научный журнал по химии Неорганические материалы ISSN: 0002-337X

Архив научных статейиз журнала «Неорганические материалы»

  • СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ ФУЛЛЕРЕНОПОДОБНЫХ НАНОКЛАСТЕРОВ НА ОСНОВЕ ДИСУЛЬФИДОВ MO, NB, ZR И SN

    ЕНЯШИН А.Н., ИВАНОВСКАЯ В.В., ИВАНОВСКИЙ А.Л., МАКУРИН Ю.Н. — 2004 г.

    Проведено моделирование атомной структуры, электронного строения и параметров межатомных взаимодействий для квазинульмерных фуллереноподобных наноформ дисульфидов Mo, Nb, Zr, Sn. Указанные характеристики анализируются в зависимости от химического состава, размеров и типа атомных конфигураций наноструктур и обсуждаются в сравнении с электронными свойствами нанотрубок и кристаллов соответствующих дисульфидов.

  • СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Ві 2ТЕ 3 _ XSE X, ЛЕГИРОВАННЫХ ОЛОВОМ

    ГАСЕНКОВА И.В., СВЕЧНИКОВА Т.Е. — 2004 г.

    Изучены электрофизические свойства твердых растворов Bi 2_ ySn yTe 3_ xSe x. Показано, что легирование оловом изменяет характер температурной зависимости коэффициента термо-э.д.с. и электропроводности монокристаллов. Это указывает на существование примесных резонансных уровней Sn, расположенных на фоне спектра валентной зоны. Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы дефекты кристаллического строения и дислокационная структура Bi 2Te 3 и твердых растворов Bi 2 _ ySn yTe 3_ xSe x. Установлено, что преобладающим видом дефектов в данных монокристаллах, полученных методом Чохральского, являются расположенные в плоскости базиса (0001) дислокации. Оценочная плотность дислокаций составляет 10 8-10 9см -2. Плоскостью скольжения дислокаций является плоскость базиса. Из анализа электронно-микроскопических снимков выявлено присутствие дефектов упаковки и очень малых дислокационных петель, как в Bi 2Te 3, так и в монокристаллах Bi 2 - ySn yTe 3 - xSe x. Поскольку все исследуемые образцы монокристаллов являются сильно вырожденными полупроводниками, можно предположить, что наблюдаемые дефекты кристаллической структуры в указанных твердых растворах не будут оказывать существенного влияния на их электрофизические свойства.

  • СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ ФАЗ СИСТЕМЫ CU 2SE-IN 2SE 3-CR 2SE 3

    АНЦЫШКИНА А.С., КОНЕШОВА Т.И., САДИКОВ Г.Г., СЕРГИЕНКО В.С. — 2004 г.

    Выполнено рентгеноструктурное исследование монокристаллов тройной системы Cu 2Se-In 2Se 3-Cr 2Se 3 в области состава CuInCr 2Se 5: CuInCr 4Se 8 (I), Cu 2In 2Se 4 (II), Cu 0.5In 0.5Se (III). Кристаллы I кубические (тип шпинели): a = 10.606(4) Å, Z = 4, пр. гр. F43m. Кристаллы II псевдо-тетрагональные (тип сфалерита): a = 5.774(2), с = 11.617(6) À. Расшифровка структуры II выполнена в рамках редуцированной элементарной ячейки с параметрами a = 5.774(2), b = 5.774(2), с = 7.095(6) Å, α = = 113.95(5)°, β = 113.95 (5)°, γ = 90.00(4)°, Z = 1, пр. гр. P1. Кристаллы III триклинные (разупорядо-ченная структура II): a = 4.088(1), b = 4.091(2), c = 4.101(1) Å, α = 60.05(1)°, β = 60.08(1)°, γ = 89.98(4)°, Z = 1 пр. гр. P1. В I атомы Cu и In занимают разные тетраэдрические, а атомы Cr - октаэдрические пустоты в плотной упаковке из атомов Se. Расстояния In-Se - 2.538(6), Cr(1)-Se(1) 2.514(7), Сг(1)-Se(2) 2.576(8), Cu-Se 2.437(5) À. В II все атомы находятся в тетраэдрических позициях, средние значения длин связей In-Se - 2.578(6), Cu-Se 2.44(1) - Å. В III атомы Cu и In занимают статистически одну тетраэдрическую позицию, среднее расстояние Cu (In)-Se - 2.508(6) À.

  • СТРУКТУРА ОБОГАЩЕННЫХ ОЛОВОМ РАСПЛАВОВ СИСТЕМЫ SN-IN

    КОРОЛЫШИН А.В., ЛУЦИШИН Т.И., МУДРЫЙ С.И. — 2004 г.

