научный журнал по химии Кристаллография ISSN: 0023-4761

ЛЕВИНЗОН Д.И., ТАЛАНИН В.И., ТАЛАНИН И.Е. — 2004 г.

С помощью селективного травления и просвечивающей электронной микроскопии исследованы картины распределения и физическая природа (знак деформации кристаллической решетки) ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния, выращенных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского. Предложены схємы образования и трансформации ростовых микродефектов в зависимости от скорости роста кристалла. Рассмотрен гетерогенный механизм зарождения микродефектов.

2004

БЛИСТАНОВ А.А., ГЕРАСЬКИН В.В., ГОРЕЕВА Ж.А., КЛЮХИНА Ю.В. — 2004 г.

Экспериментально изучены и подтверждены расчетами зависимости изменения размера кольца излучения второй гармоники (ВГ) при векторном оое-синхронизме при вращении образца из LiNbO 3. Показано, что по изменению размера кольца при вращении кристалла произвольной ориентации (при условии наблюдения излучения ВГ) можно определить угол 5 внешнего конуса излучения ВГ для векторного оое-синхронизма.

БУТАШИН А.В., ГУДИМ И.А., КОНСТАНТИНОВА А.Ф., ЛИ Л.Е. — 2004 г.

Проведено исследование абсорбционных и люминесцентных свойств кристалла Pb 3Ga 2Ge 4O 14:Nd 3+. Измерены его показатели преломления в области 0.405-1.064 мкм, рассчитана молекулярная рефракция.

ЗАГОРУЙКО Ю.А., КОВАЛЕНКО Н.О., ПУЗИКОВ В.М., ФЕДОРЕНКО О.А. — 2004 г.

Исследованы оптические и электрооптические свойства крупногабаритных (диаметром 20, длиной ~70 мм) монокристаллов твердых растворов полупроводников Zn 1-xMg xSe (x ~ 0.5), выращенных вертикальным методом Бриджмена. Установлено, что у монокристаллов ZnMgSe с концентрацией Mg, достигающей 25 ат.%, модуль разности электрооптических коэффициентов |r 13 - r 33| на длине волны 0.63 мкм составляет (1.1 ± 0.22) х 10 -12 м/B, что по порядку величины сопоставимо с такими классическими для соединений A IIB VI гексагональными материалами, как CdS и CdSe. Проведенные исследования показали, что монокристаллы твердых растворов ZnMgSe являются перспективным материалом для изготовления электрооптических модуляторов, λ/4- и λ/2-волновых пластин, многофункциональных оптических элементов, способных работать с высокоинтенсивным излучением CO- и СO 2-лазеров.

АЛЕШИН В.А., БУРХАНОВ А.И., ГАХ С.Г., ЗАХАРЧЕНКО И.Н., КУДАШЕВ А.С., ШИЛЬНИКОВ А.В. — 2004 г.

Представлены результаты исследований реверсивных зависимостей диэлектрической проницаемости ε'(Е =) сегнетоэлектрических пленок Pb(Ti 0.45Zr 0.53W 0.01Cd 00.1)O 3, полученных методом высокочастотного катодного распыления, на подложке из нержавеющей стали. Сопоставляется поведение ε'(E =) и петель поляризации. Обсуждаются механизмы, обусловливающие особенности диэлектрического отклика в пленках.

СИДОРОВ Т.А. — 2004 г.

Из сравнения межатомных расстояний Ti-O в асимметричных мостиках Ti-O-Ti в сегнетоэлектрических фазах титаната бария с расстояниями O-H в мостиках O-H∙∙∙O в соединениях с сильными водородными связями заключено, что ромбоэдрическая, ромбическая и тетрагональная фазы BaTiO 3 могут рассматриваться как образованные из групп атомов TiO 2- 3, TiO 2 и TiO 2+ соответственно. Между этими группами имеется сильное электростатическое взаимодействие, под влиянием которого группы ориентируются в одном направлении в каждой фазе, что и обусловливает спонтанную поляризацию фаз. Переполяризация каждой фазы под действием достаточно сильного электрического поля происходит вследствие перемещения атомов кислорода от одного атома титана к другому, что ведет к изменению ориентации группы на противоположную.

2004

ВОЛК Т.Р., ГИНЗБЕРГ А.В., ИВАНОВ Н.Р., ИВЛЕВА Л.И., ЧУМАКОВА С.И. — 2004 г.

