научный журнал по химии Кристаллография ISSN: 0023-4761

МИЛОВИДОВА С.Д., РОГАЗИНСКАЯ О.В., СИДОРКИН А.А., СИДОРКИН А.С. — 2004 г.

Исследуется влияние внутреннего поля смещения, созданного примесями ионами тяжелых металлов и молекулами альфа-аланина, на диэлектрическую нелинейность и эмиссионные свойства сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата. Показано, что в области фазового перехода возрастает роль дефектов, что проявляется в уменьшении максимальных значений эффективной диэлектрической проницаемости и увеличении эмиссионного тока с ростом концентрации примеси.

ПАРФЕНОВА И.И. — 2004 г.

Представлена модель, описывающая распределение длин связей в четырехкомпонентных твердых растворах A 3B 5 в квазиконтинуальном приближении и позволяющая рассматривать большие кластеры с минимальными вычислительными затратами. Получено аналитическое выражение для радиальной функции распределения. Результаты моделирования хорошо описывают имеющиеся экспериментальные данные. Для ряда растворов оценена энергия деформаций в приближении валентного силового поля. Показано, что основной вклад в энергию вносит дисперсия длин связей.

ВЕРИН И.А., КОНДАКОВ Д.Ф., МАКСИМОВ Б.А., МИЛЛЬ Б.В., МОЛЧАНОВ В.Н., ПИСАРЕВСКИЙ Ю.В., ПУГАЧЕВА А.А., СИМОНОВ В.И., ЧЕРНАЯ Т.С. — 2004 г.

Методом Чохральского выращены монокристаллы La 3Zr 0.5Ga 5Si 0.5O 14 со структурой Ca 3Ga 2Ge 4O 14. Выполнено полное рентгеноструктурное исследование (P321, a = 8.226(1), c = 5.1374(6) Å, Z = 1, MoK α, 1920 независимых рефлексов, R = 0.0166, R w = 0.0192). Определена абсолютная структура. Показана возможность образования структурных дефектов в результате перехода части атомов La (~1.2 %) из позиций 3е в позиции 6g.

БЕЗМАТЕРНЫХ Л.Н., ВАСИЛЬЕВ А.Д., ГУДИМ И.А., ТЕМЕРОВ В.Л. — 2004 г.

Изучены условия раствор-расплавного синтеза монокристаллов Pb 3Ga 2Ge 4O 14, Ba 3Ga 2Ge 4O 14 и их твердых растворов Pb 3-хВа хGа 2Ge 4O 14. Приведены результаты структурных исследований, которые показывают, что в первых двух монокристаллах, выращенных в таких условиях, позиционного смешивания катионов Ga 3+ и Ge 4+ не происходит.

ВЕЛИХОВ Ю.Н., ВОРОНОВ А.П., КОЛЫБАЕВА М.И., ПРИТУЛА И.М., ПУЗИКОВ В.М., САЛО В.И., ТКАЧЕНКО В.Ф. — 2004 г.

Изучено влияние различных технологических параметров кристаллизации (кислотность раствора для выращивания, температура кристаллизации, скорость роста, степень очистки растворов) на величину оптического поглощения в крупногабаритных монокристаллах KDP в ультрафиолетовой области спектра. Показано, что метод рециркуляции растворителя с использованием исходного сырья и содержанием микропримесей не выше 5 x 10 -5 мас. % с применением ультрафильтрации растворов при оптимальных условиях кристаллизации (t кр = 80°C, V кр ~ (0.8-1.6) x 10 -6см/с, pH 4) позволил получить монокристаллы KDP сечением до 300 x 300 мм 2, величина пропускания которых вблизи края фундаментального поглощения (λ = 200 нм) составляет 86%.

ГАХРАМАНОВ Н.Ф., ГУСЕЙНОВ Г.Г., ДЖАББАРОВ А.И., ОРУДЖЕВ С.К. — 2004 г.

Выращены монокристаллы и исследована температурная зависимость магнитной восприимчивости CuFeTe 2 в интервале температур 1.8-400 К. Установлено, что магнитная восприимчивость проявляет аномалии при температурах T s = 65 и T N = 125 К. При Т > 125 К кристалл находится в парамагнитном состоянии, определяемом ионами железа Fe 2+ и меди Cu 2+ с эффективным магнитным моментом 1.44 мБ.