    Методом дифракции рентгеновского излучения изучена структура жидких сплавов системы олово-индий, содержащих 2.5, 5, 7.5, 10 и 12.5 ат. % In. Проанализированы структурные факторы и рассчитаны функции атомного распределения. Методом обратного метода Монте-Карло рассчитаны парциальные структурные факторы и проведена их интерпретация.

  • СТРУКТУРА, ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ И ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В ФУЛЛЕРЕНОПОДОБНЫХ НАНОЧАСТИЦАХ НА ОСНОВЕ СЛОИСТЫХ ДИБОРИДОВ МВ 2 (М - MG, AL, SC, Ті)

    ЕНЯШИН А.Н., ИВАНОВСКАЯ В.В., ИВАНОВСКИЙ А.Л. — 2004 г.

    Проведено квантово-химическое моделирование структуры, электронного строения и параметров межатомных взаимодействий в фуллереноподобных молекулах M nB 2n (n = 10, 30, 90, 120, 160; M -Mg, Al, Sc, Ti) на основе слоистых диборидов MB 2. Указанные характеристики проанализированы в зависимости от типа атомных конфигураций, размера и химического состава M nB 2n. Рассмотрено электронное строение более сложных концентрических наночастиц, образуемых каркасными молекулами M nB 2n одинакового (M 10B 20@M 90B 180) и смешанного (M 10B 20@ M' 90 B 180, где M, M' - Mg, Al) составов. Результаты обсуждены в сравнении с электронными свойствами кристаллических фаз MB 2.

  • СТРУКТУРИРОВАНИЕ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ СЛАБЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ РАДИОЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА

    БУРНОВ Н.А., ЗАРЕМБО В.И., КИСЕЛЕВА О.Л., КОЛЕСНИКОВ А.А., СУВОРОВ К.А. — 2004 г.

    Исследовано влияние слабых электромагнитных полей радиочастотного диапазона на процессы твердения минеральных вяжущих материалов, кристаллизации металлов и сплавов, растворов и расплавов солей. Воздействие электромагнитного поля на эти процессы объяснено электромагнитно-акустическими преобразованиями. Предположено, что в резонансном режиме при диссипации энергии устанавливаются согласованные движения флуктуирующих надмолекулярных структур в мезофазе, что увеличивает скорость переноса и выравнивания термодинамических параметров.

  • СТРУКТУРНАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ И МИКРОНАПРЯЖЕНИЯ В ПЕРОКСИДАХ ЩЕЛОЧНОЗЕМЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ ПОСЛЕ МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ

    МАССАЛИМОВ И.А. — 2004 г.

    С помощью рентгенографического анализа исследованы образцы CaO 2 до и после механической обработки (МО). Обнаружено скачкообразное изменение параметров элементарной ячейки, а также изменение ширины рентгеновских линий в результате МО в течение определенного времени.

  • СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК AGIN 5S 8, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ИСПАРЕНИЯ

    БОДНАРЬ И.В., ГРЕМЕНОК В.Ф. — 2004 г.

    На тонких пленках AgIn 5S 8, полученных импульсным лазерным испарением объемных кристаллов на стеклянные подложки, исследованы кристаллическая структура, состав, морфология поверхности и измерены спектры пропускания и отражения в спектральной области от 0.5 до 2.5 мкм. Рассчитан коэффициент оптического поглощения и определены энергии для прямых и непрямых межзонных переходов. Показано, что полученные экспериментальные результаты для лазерно-осажденных слоев AgIn 5S 8 хорошо согласуются с данными для объемных кристаллов.

  • СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НИОБАТА НАТРИЯ В НИОБАТАХ LA, ND

    БЕЛОУС А.Г., ВЬЮНОВ О.И., МИЩУК Д.О., ОВЧАР О.В. — 2004 г.

    Установлено образование твердых растворов со структурой перовскита Ln 2/ 3 _ x Na 3x  □ 4/ 3 - 2x Nb2O 6 (Ln - La, Nd), симметрия которых понижается при увеличении содержания натрия: Pmmm-Pmmn-Pbcm. Для твердых растворов с различными пр. гр. рассчитаны структурные параметры и исследованы диэлектрические свойства.

  • СТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ ПРИ МЕХАНОХИМИЧЕСКОМ СИНТЕЗЕ И НАГРЕВАНИИ СПЛАВОВ СИСТЕМЫ CO-AL

    ПОРТНОЙ В.К., ТРЕТЬЯКОВ К.В., ФАДЕЕВА В.И. — 2004 г.

