключительно диффузионным механизмом перераспределения компонентов на фронте кристаллизации, а диффузионно-конвективным. Впервые проводится сравнительный анализ влияния микроструктур выращенных кристаллов на значения магниторезистивного эффекта (R M). Показано, что на величину R M НКЭ InSb-NiSb оказывают влияние плотность игл NiSb, разупорядоченность эвтектической структуры и электрофизические параметры матрицы.

БОРГАРДТ Н.И., ЗАЙБТ М., ПЛИКАТ Б., ШРЕТЕР В. — 2004 г.

Структура аморфного слоя германия вблизи границы с поверхностью (111) кремния исследована методами количественной высокоразрешающей электронной микроскопии. Установлено, что трансляционная симметрия кристалла кремния приводит к кристаллоподобному порядку в расположении атомов германия в приграничной области аморфного материала, протяженность которой составляет около 1.4 нм. В этой области средняя ориентация наклоненных относительно границы межатомных связей компенсирует различие в длине связей в кристаллическом кремнии и аморфном германии и обусловливает тетрагональные искажения в положении наиболее вероятных атомных позиций.

КОЖЕМЯКИН Г.Н. — 2004 г.

Исследовано влияние ультразвука на слоистость в монокристаллах InSb, GaAs и сплавов Bi-Sb, выращенных модифицированным методом Чохральского. Ультразвуковые волны с частотой от 0.15 до 10 МГц вводили в расплав параллельно направлению вытягивания. Установлено, что в монокристаллах, вытянутых в ультразвуковом поле, значительно уменьшается слоистость. Модифицированным методом жидкофазной эпитаксии выращены эпитаксиальные слои GaAs при воздействии ультразвука c частотой 3 МГц. Изучено влияние ультразвука на изменение морфологии поверхности роста эпитаксиальных слоев с помощью установки, позволяющей наблюдать процесс роста под микроскопом в инфракрасной области спектра. Обнаружена зависимость влияния ультразвуковых волн на рост макроступеней. Методом “светового ножа” исследовано влияние ультразвука с частотой 1 МГц на конвективные течения и формирование стоячих волн в дистиллированной воде при различных условиях: изменении градиента температуры, скорости вращения диска и высоты жидкости.