ИВАНОВСКИЙ А.Л., КОВЯЗИНА С.А., ЛЕОНИДОВ И.А., ЛЕОНИДОВА О.Н., ПЕРЕЛЯЕВА Л.А. — 2004 г.

Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света изучены фазы переменного состава Ca 3- 3xNd 2x(AO 4) 2, где A = P, V, 0 ≤ x ≤ 0.14, на основе ортованадата и ортофосфата кальция. Рассмотрено влияние состава и температуры на особенности строения этих соединений. Наблюдаемые изменения в спектрах при повышенных температурах обусловлены протеканием обратимого фазового перехода, связанного с перераспределением кальция по различным позициям и изменением ориентации части тетраэдров AО 4.

ВОРОНОВ А.П., КОЛЫБАЕВА М.И., ПРИТУЛА И.М., ПУЗИКОВ В.М., САЛО В.И., ТКАЧЕНКО В.Ф. — 2004 г.

Проведено трехмерное моделирование и исследованы факторы, определяющие гидродинамические условия эффективного массопереноса при выращивании крупногабаритных (сечением до 45 х 45 см 2 )кристаллов KDP из растворов в реальном кристаллизаторе емкостью 300 л. Реализованы условия движения пересыщенного раствора к растущей поверхности кристалла в направлении, противоположном гравитации. Разработанный режим выращивания позволил увеличить в 5 раз скорость роста крупногабаритных кристаллов KDP с сохранением их высокого оптического качества.

КАПЛУНОВ И.А., КОЛЕСНИКОВ А.И., ТЕРЕНТЬЕВ И.А. — 2004 г.

Монокристаллы парателлурита обладают высокими акустооптическими свойствами, важными для различных устройств - дефлекторов, модуляторов, перестраиваемых неколлинеарных фильтров. Кристаллы парателлурита диаметром до 80 и высотой до 100 мм были выращены способом Чохральского из сверхчистых расплавов. Оптические аномалии в кристаллах - газовые пузырьки, примеси, свили, инородные включения и механические напряжения вблизи них, области с повышенной плотностью дислокаций исследованы химическими, рентгеновскими и оптическими методами.

ГОЛОВАНЬ Л.А., ИМАНГАЗИЕВА К.Б., КАШКАРОВ П.К., КОНСТАНТИНОВА А.Ф., КРУТКОВА Е.Ю., ТИМОШЕНКО В.Ю. — 2004 г.

Проведено исследование оптических характеристик пленок пористого кремния, полученных электрохимическим травлением кристаллического кремния с ориентацией поверхности (110). Определена дисперсия показателей преломления, обнаружен дихроизм в видимой области спектра. Определены фактор деполяризации и пористость пленок кремния. Показано, что полученные результаты описываются в рамках обобщенной модели Бруггемана. Обсуждаются возможные причины обнаруженных расхождений между экспериментальными данными и моделью.

РАТИНА Н.В., СТРУКОВ Б.А., ФЕДОРИХИН В.А., ШИЛЬНИКОВ А.В. — 2004 г.

В ультраслабых измерительных полях на низких и инфранизких частотах сравниваются диэлектрические отклики кристаллов триглицинсульфата (ТГС) (номинально чистых, с примесями хрома -ТГС + Cr 3+, Lα-аланина и подвергнутого рентгеновскому облучению ТГС + Cr 3+). Показано, что смещающие поля, обусловленные примесями, создают униполярность кристаллов, подавляют доменный вклад в их диэлектрический отклик и приводят к размытию фазового перехода (ФП). Обнаружено, что рентгеновское облучение приводит к “радиационному отжигу” кристалла ТГС + Cr 3+ - его диэлектрическая проницаемость увеличивается, а размытие ФП уменьшается.

ОЛЕХНОВИЧ Н.М. — 2004 г.