    Методами рентгенографического анализа и дифференциальной сканирующей калориметрии изучена структурная перестройка кобальта под действием высокоэнергетической деформации при шаровом помоле, а также процессы механохимического синтеза (МС) сплавов Co с 3, 10, 20 и 50 ат. % Al. Показано, что при помоле кобальта, как правило, существующего в виде двух модификаций - гексагональной плотноупакованной (ГПУ) и гранецентрированной кубической (ГЦК), при небольших временах воздействия (2-3 мин) исчезает высокотемпературная ГЦК-модификация. Продолжение помола приводит к обратному структурному превращению ГПУ → ГЦК. Данное превращение под действием деформации в шаровой мельнице связано с увеличением вероятности образования дефектов упаковки, величина которой достигает 20%. При МС сплавов Co с 3-20 ат. % Al на начальном этапе наблюдается аналогичная перестройка кристаллической структуры кобальта. Образование твердого раствора Co 1 _ xAl x (x < 0.5) с ГЦК-структурой сопровождается увеличением вероятности появления дефектов упаковки. Присутствие Al стабилизирует дефекты упаковки в гексагональной модификации кобальта и ускоряет переход в кубическую модификацию, в которой растворяется алюминий. При МС смеси Co + 20 ат. % Al кроме твердого раствора на промежуточном этапе формируется интерметаллид CoAl, который исчезает при продолжении помола. При МС эквиатомной смеси Co + 50 ат. % Al происходит образование однофазного интерметаллида CoAl. Нагрев МС-сплавов до 720°С приводит к стабилизации образовавшихся фаз - твердого раствора Co 1 _ xAl x (x < 0.5) и интерметаллида CoAl. При нагреве сплавов, полученных на промежуточных этапах МС, выявлено образование метастабильной фазы Co 3Al (тип L1 2), которая исчезает при нагреве до более высоких температур.

  • СТРУКТУРНЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ LI XNA 1 _ XNBО 3, СИНТЕЗИРОВАННЫХ ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ

    ВЫШАТКО Η.П., МОРОЗ И.И., ОЛЕХНОВИЧ Н.М., ПАЛАТНИКОВ М.Н., ПУШКАРЕВ А.В., РАДЮШ Ю.В. — 2004 г.

    При высоких давлениях (6 ГПа) и температурах (1100-1500°C) синтезированы твердые растворы Li xNa 1 _ xNbО 3 с x = 0.125, 0.17, 0.25 и проведены их рентгеноструктурные исследования. Для полученных твердых растворов установлена последовательность полиморфных переходов в зависимости от состава и температуры. Приводятся концентрационные и температурные зависимости параметров кристаллической решетки для выявленных полиморфных модификаций. Показано, что при нормальных условиях твердые растворы, полученные при высоком давлении, с x = 0.17 и 0.25 являются пересыщенными и при нагревании выше =800°C в данных системах выделяется фаза на основе LiNbO 3.

  • ТВЕРДОФАЗНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ТЕРМИЧЕСКОМ ОКИСЛЕНИИ GAAS С ПОВЕРХНОСТЬЮ, МОДИФИЦИРОВАННОЙ ВАНАДИЕМ

    ЛАПЕНКО А.А., МИТТОВА И.Я., ТОМИНА Е.В., ХОРОХОРДИНА А.О. — 2004 г.

    Показано, что в процессе термического окисления арсенида галлия с магнетронно нанесенным слоем ванадия морфология поверхности изменяется при более высокой скорости роста оксидных слоев по сравнению с окислением эталонных образцов GaAs. Механизм процессов, происходящих на поверхности и на межфазной границе полупроводник/металл, объяснен с учетом возникновения на ней переходной области V xGa yAs z, способной “программировать” механизм окисления V/GaAs.

  • ТВЕРДЫЕ ЭЛЕКТРОЛИТЫ НА ОСНОВЕ SNF 2

    СОРОКИН Н.И. — 2004 г.

    Рассмотрено влияние особенностей атомного строения, условий получения и термической предыстории твердых электролитов на основе SnF 2 на механизм анионной проводимости, а также перспективы их применения в различных электрохимических приборах.

  • ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ И ЕГО ФОТОИНДУЦИРОВАННЫХ ИЗМЕНЕНИЙ В КРИСТАЛЛЕ BI 12TIO 20

    ВОЛКОВ В.В., ДУБРОВИН А.Н., ЕГОРЫШЕВА А.В., ЖНЫКИНА М.А., КАРГИН Ю.Ф., МАНДЕЛЬ А.Е., СУХОВЕРХОВ Ю.М., ШАНДАРОВ С.М., ШЕПЕЛЕВИЧ В.В. — 2004 г.

    Исследованы температурные зависимости фотоиндуцированного поглощения света в красной (660 нм), желтой (570 нм) и зеленой (505 нм) областях спектра в кристалле Bi 12TiO 20, легированном Ca.

  • ТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ И ИЗОТЕРМИЧЕСКАЯ СЖИМАЕМОСТЬ TLGATE 2

    ГОДЖАЕВ Э.М., КАФАРОВА Д.М. — 2004 г.