Показано, что ряд наблюдаемых особенностей переполяризации и монодоменизации сегнетоэлектрического кристалла SBN-0.61 и ДТГС (модельного объекта) электрическим полем - замедленная или неполная монодоменизация в сильном поле, деградация петель гистерезиса, временная зависимость и эффект памяти остаточной доменной плотности - связан с заторможенным дефектами движением вперед (прорастанием) динамических доменов с “заряженными” наклонными стенками при отсутствии бокового движения.

КОРОТКОВ Л.Н., ШУВАЛОВ Л.А. — 2004 г.

Обсуждаются закономерности формирования релаксорного состояния и состояния дипольного стекла в системах смешанных кристаллов сегнето-антисегнетоэлектрика семейства дигидрофосфата калия. Рассмотрены вопросы, касающиеся кристаллической структуры, динамики решетки и релаксационных процессов в дипольных стеклах и сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом, реализующихся в системах этого типа.

СЕМЕНЦОВ Д.И., ШУТЫЙ А.М. — 2004 г.

Построены петли гистерезиса 180°-ного плоскостного перемагничивания системы магнитных пленок с кубической кристаллографической анизотропией, связанных межслойным обменным взаимодействием антиферромагнитного типа. Петли соответствуют различной ориентации перемагничивающего поля относительно кристаллографических осей. Обнаружены петли с перемычкой, петли, схлопывающиеся в области малых полей, а также бистабильные (бифуркационные) петли.

ВАЙРИХ Т.Е. — 2004 г.

Соединение Zr 2Se, характеризующееся высоким содержанием металла, представляет особый интерес для электронной кристаллографии, поскольку оно было одним из первых соединений с тяжелым атомом, структуры которых расшифрованы квазиавтоматическими прямыми методами на основе данных дифракции электронов от выбранного участка 1. Поэтому Zr 2Se выбран в качестве модели при обсуждении возможностей и границ квазикинематического подхода, который с успехом использовался для определения этой структуры, а также родственных структур методами электронной микроскопии высокого разрешения и дифракции электронов от выбранного участка. Для того чтобы оценить точность используемых методов электронной кристаллографии, полученные таким образом данные о структуре сравниваются с результатами структурного анализа методом порошковой рентгенографии и моделью, рассчитанной из так называемых “первых принципов” (в рамках теории функционала плотности). Последняя выбрана в этом исследовании в качестве эталона, поскольку расчеты не зависят от экспериментальных параметров. Анализ электронографических результатов показывает, что погрешность структурной модели составляет в среднем лишь 0.08 Å, несмотря на то что эффективная толщина исследованного кристалла равна 286 Å. Результат, полученный уточнением порошковых рентгеновских данных методом Ритвельда, согласуется в пределах 0.04 Å с рассчитанной структурой и в пределах 0.03 Å - с данными рентгеноструктурного исследования монокристаллов [2].

ВИДАЛЬ Ж.-П., ВИДАЛЬ-ВАЛА Ж., КУРКИ-СУОНИО К., КУРКИ-СУОНИО Р. — 2004 г.

Для выяснения природы распределения заряда измеренные интенсивности рентгеновских отражений от СоО выше и ниже точки Нееля были подвергнуты непараметрическому мультипольному анализу. Установлено, что сильные “связывающие максимумы” наблюдаются между ближайшими соседями Со‹100›О. В парамагнитном состоянии эти максимумы образованы только ионами Со, а в антиферромагнитном состоянии они включают сильное взаимодействие СоО. Внешние электроны кислорода порождают небольшие максимумы в направлениях ‹100›, которые достраивают атом до иона О 2-. В парамагнитном состоянии эти максимумы вместе со связывающими максимумами образуют октаэдрическую электронную клетку вокруг каждого атома кослорода. Широкие максимумы плотности между атомами в направлениях ‹101› наблюдаются в обоих состояниях. Они соединяют “связывающие максимумы” в направлении ‹100›. Причем в антиферромагнитном состоянии эта связь более прочная, приводящая к образованию трехмерных межатомных сеток. Предполагается, что такие электронные сетки характерны для структур оксидов металлов.

БУФФА Ф.-А., СТАДЕЛЬМАНН П.А., СУВОРОВА Е.И. — 2004 г.

Высокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия (ВРЭМ) и моделирование ВРЭМ-изображений методом блоховских волн по программе JEMS применены для исследования структуры и определения толщины синтезированных из водных растворов микро- и нанокристаллов гидроксиапатита и биоминералов. Установлено, что тонкие кристаллы толщиной от одного до трех параметров решетки обычно образуются в низкотемпературных растворах (до 40°C), включая кристаллы гидроксиапатита в минерализованных биологических тканях. Относительно толстые кристаллы, достигающие несколько десятков параметров решетки в толщину, могут образовываться только в высокотемпературных водных растворах (около 95°C). Моделирование показало, что кристаллы толщиной более одной элементарной ячейки состоят из нанозерен, разориентированных друг относительно друга в разных направлениях в интервале значений углов 0.7°.

УРУСОВ В.С. — 2004 г.

Анализируется иерархический подход к отбору наиболее вероятных структурных моделей вещества заданного химического состава и последующему уточнению этих моделей различными методами. Наибольшее внимание уделено одному из первых этапов выбора пробной модели на основе принципов полной и локальной электронейтральности кристалла и решению задачи построения и решения графов и матриц связанности. Вводятся простые критерии выделения наиболее устойчивых вариантов распределения химических связей, основанные на принципах минимальной дисимметризации и максимума информационной энтропии.

ГРИДНЕВ С.А., ИВАНОВ О.Н., КОСИЛОВ А.Т. — 2004 г.

Методом низкочастотного крутильного маятника изучено спонтанное кручение кристалла (NH 4) 2SO 4 при фазовом переходе из параэлектрической Pnam в сегнетоэлектрическую Pna2 фазу (Т с = 223 К). Показано, что причиной макроскопического кручения образцов является перестройка сегнетоэластических двойников с плоскостями двойникования {011} и {031}, существующих как в параэлектрической, так и в сегнетоэлектрической фазах. Предложена модель, объясняющая эффект спонтанного закручивания образцов ниже сегнетоэлектрической точки Кюри.

ГРИБОВ Л.А., ДЕМЕНТЬЕВ В.А. — 2004 г.

Описан программный комплекс “Кристалл”, предназначенный для расчетов колебательных состояний конечных кристаллических структур произвольного строения на ПК и суперкомпьютере МВС-1000. Приведены примеры расчетов гистограмм распределения частот колебаний для моделей разных размеров.

СМИРНОВА Н.Л. — 2004 г.

Рассмотрена система ионов с положительными, отрицательными зарядами, абсолютными и эффективными радиусами, а также их встречаемость в зависимости от заряда, радиуса, принадлежности к s-, f-, d-, p-блокам. Составлена схема из непрерывно изоморфных пар катионов и анионов.

ВЕНДИК О.Г., ЗУБКО С.П. — 2004 г.

Показано, что причиной появления размерного эффекта в тонких сегнетоэлектрических пленках является пространственная корреляция сегнетоэлектрической поляризации в зависимости от граничных условий. Описано влияние размерного эффекта на диэлектрическую проницаемость сегне-тоэлектриков типа смещения. Показано, что размерный эффект по-разному проявляется при разной ориентации вектора поляризации по отношению к границам сегнетоэлектрического слоя.

ОВЧИННИКОВА О.В., СМАГУНОВ Н.В., ТАУСОН В.Л. — 2004 г.

Методом гидротермальной термоградиентной сокристаллизации компонентов при 450°C, давлении 1 кбар и различных активностях серы в присутствии примесей As и Se изучено распределение Au между пирротином и гринокитом. Структурная составляющая примеси золота в минералах выделена методом изучения статистических выборок аналитических данных для монокристаллов. Установлен предел вхождения золота в железистый гринокит, составивший 10 ± 2 г/т. Величина предела вхождения в Au в стехиометрический пирротин оценена как 25 ± 9 г/т. Для нестехиометрических пирротинов она ниже. Добавки As и Se практически не влияют на концентрацию структурного золота в минералах. Показано, что конституционные вакансии пирротина не улавливают примеси золота. Сделано предположение, что наблюдаемый эффект может иметь ростовую природу и быть связанным с поверхностными свойствами кристаллов нестехиометрического пирротина, растущих в гидротермальных условиях. Методом РФЭС выявлены различия в структуре поверхности пирротинов разного состава и продуктов сорбции ими золота.