Предложен метод определения средних длин ненапряженных A-X (l 0AX) и B-X (l 0BX) связей, а также отношения постоянных жесткости этих связей для соединении ABX 3 со структурой типа перовскита. Величины l 0AX и l 0BX соответствуют минимумам энергий катион-анионного взаимодействия подрешеток. Приведены полученные значения l 0AX и l 0BX для ряда групп галоидных и оксидных соединении A +B 2+F 3, Cs +B 2+Cl 3, A +B 5+O 3, A 2+B 4+O 3 и A 3+B 3+O 3. Установлено, что l 0AX и l 0BX для большинства исследованных соединений соответствуют межатомным расстояниям в кристаллах бинарных соединений или близки к ним. Величины l 0AX и l 0BX сравниваются с суммой радиусов соответствующих катионов (R A, R B) и анионов ( VIR O 2-, VIR Fˉ, VIR Clˉ ). Установлено, что разности l 0AO - VIR O 2- (L 0AF - VIR Fˉ) и l 0BO - VIR O 2-(l 0BF - VIR Fˉ, ), рассматриваемые как радиусы A- и B-катионов в ненапряженных связях, близки к радиусам Шеннона для координационного числа КЧ = 6. Показано, что постоянная жесткости для A-X-связей в несколько раз меньше, чем для B-X-связей.

2004

2004

АСЛАНОВ Л.А., БАБАЕВ Е.В., МАЗИНА О.С., РЫБАКОВ В.Б., ЧЕРНЫШЕВ В.В. — 2004 г.

Методом монокристальной рентгеновской дифракции исследованы структуры 1-[2-(4-хлорфенил)-2-оксоэтил]-2-1, 2, 5, 6, 7, 8-гексагидрохинолин-3-карбонитрила (а = 4.908(4), b = 11.644(10), c = = 13.587(8) Å, β = 94.31(5)°, Z = 2, пр. гр. Р2 1), 2-[2-(4-хлорфенил)-2-оксоэтокси]-5, 6, 7, 8-тетрагидрохинолин-3-карбонитрила (а = 7.6142(8), b = 14.778(2), c = 14.132(2) Å, β = 100.38(1)°, Z = 4, пр. гр. P2 1/c), перхлората 4-(аминокарбонил)-2-(хлорфенил)-6, 7, 8, 9-тетрагидро[1, 3]оксазоло[3, 2-а]хинолин-3-ия (а = 5.589(7), b = 24.724(15), c = 13.727(5) Å, β = 97.66(9)°, Z = 4, пр. гр. P2 1/n) и (3-амино-5, 6, 7, 8-тетрагидрофуро[2, 3-b]xинолин-2-ил)-(4-xлорфенил) метанона (a = 7.150(2), b = 7.4288(10), c = 15.314(3) Å, a = 98.030(10), β = 99.21(2), γ = 105.34(2)°, Z = 2, пр. гр. P1 ). Структуры решены прямыми методами и уточнены полноматричным МНК в анизотропном приближении соответственно до R = 0.0728, R = 0.0439, R = 0.1228, R = 0.0541. Методом порошковой дифракции исследована структура 1-(4-хлорфенил)-4-пиперидин-1-ил-8, 9-дигидро-7H-пироло[3, 2, 1-ij']хинолин-5-карбоксоамида (a = 23.9895(9), b = 5.1557(3), c = 17.0959(9) Å, β = 106.43°, Z = 4, пр. гр. P 1/c). Структура определена методом систематического поиска, уточнение проводилось методом Ритвельда соответственно до R wp = 0.0773, R exp = 0.0540, R p = 0.0585, R b = 0.1107, χ 2 = 1.78.

БУРСИАН Э.В., ЗАЙЦЕВ А.И., РЫЧГОРСКИЙ В.В. — 2004 г.

Проведен анализ работ, посвященных изменению состояния сегнетоэлектрического кристалла при прохождении через него потока электромагнитной энергии высокой интенсивности. Основные параметры, определяющие фазовый переход, при этом существенно меняются. Кроме того, развиваются явления, характерные для сугубо открытых термодинамических систем (появляются самоорганизующиеся диссипативные структуры). Явления обнаруживаются при генерации второй оптической гармоники в кристаллах, лишенных естественного синхронизма.

БЫКОВА С.В., ГОЛЫШЕВ В.Д., ГОНИК М.А., ДЮФФАР Т., МАРЧЕНКО М.П., ФРЯЗИМОВ И.В., ЦВЕТОВСКИЙ В.Б. — 2004 г.