    Приведены результаты рентгенофазового анализа и температурные зависимости коэффициента теплового расширения и изотермического сжатия кристалла TlGaTe 2 в интервале 77-400 K. На основании этих исследований выявлено, что в данной фазе при 98.5 K происходит фазовый переход второго рода.

  • ТЕПЛОЕМКОСТЬ ВЫСОКОЧИСТЫХ ИТТРИЯ И ЛЮТЕЦИЯ В ИНТЕРВАЛЕ 2-15 К

    БУРХАНОВ Г.С., ГИБИН А.М., ГУСЕВ А.В., ДЕВЯТЫХ Г.Г., КАБАНОВ А.В., КОЛЬЧУГИНА Н.Б., КУПРИЯНОВ В.Ф., ЧИСТЯКОВ О.Д. — 2004 г.

    В интервале 2-15 K измерена теплоемкость высокочистых редкоземельных металлов: иттрия и лютеция. Изучено влияние примесей на низкотемпературную теплоемкость металлов. Определены значения температуры Дебая и коэффициента электронной составляющей теплоемкости.

  • ТЕПЛОЕМКОСТЬ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАНГАНИТА LALISRMN 2O 6

    БЕКТУРГАНОВ Ж.С., ДАВРЕНБЕКОВ С.Ж., ЕДИЛЬБАЕВА С.Т., ЖУМАДИЛОВ Е.К., КАСЕНОВ Б.К., КАСЕНОВА Ш.Б., МУСТАФИН Е.С. — 2004 г.

    Впервые по керамической технологии из соответствующих карбонатов и оксидов синтезирован кристаллизующийся в кубической сингонии манганит LaLiSrMn 2O 6, исследованы температурные зависимости его теплоемкости и электросопротивления.

  • ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ РB 1-XМN ХТЕ

    АБДИНОВ Д.Ш., АГАЕВ З.Ф., АЛЛАХВЕРДИЕВ Э.А., БАГИЕВА Г.З., МУРТУЗОВ Г.М. — 2004 г.

    Исследована теплопроводность монокристаллов твердых растворов Рb 1-xМn хТе в области температур 80-300 K. В предположении упругого рассеяния носителей заряда, параболической зоны и произвольного вырождения рассчитаны электронная и решеточная составляющие теплопроводности. Показано, что с ростом температуры общая и решеточная теплопроводности уменьшаются. Увеличение содержания марганца также приводит к снижению общей и решеточной теплопроводностей. При отжиге общая и решеточная теплопроводности возрастают. Определена концентрация точечных дефектов в указанных монокристаллах и установлено, что перенос тепла в Рb 1-xМn хТе осуществляется в основном фононами.

  • ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ ТЕКСТУРИРОВАННОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО CDTE

    ГУСЕЙНОВ А.А., ЛУГУЕВ С.М., ЛУГУЕВА Н.В. — 2004 г.

    Исследована (при 80-400 K) теплопроводность текстурированных поликристаллических образцов теллурида кадмия оптического качества, полученных осаждением из паровой фазы и подвергнутых деформации в направлении роста кристалла и последующей рекристаллизации. В низкотемпературной области измерений обнаружена анизотропия коэффициента теплопроводности CdTe относительно направления роста поликристаллических образцов, которая сохраняется и после их деформации и рекристаллизации, что обусловлено рассеянием фононов дислокациями, ориентированными в направлении роста кристалла. На температурной зависимости теплового сопротивления кристаллической решетки образцов в области 200-300 K наблюдается изменение наклона, обусловленное взаимодействием акустических и оптических фононов. Удельная электропроводность CdTe измерена в области температур 300-850 K.

  • ТЕРМИЧЕСКАЯ ПЕРЕСТРОЙКА ЦИКЛОГЕКСАФОСФАТОВ ND 2P 6O 18 • 12H 2O И LI 3ND 3(Р 6O 18) 2 • 26H 2O В ПОЛИФОСФАТЫ

    АНИСИМОВА Н.Ю., БОРОДИНА Л.А., МУРАШОВА Е.В., СЕРЕДА А.Е., ЧУДИНОВА Н.Н. — 2004 г.

    Методами ДТА и высокотемпературной рентгенографии в интервале температур 20-1000°С в сочетании с хроматографическим контролем анионного состава продуктов нагревания изучены реакции термической дегидратации и перестройки циклогексафосфатов Nd 2P 6O 18 ∙ 12H 2O и Li 3Nd 3(P 6O 18) 2 ∙ 26H 2O. Показано, что в результате дегидратации и перестройки образуются полифосфат Nd(PO 3) 3 (моноклинной и ромбической модификаций) и двойной полифосфат LiNd(PO 3) 4 (моноклинной модификации). Установлено, что термические превращения протекают без потери фосфорного ангидрида. Определены температурные интервалы устойчивости образующихся полифосфатов. Обсуждается механизм перестройки циклогексафосфатов в полифосфаты.