Для исследования возможности получения макрооднородных кристаллов Ga 1-xIn xSb с x = 0.2 использован метод осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации (ОТФ). Анализ выросших слитков проведен на электронном сканирующем микроскопе JSM-5300, и результаты этих исследований сравнены с результатами численного моделирования. Показано, что математическая модель в целом правильно описывает процессы переноса тепла и массы в стационарном режиме. Выявлено, что при кристаллизации Ga 1-xIn xSb в условиях слабых ламинарных течений методом ОТФ продольная однородность наблюдается в случае создания в расплаве застойной зоны и получения режима кристаллизации, близкого к диффузионному. Показано, что состав кристалла сильно зависит от характера течения расплава и его динамики.

АСТАФЬЕВ С.Б., ДМИТРИЕНКО В.Е., КЛЕМАН М., ЧИЖИКОВ В.А. — 2004 г.

Исследованы брэгговские рефлексы от икосаэдрических квазиристаллов, полученных в ходе компьютерного эксперимента по моделированию роста, с помощью развитой ранее теории, позволяющей “выращивать” в компьютере несовершенные квазикристаллы нанометровых размеров. Показано, что абсолютная величина структурной амплитуды может быть близка к максимально возможной для кристаллов, т.е. к случаю, когда все атомы рассеивают в фазе. Изучена спектральная ширина брэгговских рефлексов, и показано, что эта ширина зависит не только от размера квазикристалла в физическом пространстве, но и от перпендикулярной составляющей векторов обратной решетки. Проведено сравнение с имеющимися экспериментальными данными.

АБРАМОВ Н.В., ГОРБИК П.П., ДУБРОВИН И.В., ИАСТАСИЕНКО А.И. — 2004 г.

Разработана лабораторная технологическая методика синтеза высокотемпературных сверхпроводниковых монокристаллов YBa 2Cu 3O 7-δ (Т с ~ 90, ΔТ с ~ 1.0 К) размером до 0.25 см 2 из нестехиометрического фторсодержащего раствор-расплава (YO 1.5)(BaO) 4 _ x(BaF 2) x(CuO) 10, где 2 ≥ x ≥ 0, комбинацией методов массового образования центров роста и направленной кристаллизации. Результаты ДТА показывают, что BaF 2 понижает температуру кристаллизации эвтектики и увеличивает скорость роста кристаллов. Найдена оптимальная концентрация BaF 2 для исходного состава шихты (x = 0.2). Методом атомно-силовой наноскопии исследована поверхность монокристаллов. Отмечено значительное различие морфологии для монокристаллов, синтезированных из расплава собственных компонент и из расплава, содержащего BaF 2.

ГИЙ Я.С., ОСТРОВСКИЙ И.П., ПАВЛОВСКИЙ Ю.В., ЦМОЦЬ В.М. — 2004 г.

Рассмотрены методы выращивания нитевидных кристаллов (НК) кремния и изложены результаты, которые получены в процессе изучения их магнитной восприимчивости χ. Нитевидные кристаллы Si выращены методом химических транспортных реакций в закрытой бромидной системе. Все исследованные кристаллы разделены на четыре группы. К первой группе отнесены кристаллы диаметром 0.1—0.9 мкм, ко второй - двойниковые кристаллы диаметром 1-2 мкм, к третьей - игловидные кристаллы диаметром от 5 до 1500 мкм, к четвертой - изометрические (измерение χ изометрических кристаллов не проводилось). В кристаллах первой группы с увеличением диаметра НК их парамагнетизм переходит в диамагнитизм, а в кристаллах третьей группы диамагнетизм - в парамагнетизм. На всех этих кристаллах выявлена нелинейность зависимости χ от напряженности внешнего магнитного поля H, которая возрастает с увеличением парамагнетизма образцов. Магнитная восприимчивость кристаллов второй группы (двойниковые образцы) диамагнитна, по своему значению близка к χ объемного кремния и нелинейность зависимости χ(H) незначительна. Измеренные значения χ нитевидных кристаллов кремния объясняются особенностями их кристаллической структуры и химическим составом.